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"碳"索未來，"芯"動無限 三安精彩亮相PCIM Asia
上海2025年9月26日 /美通社/ -- 9月24日至26日，作為化合物半導體行業(yè)的先進企業(yè)，三安精彩亮相電力電子盛會PCIM Asia上海展。在N5館-B50展臺，三安集中展示了涵蓋碳化硅全產(chǎn)業(yè)鏈的核心產(chǎn)品與解決方案，包括SiC MOSFET/SBD、襯底、外延片、車規(guī)級模塊...
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Wolfspeed 順利完成財務(wù)重組，增強財務(wù)實力，在碳化硅市場占據(jù)有利地位
以嶄新活力和對創(chuàng)新及研發(fā)的深化承諾開啟新紀元，增長計劃將充分發(fā)揮已部署的 200 mm 產(chǎn)能優(yōu)勢，該產(chǎn)能將通過自由現(xiàn)金流生成能力實現(xiàn)資金自籌。
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SiC MOSFET 賦能：高效 AC/DC 轉(zhuǎn)換器設(shè)計的簡化之道
在電力電子領(lǐng)域，AC/DC 轉(zhuǎn)換器作為能源變換的核心設(shè)備，其效率與設(shè)計復雜度始終是工程師關(guān)注的焦點。隨著寬禁帶半導體技術(shù)的突破，碳化硅(SiC)MOSFET 憑借優(yōu)異的電學特性，正逐步取代傳統(tǒng)硅基器件，成為高效 AC/DC 轉(zhuǎn)換器設(shè)計的優(yōu)選方案。與硅(Si)IGBT、MOSFET 相比，采用 SiC MOSFET 的 AC/DC 轉(zhuǎn)換器不僅能實現(xiàn)更高的能量轉(zhuǎn)換效率，更在設(shè)計流程中展現(xiàn)出顯著的簡化優(yōu)勢，從器件選型、拓撲架構(gòu)到熱管理設(shè)計，全方位降低了工程師的開發(fā)難度與成本。
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寬帶隙器件簡介
寬帶隙(WBG)半導體器件主要指基于碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)材料的器件。相較于傳統(tǒng)的硅(Si)基器件，它們具有諸多卓越的性能。例如，寬帶隙器件擁有更高的擊穿電場強度，能夠承受更高的電壓;具備高電子遷移率，這使得電子在材料中移動速度更快，大大提高了器件的開關(guān)速度和效率;同時，它們還具有低導通電阻以及較高的熱導率，有助于降低器件工作時的發(fā)熱問題，提高系統(tǒng)的可靠性和穩(wěn)定性。
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為什么碳化硅 MOSFET 特別需要米勒鉗位?
在現(xiàn)代電力電子領(lǐng)域，碳化硅(SiC)MOSFET 憑借其卓越的性能，如高開關(guān)速度、低導通電阻、高耐壓能力等，正逐漸成為眾多應(yīng)用的首選功率器件。然而，正是由于這些獨特的性能特點，使得碳化硅 MOSFET 在實際應(yīng)用中面臨著一些特殊的挑戰(zhàn)，其中米勒效應(yīng)帶來的影響尤為突出，這也使得米勒鉗位對于碳化硅 MOSFET 顯得特別重要。
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MPS ACDC 創(chuàng)新電源解決方案 高效驅(qū)動低碳化、小型化、智能化三重變革
9月16日，MPS ACDC新品發(fā)布會在北京成功舉辦。MPS ACDC 產(chǎn)品總監(jiān)Peter Huang為大家分享了MPS ACDC產(chǎn)品的市場優(yōu)勢及其最新技術(shù)進展，同時揭曉了MPS在當今熱門的手機、筆記本電腦等便攜式設(shè)備PD快充，電視LED顯示屏電源，氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）功率器件，電動汽車充電，AI服務(wù)器供電等領(lǐng)域的先進技術(shù)、最新產(chǎn)品以及完整解決方案。
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工業(yè)充電器拓撲結(jié)構(gòu)選型基礎(chǔ)知識：優(yōu)化拓撲結(jié)構(gòu)與元器件選型
碳化硅（SiC）功率開關(guān)器件正成為工業(yè)電池領(lǐng)域一種廣受歡迎的選擇，因其能夠?qū)崿F(xiàn)更快的開關(guān)速度和更優(yōu)異的低損耗工作，從而在不妥協(xié)性能的前提下提高功率密度。此外，SiC還支持 IGBT技術(shù)無法實現(xiàn)的新型功率因數(shù)拓撲結(jié)構(gòu)。本文將介紹優(yōu)化拓撲結(jié)構(gòu)與元器件選型。
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SiC 電源解決方案：工業(yè)設(shè)備輔助電源驅(qū)動的革新力量
在當今工業(yè)領(lǐng)域，隨著設(shè)備智能化、高效化發(fā)展，對輔助電源的性能要求日益嚴苛。傳統(tǒng)輔助電源在面對高電壓、高功率密度以及節(jié)能需求時逐漸力不從心，而碳化硅(SiC)技術(shù)的興起，為工業(yè)設(shè)備輔助電源驅(qū)動提供了創(chuàng)新且高效的解決方案。
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工業(yè)充電器拓撲結(jié)構(gòu)選型基礎(chǔ)知識：隔離式DC-DC功率級的選擇
碳化硅（SiC）功率開關(guān)器件正成為工業(yè)電池領(lǐng)域一種廣受歡迎的選擇，因其能夠?qū)崿F(xiàn)更快的開關(guān)速度和更優(yōu)異的低損耗工作，從而在不妥協(xié)性能的前提下提高功率密度。此外，SiC還支持 IGBT技術(shù)無法實現(xiàn)的新型功率因數(shù)拓撲結(jié)構(gòu)。本文將介紹隔離式DC-DC功率級選擇。
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碳化硅（SiC）MOSFET的直流EMI特征，體二極管反向恢復與開關(guān)振鈴的協(xié)同抑制
在數(shù)據(jù)中心直流供電系統(tǒng)向高密度、高頻化演進的進程中，碳化硅(SiC)MOSFET憑借其低導通電阻、高頻開關(guān)特性及高溫穩(wěn)定性，成為替代傳統(tǒng)硅基IGBT和MOSFET的核心器件。然而，其高速開關(guān)過程中產(chǎn)生的直流電磁干擾(EMI)、體二極管反向恢復電流及開關(guān)振鈴現(xiàn)象，正成為制約系統(tǒng)可靠性的關(guān)鍵瓶頸。本文從器件物理機制出發(fā)，結(jié)合工程實踐，系統(tǒng)分析SiC MOSFET的直流EMI特征，并提出體二極管反向恢復與開關(guān)振鈴的協(xié)同抑制策略。
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工業(yè)設(shè)備輔助電源驅(qū)動用 SiC 電源解決方案
在當今工業(yè)領(lǐng)域，隨著設(shè)備智能化、高效化發(fā)展，對輔助電源的性能要求日益嚴苛。傳統(tǒng)輔助電源在面對高電壓、高功率密度以及節(jié)能需求時逐漸力不從心，而碳化硅(SiC)技術(shù)的興起，為工業(yè)設(shè)備輔助電源驅(qū)動提供了創(chuàng)新且高效的解決方案。
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Microchip與臺達電子簽署碳化硅解決方案合作協(xié)議，共創(chuàng)電源管理未來
協(xié)議旨在整合利用Microchip mSiC?技術(shù)與臺達智能節(jié)能解決方案，加速可持續(xù)應(yīng)用開發(fā)
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SiC Combo JFET技術(shù)概覽與特性
安森美具有卓越 RDS（on）*A 性能的 SiC JFET，特別適用于需要大電流處理能力和較低開關(guān)速度的應(yīng)用，如固態(tài)斷路器和大電流開關(guān)系統(tǒng)。得益于碳化硅（SiC）優(yōu)異的材料特性和 JFET 的高效結(jié)構(gòu)，可實現(xiàn)更低的導通電阻和更佳的熱性能，非常適合需要多個器件并聯(lián)以高效管理大電流負載的應(yīng)用場景。
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安森美AI數(shù)據(jù)中心系統(tǒng)方案指南上線
全面支持助力能耗優(yōu)化與綠色轉(zhuǎn)型
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Wolfspeed 正以積極舉措夯實財務(wù)基礎(chǔ)，為規(guī)?；鲩L鋪路
主要債權(quán)人大力支持Wolfspeed所提議的預打包重組計劃。2025 財年第 3 季度公司現(xiàn)金儲備約 13 億美元，可為客戶和供應(yīng)商支付提供充足短期流動性支持。
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碳化硅：推動車載充電技術(shù)隨電壓等級的飛躍
在全球倡導綠色出行與可持續(xù)發(fā)展的大背景下，電動汽車(EV)產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展，成為汽車行業(yè)轉(zhuǎn)型升級的重要方向。隨著電動汽車市場的迅速擴張，消費者對其性能的要求也日益提高，其中充電速度和續(xù)航里程成為關(guān)注焦點。為了滿足這些需求，汽車制造商不斷探索新技術(shù)，碳化硅(SiC)材料及其相關(guān)功率器件應(yīng)運而生，并在推動車載充電技術(shù)隨電壓等級提高方面發(fā)揮著關(guān)鍵作用。
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意法半導體宣布擴大在新加坡的“Lab-in-Fab”廠內(nèi)實驗室合作項目，推進壓電MEMS技術(shù)的開發(fā)應(yīng)用
2025年5月29日，中國--服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導體公司意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST;紐約證券交易所代碼:STM)日前宣布與新加坡科技研究局微電子研究所 (A*STAR IME) 和愛發(fā)科 (ULVAC) 合作，共同拓展意法半導體在新加坡的“廠內(nèi)實驗室”(LiF)合作項目。新一期項目包括與新加坡科技研究局材料研究與工程研究所 (A*STAR IMRE) 以及新加坡國立大學 (NUS)的合作項目。
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英飛凌攜手優(yōu)優(yōu)綠能，助力電能轉(zhuǎn)換效率新突破
【2025年5月20日, 中國上海訊】在全國兩會聚焦新能源汽車充換電基礎(chǔ)設(shè)施升級、力推超充網(wǎng)絡(luò)擴建、高速充電走廊建設(shè)及換電模式普及的背景下，充換電行業(yè)正迎來高質(zhì)量發(fā)展的關(guān)鍵期。近日，英飛凌科技宣布與深圳優(yōu)優(yōu)綠能股份有限公司深化合作，通過提供英飛凌先進的CoolMOS?和TRENCHSTOP? IGBT， CoolSiC? MOSFET和EiceDRIVER?驅(qū)動器等全套功率半導體解決方案，全面賦能優(yōu)優(yōu)綠能新一代40kW液冷充電模塊及V2G車網(wǎng)互動解決方案的技術(shù)升級，顯著提升充換電設(shè)備的電能轉(zhuǎn)換效率與穩(wěn)定性，為充電行業(yè)的高質(zhì)量發(fā)展注入新動能。
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確保可靠性：碳化硅產(chǎn)品上市前的開發(fā)與制造
從 MOSFET、二極管到功率模塊，功率半導體產(chǎn)品是生活中無數(shù)電子設(shè)備的核心。從醫(yī)療設(shè)備和可再生能源基礎(chǔ)設(shè)施，到個人電子產(chǎn)品和電動汽車 (EV)，它們的性能和可靠性確保了各種設(shè)備的持續(xù)運行。第三代寬禁帶(WBG)解決方案是半導體技術(shù)的前沿，如使用碳化硅(SiC)。與傳統(tǒng)的硅(Si)晶體管相比，SiC 的優(yōu)異物理特性使基于 SiC 的系統(tǒng)能夠在更小的外形尺寸內(nèi)顯著減少損耗并加快開關(guān)速度。
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確保可靠性： 碳化硅產(chǎn)品上市前的開發(fā)與制造
從 MOSFET 、二極管到功率模塊，功率半導體產(chǎn)品是我們生活中無數(shù)電子設(shè)備的核心。 從醫(yī)療設(shè)備和可再生能源基礎(chǔ)設(shè)施，到個人電子產(chǎn)品和電動汽車 (EV)，它們的性能和可靠性確保了各種設(shè)備的持續(xù)運行。
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