晶圓

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晶圓是指硅半導(dǎo)體集成電路制作所用的硅晶片，由于其形狀為圓形，故稱為晶圓；在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結(jié)構(gòu)，而成為有特定電性功能之IC產(chǎn)品。晶圓的原始材料是硅，而地殼表面有用之不竭的二氧化硅。二氧化硅礦石經(jīng)由電弧爐提煉，鹽酸氯化，并經(jīng)蒸餾后，制成了高純度的多晶硅，其純度高達(dá)99.999999999%。

Crossing收購(gòu)Asyst的大氣晶圓處理和自動(dòng)化資產(chǎn)

Crossing Automation宣布完成了收購(gòu)Asyst Technologies大氣晶圓處理和知識(shí)產(chǎn)權(quán)的法律程序，包括分類器產(chǎn)品線、設(shè)備前端模塊(EFEM)、加載端口(load port)和RFID等產(chǎn)品在內(nèi)。收購(gòu)?fù)瓿珊?，?zhí)行主席Robert MacKnight將被

模擬
2009-09-08

晶圓自動(dòng)化 ST CROSSING
三星電子計(jì)劃將DRAM生產(chǎn)全數(shù)轉(zhuǎn)為使用12寸晶圓

韓國(guó)三星電子計(jì)畫于今年10月底前停止使用8寸晶圓生產(chǎn)DRAM，將DRAM的生產(chǎn)全數(shù)轉(zhuǎn)為使用12寸晶圓，以藉由使用產(chǎn)能效率較高的大尺寸晶圓來(lái)提高DRAM的成本競(jìng)爭(zhēng)力。報(bào)導(dǎo)指出，三星電子計(jì)畫于10月底前停止在美國(guó)德州奧斯丁(

模擬
2009-09-07

DRAM 三星電子 Flash 晶圓
Crossing Automation完成收購(gòu)商Asyst Technologies大氣晶圓處理和自動(dòng)化資產(chǎn)

Crossing Automation日前宣布，它已經(jīng)完成了法律程序，收購(gòu)商Asyst Technologies的大氣晶圓處理和知識(shí)產(chǎn)權(quán)，包括分類器產(chǎn)品線， EFEM （設(shè)備前端模塊）和load port和RFID產(chǎn)品。當(dāng)收購(gòu)?fù)瓿珊螅瑘?zhí)行主席Robert MacKnig

模擬
2009-09-04

TECHNOLOGIES AUTOMATION 晶圓自動(dòng)化
一種新的晶圓級(jí)1/f噪聲測(cè)量方法

1. 引言 MOSFET在模擬和射頻電路中得到了廣泛的應(yīng)用。但是，MOSFET中的低頻噪聲，尤其是較高頻率的1/f噪聲，是模擬和射頻電路應(yīng)用中人們關(guān)注的重要因素。此外，隨著器件特征尺寸的縮小，1/f噪聲會(huì)大大增加[參考文獻(xiàn)

測(cè)試測(cè)量
2009-08-27

控制噪聲測(cè)量 BSP 晶圓
SanDisk創(chuàng)辦人預(yù)測(cè)NAND市場(chǎng)8大趨勢(shì)

在近日于美國(guó)舉行的閃存高峰會(huì)(Flash Memory Summit)上，一位業(yè)界高層對(duì)NAND市場(chǎng)做出了大膽的預(yù)測(cè)。在專題演說(shuō)中，SanDisk創(chuàng)辦人暨總裁、執(zhí)行長(zhǎng)Eli Harari警告，NAND產(chǎn)業(yè)正處于“十字路口”，主要是因?yàn)槭袌?chǎng)產(chǎn)能供應(yīng)

消費(fèi)電子
2009-08-27

內(nèi)存 NAND SANDISK 晶圓
SUSS MicroTec在日本繼續(xù)推進(jìn)三維集成業(yè)務(wù)

SUSS MicroTec是半導(dǎo)體業(yè)界創(chuàng)新工藝和測(cè)試方案提供商。SUSS MicroTec向日本發(fā)運(yùn)了一臺(tái)LithoPack300光刻一體機(jī)，用于三維集成技術(shù)開(kāi)發(fā)，并已成功安裝。該一體機(jī)擁有涂膠、烘烤、曝光、顯影模塊，可用于最大直徑為300毫

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2009-08-26

集成 TE MICRO 晶圓
業(yè)界高層預(yù)言NAND市場(chǎng)8大趨勢(shì)

在近日于美國(guó)舉行的閃存高峰會(huì)(Flash Memory Summit)上，一位業(yè)界高層對(duì)NAND市場(chǎng)做出了大膽的預(yù)測(cè)。在專題演說(shuō)中，SanDisk創(chuàng)辦人暨總裁、執(zhí)行長(zhǎng)Eli Harari警告，NAND產(chǎn)業(yè)正處于“十字路口”，主要是因?yàn)槭袌?chǎng)產(chǎn)能供應(yīng)

消費(fèi)電子
2009-08-26

內(nèi)存 NAND CE 晶圓
康耐視推出用于太陽(yáng)能電池檢測(cè)的新型視覺(jué)工具

（上海，2009 年 8 月 25 日）康耐視公司（納斯達(dá)克代碼：CGNX）為太陽(yáng)能電池制造過(guò)程提供新的檢測(cè)解決方案，進(jìn)一步擴(kuò)展了檢測(cè)范圍。新型VisionPro?太陽(yáng)能工具箱中包括預(yù)配置的軟件工具，用于光電 (PV) 太陽(yáng)能生產(chǎn)中

顯示光電
2009-08-25

康耐視太陽(yáng)能電池電池檢測(cè) 晶圓
業(yè)界高層預(yù)言NAND閃存市場(chǎng)8大趨勢(shì)

在近日于美國(guó)舉行的快閃記憶體高峰會(huì)(Flash Memory Summit)上，一位業(yè)界高層對(duì)NAND市場(chǎng)做出了大膽的預(yù)測(cè)。在專題演說(shuō)中，SanDisk創(chuàng)辦人暨總裁、執(zhí)行長(zhǎng)Eli Harari警告，NAND產(chǎn)業(yè)正處于“十字路口”，主要是因?yàn)槭袌?chǎng)產(chǎn)

智能硬件
2009-08-25

閃存市場(chǎng) NAND NAND閃存晶圓
一種新的晶圓級(jí)1/f噪聲測(cè)量方法

1. 引言 MOSFET在模擬和射頻電路中得到了廣泛的應(yīng)用。但是，MOSFET中的低頻噪聲，尤其是較高頻率的1/f噪聲，是模擬和射頻電路應(yīng)用中人們關(guān)注的重要因素。此外，隨著器件特征尺寸的縮小，1/f噪聲會(huì)大大增加[參考文獻(xiàn)

功率器件
2009-08-24

控制噪聲測(cè)量 BSP 晶圓
得可DirEKt植球技術(shù)推進(jìn)微型化能力

得可進(jìn)一步擴(kuò)展高速的植球能力，已獲認(rèn)可的DirEKt Ball Placement™ 工藝現(xiàn)能以300微米細(xì)距精準(zhǔn)地置放直徑僅為200微米的焊球。憑借以高于99.99% 的首次通過(guò)良率實(shí)現(xiàn)這一精確性和精密度的能力，DirEKt植球?yàn)楝F(xiàn)代

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2009-08-20

微型微米印刷設(shè)備晶圓

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晶圓

Crossing收購(gòu)Asyst的大氣晶圓處理和自動(dòng)化資產(chǎn)

三星電子計(jì)劃將DRAM生產(chǎn)全數(shù)轉(zhuǎn)為使用12寸晶圓

Crossing Automation完成收購(gòu)商Asyst Technologies大氣晶圓處理和自動(dòng)化資產(chǎn)

一種新的晶圓級(jí)1/f噪聲測(cè)量方法

SanDisk創(chuàng)辦人預(yù)測(cè)NAND市場(chǎng)8大趨勢(shì)

SUSS MicroTec在日本繼續(xù)推進(jìn)三維集成業(yè)務(wù)

業(yè)界高層預(yù)言NAND市場(chǎng)8大趨勢(shì)

康耐視推出用于太陽(yáng)能電池檢測(cè)的新型視覺(jué)工具

業(yè)界高層預(yù)言NAND閃存市場(chǎng)8大趨勢(shì)

一種新的晶圓級(jí)1/f噪聲測(cè)量方法

得可DirEKt植球技術(shù)推進(jìn)微型化能力

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