晶圓
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晶圓雙雄5月營收將報喜
晶圓雙雄公布5月營收，預料將雙喜臨門，臺積電可望續(xù)創(chuàng)歷史新高，聯(lián)電則步入40與28納米收割期，法人預估5月營收繼續(xù)站穩(wěn)90億元，有機會叩關百億元，創(chuàng)17個月來新高，第2季超越財測可期。目前臺灣半導體業(yè)者中，單月營
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晶圓雙雄 Q3掛「蘋安符」
蘋果強攻新iPad及iPhone5，第3季拉貨動起來，包括手機芯片、影像傳感器、無線網通芯片等龐大半導體元件需求，7月將大舉備料，為臺積電（2330）、聯(lián)電、世界先進、日月光、矽品、京元電、力成、華東等半導體帶來強勁訂
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京元電5月營收增4.66%
IC晶圓和成品測試廠京元電自結5月營收新臺幣10.5億元，較4月10.04億元成長4.66%，比去年同期9.5億元成長10.52%。 中央社臺北7日報導指出，累計今年前5月京元電自結營收47.82億元，較去年同期48.38億元微減1.15%。
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IC芯片的晶圓級射頻(RF)測試分析
對于超薄介質，由于存在大的漏電和非線性，通過標準I-V和C-V測試不能直接提取氧化層電容(Cox)。然而，使用高頻電路模型則能夠精確提取這些參數(shù)。隨著業(yè)界邁向65nm及以下的節(jié)點，對于高性能/低成本數(shù)字電路，RF電路
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聯(lián)電5月營收92.06億元連2月站上90億元大關
晶圓雙雄今(??8)日同步公告5月營收。聯(lián)電(2303-TW)(UMC-US)自結5月營收新臺幣92.06億元，月增0.89%，連2月站上90億元大關；而與去年同期相比則減2.06% 。聯(lián)電自結4月營收達新臺幣91.24億元，創(chuàng)近10個月來單月營收新高
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晶圓雙雄 營收將報喜
晶圓雙雄5月營收今（8）日公布5月營收，預料將雙喜臨門，臺積電（2330）可望續(xù)創(chuàng)歷史新高，聯(lián)電則步入40與28納米收割期，法人預估5月營收繼續(xù)站穩(wěn)90億元，有機會叩關百億元，創(chuàng)17個月來新高，第2季超越財測可期。目前
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晶圓雙雄 營收將報喜
晶圓雙雄5月營收今（8）日公布5月營收，預料將雙喜臨門，臺積電（2330）可望續(xù)創(chuàng)歷史新高，聯(lián)電則步入40與28納米收割期，法人預估5月營收繼續(xù)站穩(wěn)90億元，有機會叩關百億元，創(chuàng)17個月來新高，第2季超越財測可期。 目
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晶圓雙雄 營收將報喜
晶圓雙雄5月營收今（8）日公布5月營收，預料將雙喜臨門，臺積電（2330）可望續(xù)創(chuàng)歷史新高，聯(lián)電則步入40與28奈米收割期，法人預估5月營收繼續(xù)站穩(wěn)90億元，有機會叩關百億元，創(chuàng)17個月來新高，第2季超越財測可期。
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半導體獲利 瑞信下修 臺積、聯(lián)電Q3每股純益估1.78元、0.32元
愈來愈多外資提出對第3季半導體景氣看法保守的觀點，瑞信證券臺股研究部主管艾藍迪（Randy Abrams）表示，第3季總體經濟帶來風險，因此對臺積電（2330）、聯(lián)電（2303）、矽品（2325）、日月光（2311）等四檔重量級半
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高盛調降晶圓雙雄投資評等
外資圈對歐債危機，導致全球經濟成長趨緩、恐迫使半導體產業(yè)庫存水位攀升的疑慮越來越高，美商高盛證券半導體分析師呂東風昨（1）日將臺積電與聯(lián)電投資評等分別調降至「中立」與「賣出」，目標價分別為80與12元。
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12類半導體晶圓設備未經許可登陸仍罰
經濟部國貿局近日修正輸往中國大陸的戰(zhàn)略性高科技貨品（SHTC）管制項目，國貿局長卓士昭昨（31）日表示，SHTC管制出口地將中國大陸除名，不過，廠商如果未經許可出口12類半導體晶圓制造設備至大陸，仍將遭受刑事處罰
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新型IGBT軟開關在應用中的損耗分析
本文介紹了集成續(xù)流二極管(FWD)的1200V RC-IGBT，并將探討面向軟開關應用的1,200V逆導型IGBT所取得的重大技術進步。IGBT技術進步主要體現(xiàn)在兩個方面：通過采用和改進溝槽柵來優(yōu)化垂直方向載流子濃度，以及利用&ldquo
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新研發(fā)定向自組裝技術掃清14nm節(jié)點障礙
由半導體研究公司(SemiconductorResearchCorp.,SRC)所資助的一個研發(fā)團隊日前宣布，已經開發(fā)出一種新穎的自組裝技術，該技術之前僅在實驗室進行實驗，但現(xiàn)在已經能針對14nm半導體工藝完善地建立所需的不規(guī)則圖案了。
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精確測量功率MOSFET的導通電阻
電阻值的測量通常比較簡單。但是，對于非常小阻值的測量，我們必須謹慎對待我們所做的假定。對于特定的幾何形狀，如電線，Kelvin方法是非常精確的。可以使用類似的方法來測量均勻樣本的體電阻率和面電阻率，但是所使
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新技術可取代藍寶石襯底 大幅降低LED生產成本
據(jù)物理學家組織網近日報道，一種新的制造技術有望大幅降低發(fā)光二極管(LED)的生產成本，進一步推動其普及進程。這項由西門子旗下子公司歐司朗光電半導體公司的研究人員所進行的研究，成功在硅襯底上生產出了氮化鎵LED
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新技術可取代藍寶石襯底 大幅降低LED生產成本
據(jù)物理學家組織網近日報道，一種新的制造技術有望大幅降低發(fā)光二極管(LED)的生產成本，進一步推動其普及進程。這項由西門子旗下子公司歐司朗光電半導體公司的研究人員所進行的研究，成功在硅襯底上生產出了氮化鎵LED
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新型IGBT軟開關在應用中的損耗分析
本文介紹了集成續(xù)流二極管(FWD)的1200V RC-IGBT，并將探討面向軟開關應用的1,200V逆導型IGBT所取得的重大技術進步。IGBT技術進步主要體現(xiàn)在兩個方面：通過采用和改進溝槽柵來優(yōu)化垂直方向載流子濃度，以及利用&ldquo
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新技術可取代藍寶石襯底 大幅降低LED生產成本
據(jù)物理學家組織網近日報道，一種新的制造技術有望大幅降低發(fā)光二極管(LED)的生產成本，進一步推動其普及進程。這項由西門子旗下子公司歐司朗光電半導體公司的研究人員所進行的研究，成功在硅襯底上生產出了氮化鎵LED
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砸34億美元三星加碼非記憶體晶片
南韓三星電子日前宣布，計劃在其晶片生產作業(yè)集中的京畿道華城，投資4兆韓元（約34億美元）興建一座新的非記憶體晶片廠。因為在智慧型手機和平板電腦等需求帶動下，非記憶體晶片將是三星下一個金雞母。這座新廠將成為
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砸34億美元三星加碼非記憶體晶片
南韓三星電子日前宣布，計劃在其晶片生產作業(yè)集中的京畿道華城，投資4兆韓元（約34億美元）興建一座新的非記憶體晶片廠。因為在智慧型手機和平板電腦等需求帶動下，非記憶體晶片將是三星下一個金雞母。 這座新廠將
