
國(guó)際半導(dǎo)體制造裝置材料協(xié)會(huì)(SEMI)公布了有關(guān)半導(dǎo)體生產(chǎn)線的預(yù)測(cè)“WorldFabForecaST".該預(yù)測(cè)分析了在2010年和2011年兩年內(nèi),包括MEMS、LED、離散半導(dǎo)體、LED和MEMS在內(nèi)的大規(guī)模量產(chǎn)以及少量生產(chǎn)用生產(chǎn)線的新建計(jì)
半導(dǎo)體廠拼擴(kuò)產(chǎn),帶動(dòng)外圍耗材與化學(xué)材料廠亦接單暢旺,如化學(xué)機(jī)械研磨(CMP)、光阻劑(Slurry)以及外圍耗材包括光罩盒、晶圓盒等等供應(yīng)商,也紛紛擴(kuò)產(chǎn)因應(yīng)未來(lái)需求?;瘜W(xué)材料大廠陶氏化學(xué)(Dow Chemical) 半導(dǎo)體技術(shù)部
凸版印刷宣布已經(jīng)建立了面向22nm及20nm工藝的ArF掩模供應(yīng)體制。在該公司的朝霞光掩模工廠內(nèi),構(gòu)建了22nm/20nm用的ArF掩模生產(chǎn)線,提供給半導(dǎo)體廠家的試制及量產(chǎn)用途。該技術(shù)是與美國(guó)IBM聯(lián)合開發(fā)的。 此次開發(fā)的掩
對(duì)于超薄介質(zhì),由于存在大的漏電和非線性,通過(guò)標(biāo)準(zhǔn)I-V和C-V測(cè)試不能直接提取氧化層電容(Cox)。然而,使用高頻電路模型則能夠精確提取這些參數(shù)。隨著業(yè)界邁向65nm及以下的節(jié)點(diǎn),對(duì)于高性能/低成本數(shù)字電路,RF電
聯(lián)發(fā)科8月營(yíng)收重回百億,為電子業(yè)帶來(lái)些許曙光,但花旗環(huán)球認(rèn)為晶圓雙雄下季出貨量將開始衰退。瑞銀半導(dǎo)體分析師程正樺進(jìn)一步分析,明年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)年增率僅2%,多數(shù)晶圓代工業(yè)者明年必須面臨獲利衰退的窘境。瑞銀
國(guó)際半導(dǎo)體制造裝置材料協(xié)會(huì)(SEMI)公布了有關(guān)半導(dǎo)體生產(chǎn)線的預(yù)測(cè)“WorldFabForecast".該預(yù)測(cè)分析了在2010年和2011年兩年內(nèi),包括MEMS、LED、離散半導(dǎo)體、LED和MEMS在內(nèi)的大規(guī)模量產(chǎn)以及少量生產(chǎn)用生產(chǎn)線的新建
國(guó)際半導(dǎo)體制造裝置材料協(xié)會(huì)(SEMI)公布了有關(guān)半導(dǎo)體生產(chǎn)線的預(yù)測(cè)“WorldFabForecast".該預(yù)測(cè)分析了在2010年和2011年兩年內(nèi),包括MEMS、LED、離散半導(dǎo)體、LED和MEMS在內(nèi)的大規(guī)模量產(chǎn)以及少量生產(chǎn)用生產(chǎn)線的新建
晶圓大廠臺(tái)積電(2330-TW)(TSM-US)今(10)日公布8月營(yíng)收,就合并財(cái)務(wù)報(bào)表方面,8月合并營(yíng)收新臺(tái)幣373. 91億元,較上月的372.18億元小幅增加了0.5%,續(xù)創(chuàng)單月歷史新高,和去年同期相比則成長(zhǎng)了25.4%。累計(jì)1-8月營(yíng)收為
諾發(fā)系統(tǒng)日前發(fā)表VECTOR PECVD、INOVA PVD和GxT photoresist strip systems的新機(jī)型,這些新機(jī)型可以和諾發(fā)系統(tǒng)的先進(jìn)金屬聯(lián)機(jī)技術(shù)相輔相成,并且展開晶圓級(jí)封裝技術(shù)(WLP)的需求及市場(chǎng)。這些機(jī)臺(tái)都整合了一些一般傳統(tǒng)
據(jù)已從AMD經(jīng)剝離的GLOBALFOUNDRIES公司稱,晶圓烘焙技術(shù)即將遇到瓶頸,但是他們已經(jīng)為此做好了準(zhǔn)備。該公司還表示,他們對(duì)待芯片材料最近進(jìn)展的方法要優(yōu)于Intel,并且將被后者的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手臺(tái)積電所使用。 晶圓展示
業(yè)界傳出,晶圓雙雄接單狀況下滑,臺(tái)積電產(chǎn)能利用率從110%回探90%附近。晶圓雙雄第四季營(yíng)收恐將較第三季下滑約一成,使得上、下半年?duì)I收比差距縮小,惟下半年仍可優(yōu)于上半年。 具景氣前行指標(biāo)的臺(tái)灣半導(dǎo)體設(shè)備暨材
聯(lián)發(fā)科(2454)8月營(yíng)收重回百億,為電子業(yè)帶來(lái)些許曙光,但花旗環(huán)球認(rèn)為晶圓雙雄下季出貨量將開始衰退。瑞銀半導(dǎo)體分析師程正樺進(jìn)一步分析,明年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)年增率僅2%,多數(shù)晶圓代工業(yè)者明年必須面臨獲利衰退的窘
聯(lián)發(fā)科(2454)8月營(yíng)收重回百億,為電子業(yè)帶來(lái)些許曙光,但花旗環(huán)球認(rèn)為晶圓雙雄下季出貨量將開始衰退。瑞銀半導(dǎo)體分析師程正樺進(jìn)一步分析,明年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)年增率僅2%,多數(shù)晶圓代工業(yè)者明年必須面臨獲利衰退的
樂(lè)華科技(日本RORZE之臺(tái)灣分公司)社長(zhǎng)崎谷文雄、總經(jīng)理佐佐木大輔親臨展覽會(huì)場(chǎng),解說(shuō)主力機(jī)種RORZE 300mm Wafer Sorter RSC121,具高速度、省空間、低振動(dòng)、低噪音之裝置,可讀取M12、T7、M1.15及正反兩面之刻度,
據(jù) SEMI (國(guó)際半導(dǎo)體設(shè)備材料產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì))周二 (7日)公布,全球晶圓廠預(yù)測(cè) (SEMI World Fab Forecast)報(bào)告內(nèi)容顯示,今 (2010)年前段晶圓廠設(shè)備資本支出將增長(zhǎng) 133%之多,且到明 (2011)年將揚(yáng)升約 18%。 若不含分離組件
晶圓雙雄臺(tái)積電及聯(lián)電9月紛將為旗下布局的太陽(yáng)能事業(yè)舉行動(dòng)工及開幕儀式,雙方較勁意味濃厚,其中,臺(tái)積電銅銦鎵硒(CIGS)薄膜太陽(yáng)能廠可望為臺(tái)灣揭開新紀(jì)元,至于聯(lián)電旗下硅晶太陽(yáng)能電池廠聯(lián)景開幕,顯示聯(lián)電水平
日商ESC大廠-日商創(chuàng)造科學(xué)(Creative Technology)公司發(fā)表最新對(duì)應(yīng)TSV等新制程所開發(fā)技術(shù),包括靜電吸盤、吸附機(jī)構(gòu)、Heater,以及客制化全系列ESC(Electric Static Chuck),并于前年成立在臺(tái)分公司,提供快速又全
志圣再創(chuàng)半導(dǎo)體3D Packaging制程革命新紀(jì)元,領(lǐng)先推出「全新自動(dòng)晶圓壓膜機(jī)」,全自動(dòng)化設(shè)計(jì)更符合半導(dǎo)體制程流程、全自動(dòng)裁切光阻膜更省人力,且產(chǎn)速比現(xiàn)行濕制程更快、材料利用率更高達(dá)68%以上,以及沒有濕制程所
全球半導(dǎo)體協(xié)會(huì)(GlobalSemiconductor Alliance,GSA)最新調(diào)查指出,2010年第二季的晶圓價(jià)格(wafer prices)出現(xiàn)下滑,其中,第二季8吋CMOS制程晶圓制造平均價(jià)格較上一季下跌了9.5%,至于12吋CMOS制程晶圓制造
全球晶圓(GlobalFoundries)除了在28納米制程上,宣布以28納米高介電金屬閘極(HKMG)技術(shù),試產(chǎn)出全球首顆安謀(ARM)Cortex-A9架構(gòu)的芯片外,同時(shí)也宣布與飛思卡爾(Freescale)合作研發(fā)90納米快閃存儲(chǔ)器技術(shù),進(jìn)一步強(qiáng)化