
知名代工企業(yè)、AMD“前女友”GLOBALFOUNDRIES(格芯)于近日(10月26日)宣布,基于市場條件變化、將取消對成熟工藝技術(180nm/130nm)的原項目一期投資,接下來重新專注于差異化
在今年八月底,全球第二大晶圓代工廠格芯正式宣布,放棄7nm和更先進制程的研發(fā),這個決定公布之后,引發(fā)了市場上的廣泛討論。大家關注的重點就在于格芯為什么要放棄先進制程?未來格芯將何去何從?
近些年,作為巨無霸級別的IDM,三星一直覺得其晶圓代工業(yè)務水平還不夠好,視行業(yè)霸主臺積電為“眼中釘”,并通過大力投資、挖人等措施,不斷完善其晶圓代工技術能力和客戶認可度。
作為寧波市集成電路產業(yè)“一園三基地”的重點園區(qū),“芯港小鎮(zhèn)”再次迎來重大發(fā)展機遇。近日,中芯寧波200毫米特種工藝(晶圓/芯片)N1產線正式投產,小鎮(zhèn)內中芯寧波N2項目、南大光電與安集微電子也將正式動工。自去年開園以來,“芯港小鎮(zhèn)”已簽約落戶14個集成電路企業(yè)項目,總投資200億元。
寧波集成電路產業(yè)正在加速崛起!近日,北侖芯港小鎮(zhèn)再迎重大發(fā)展機遇。中芯寧波200毫米特種工藝(晶圓/芯片)N1產線正式投產,小鎮(zhèn)內中芯寧波N2項目、南大光電與安集微電子等三個項目也正式動工。
寧波瞄準集成電路發(fā)展機遇,搶項目、爭創(chuàng)新、擴規(guī)模,全市集成電路產業(yè)發(fā)展進入新拐點,一批支撐項目開工投產,取得明顯效益。數(shù)據顯示,今年前三季度,寧波市集成電路及相關產業(yè)完成工業(yè)總產值127.6億元,同比增長9.8%;實現(xiàn)利潤13.36億元;實現(xiàn)利稅16.48億元。
10月31日,臺積電南京廠舉行了開幕暨量產典禮。
據悉,目前南京廠月產能為1萬片,預計2019年年底前將提升到1.5萬片,并在2020年實現(xiàn)月產能2萬片,雙倍于現(xiàn)在的月產能。
據中國臺灣地區(qū)媒體報道,環(huán)球晶、臺勝科和合晶等半導體硅晶圓廠透露,中國大陸的晶圓廠近期釋出的硅晶圓需求是以往的三倍;除存儲器廠產業(yè)穩(wěn)健外,加上車載和物聯(lián)網應用提升,明年半導體用硅晶圓仍供不應求,預期明年首季合約價仍將上漲。
歐系外資于報告中指出,聯(lián)電財報中釋出的營運展望,包括晶圓出貨將較第三季下降4%-5%,平均美元價格亦較上季下降4%-5%,這也意味著聯(lián)電第四季營收可能將季減8-%10%,低于機構內部原預估的季減6%,同時其本季毛利率亦將下滑、機構內部預估約降至14.2 %,同時聯(lián)電28納米制程出貨力道亦見放緩;預估其恐將在今(2018)年第四季與明(2019)年第一季面臨營運虧損的局面。
近日,至純科技晶圓再生基地項目正式簽約,合肥新站區(qū)集成電路產業(yè)再添生力軍。合肥新站區(qū)招商局局長安冬梅、至純科技財務總監(jiān)陸磊代表雙方簽訂合作協(xié)議。區(qū)黨工委書記、管委會主任路軍,區(qū)經貿局、建設局、環(huán)保局負責人,至純科技相關負責人見證簽約。
臺積電法說會落幕,釋出第4季展望略優(yōu)于預期,不過卻透露8吋晶圓代工的產能利用率已沒有滿載,尤其28奈米整體的產能明顯大于市場供給。 隨著臺積電8吋晶圓代工的產能利用率出現(xiàn)松動,第4季傳統(tǒng)旺季是否將出現(xiàn)旺季不旺,值得關注。
目前有兩種典型的工藝流程,一種是考慮與其他元件的SMT配,首先是錫膏印刷,然后貼裝CSP,回流焊接,最后如果要求底部填充,還需進行底部填充工藝,如圖1所示。為了避免“橋連”或“少錫”缺陷,在組裝細間距的晶圓級
晶圓代工大廠三星宣布,正式開始使用其7納米LPP制程制來生產晶圓。三星的7納米LPP制程中使用極紫外光刻(EUV)技術,這將使三星7納米LPP制程能夠明顯提升芯片內的電晶體密度,同時優(yōu)化其功耗。此外,EUV技術的使用還能使客戶減少每個芯片所需的光罩數(shù)量,在降低生產成本下,還能縮短其生產的時間。
“按產值來算,若中國一家芯片設計公司一年做200億元的生意,那么其中有接近100億元產值和臺積電的晶圓有關?!?月19日傍晚,作為臺積電中國區(qū)負責人,羅鎮(zhèn)球用這樣的數(shù)字對記者表達了臺積電這個全球最大的晶圓代工廠對中國大陸芯片設計業(yè)做出的貢獻。
中芯晶圓項目僅是大江東重大項目推進的一個縮影。2017年以來,大江東新引進重大產業(yè)項目20個,總投資532億元。目前,已在建的重大產業(yè)項目15個,其中格力電器杭州智能電器產業(yè)園項目已進入試生產、吉利新能源汽車整車項目計劃于年底投產。
10月8日上午,總投資達10億美元的杭州中芯晶圓大尺寸硅片項目正式完成主體結構封頂工作。
相較于硅(Si),采用碳化硅(SiC)基材的組件性能優(yōu)勢十分的顯著,尤其是在高壓與高頻的性能上,然而,這些優(yōu)勢卻始終未能轉換成市場規(guī)模,主要的原因就出在碳化硅晶圓的制造和產能的不順暢。
半導體硅晶圓廠環(huán)球晶董事會5日通過啟動韓國擴廠計劃,將投資4.38億美元 (約新臺幣 134億元) ,擴增12吋晶圓產線,月產能目標為15萬片,預計2020年量產。目前12吋硅晶圓月產能約75萬片,未來加上韓國擴產的幅度大約一成多至二成,整體月產出將可上看95萬片。