
得可進(jìn)一步擴(kuò)展高速的植球能力,已獲認(rèn)可的DirEKt Ball Placement™ 工藝現(xiàn)能以300微米細(xì)距精準(zhǔn)地置放直徑僅為200微米的焊球。憑借以高于99.99% 的首次通過良率實(shí)現(xiàn)這一精確性和精密度的能力,DirEKt植球?yàn)楝F(xiàn)代
2009、2010年對(duì)美光而言,最大的挑戰(zhàn)是從目前的68納米和華亞科的70納米制程,大量轉(zhuǎn)進(jìn)50納米制程,就技術(shù)角度而言相當(dāng)艱鉅,且同時(shí)也需要龐大的資金挹注,才能完成整個(gè)轉(zhuǎn)換過程。 美光分析,在50納米制程上,預(yù)計(jì)每
日本產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所(產(chǎn)綜研)鉆石研究中心單結(jié)晶底板開發(fā)小組開發(fā)出了大型單結(jié)晶鉆石晶圓制造技術(shù)。該技術(shù)結(jié)合運(yùn)用了兩種技術(shù):由籽晶直接制造薄板狀鉆石單結(jié)晶的“直接晶圓化技術(shù)”,以及通過依次改變生長(zhǎng)方向
基于極其成功的Galaxy印刷設(shè)備,得可已利用卓越的精準(zhǔn)技術(shù)開發(fā)了專門處理超薄晶圓的系統(tǒng)。新的Galaxy薄晶圓系統(tǒng)提供杰出的穩(wěn)定性、工藝能力提高到Cp>2@+/-12.5μm、并擁有先進(jìn)的速度和加速控制,確保強(qiáng)健地處理當(dāng)今
據(jù)透露,為了防止在與韓國對(duì)手的競(jìng)爭(zhēng)中落在后面,日本爾必達(dá)內(nèi)存公司計(jì)劃明年內(nèi)轉(zhuǎn)向使用40nm制程技術(shù),而在40nm制程技術(shù)完全成熟之前,爾必達(dá)將采 用50nm制程技術(shù)作為過渡性的制程技術(shù)。目前,爾必達(dá)公司剛剛在65nm制
預(yù)見到未來對(duì)大批量晶圓粘合劑和涂層應(yīng)用的需求,得可已三倍增強(qiáng)其獲獎(jiǎng)DirEKt Coat 技術(shù)的工藝能力。DirEKt Coat晶圓涂層工藝達(dá)到Cp>2@+/- 12.5µm和7微米的總厚度差 (TTV),有效地滿足了薄晶圓產(chǎn)品目前和未來的
style=" padding-left:8px; padding-right:8px; margin-top:5px; line-height: 24px; clear:both;">基于極其成功的Galaxy印刷設(shè)備,得可已利用卓越的精準(zhǔn)技術(shù)開發(fā)了專門處理超薄晶圓的系統(tǒng)。新的Galaxy薄晶圓系統(tǒng)提供
基于極其成功的Galaxy印刷設(shè)備,得可已利用卓越的精準(zhǔn)技術(shù)開發(fā)了專門處理超薄晶圓的系統(tǒng)。新的Galaxy薄晶圓系統(tǒng)提供杰出的穩(wěn)定性、工藝能力提高到Cp>2 @ +/- 12.5µm、并擁有先進(jìn)的速度和加速控制,確保強(qiáng)健地處
“我們將接盤奇夢(mèng)達(dá)西安研發(fā)中心, 8月中旬將宣布收購消息。”8月6日,浪潮集團(tuán)一位內(nèi)部人士向本報(bào)記者透露,浪潮集團(tuán)將在宣布上述消息的同時(shí),公布自己的芯片戰(zhàn)略。 此前一天,奇夢(mèng)達(dá)宣布在go-dove.com網(wǎng)站上進(jìn)行資
依據(jù)大陸環(huán)境保護(hù)部公告「調(diào)整進(jìn)口廢物管理目錄公告」修正從8月1日起,不符合限制「進(jìn)口類可用作原料的固體廢物」目錄,海關(guān)將不予放行且依法令進(jìn)口者或承運(yùn)人實(shí)施退運(yùn),其中遭到限制進(jìn)口的包括半導(dǎo)體的廢晶圓、頭尾
“我們將接盤奇夢(mèng)達(dá)西安研發(fā)中心, 8月中旬將宣布收購消息。”8月6日,浪潮集團(tuán)一位內(nèi)部人士向本報(bào)記者透露,浪潮集團(tuán)將在宣布上述消息的同時(shí),公布自己的芯片戰(zhàn)略。此前一天,奇夢(mèng)達(dá)宣布在go-dove.com網(wǎng)站上進(jìn)行資產(chǎn)