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通向14/15nm節(jié)點技術的挑戰(zhàn)
當半導體業(yè)準備進入14/15nm節(jié)點時，將面臨眾多的技術挑戰(zhàn)
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美光基于25nm閃存的SSD助筆記本電腦實現(xiàn)更輕薄體驗
關鍵字： 25nm 閃存 固態(tài)硬盤 C400 輕薄便攜的筆記本電腦正在成為時下的市場潮流，這種
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寅通科技(Innopower)實現(xiàn)卓越業(yè)務里程碑
2010年重要的里程碑和成就自2009年12月IP業(yè)務從智原科技轉移出來后，已有超過75個新的licensee被添加到寅通科技的客戶群。2009年12月以來，已創(chuàng)建超過6個新的65/55nm平臺IP解決方案。這些IP在超過6家65/55nm的Fou
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通向14nm和5nm節(jié)點技術的挑戰(zhàn)
對于邏輯電路，STMicro的Thomas Skotnicki認為傳統(tǒng)的CMOS制造工藝方法己不再適用。因為當器件的尺寸持續(xù)縮小時，由于己達極限許多缺陷顯現(xiàn)。按IBM技術經理Mukesh Khare看法，如柵氧化層的厚度Tox再縮小有困難。另外，
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通向14/15nm節(jié)點的技術挑戰(zhàn)
當半導體業(yè)準備進入14/15nm節(jié)點時，將面臨眾多的技術挑戰(zhàn)對于邏輯電路，STMicro的Thomas Skotnicki認為傳統(tǒng)的CMOS制造工藝方法己不再適用。因為當器件的尺寸持續(xù)縮小時，由于己達極限許多缺陷顯現(xiàn)。按IBM技術經理Muk
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通向14nm、5nm節(jié)點技術的挑戰(zhàn)
當半導體業(yè)準備進入14/15nm節(jié)點時，將面臨眾多的技術挑戰(zhàn)對于邏輯電路，STMicro的Thomas Skotnicki認為傳統(tǒng)的CMOS制造工藝方法己不再適用。因為當器件的尺寸持續(xù)縮小時，由于己達極限許多缺陷顯現(xiàn)。按IBM技術經理Muk
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25nm閃存固態(tài)硬盤容量縮水問題浮現(xiàn)
制造工藝的更新?lián)Q代可以給閃存帶來性能提升和成本的下降，這在玩家心目中幾乎是公認的事實。然而大多數人可能忽略了事情的另一面，即閃存制造工藝升級帶來的壽命問題。隨著半導體制程的進步，NAND閃存的可靠性會明
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中低密度FPGA需求巨大
為了實現(xiàn)FPGA進入有線/無線網絡核心高容量市場的應用，賽靈思推出了創(chuàng)新的SSI（堆疊硅片互聯(lián)）技術將多顆FPGA芯片封裝在一起以擴大目前最先進工藝（28nm）下FPGA的容量；但是另方面，低密度的FPGA也仍是非常受歡迎，
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Intel生產工藝規(guī)劃是否會按部就班？
按ITRS工藝路線圖，在2009年進入32納米，英特爾做到了。但是實現(xiàn)工藝，出產樣品，到真正量產，尚存在差距，通常需要一年多時間。按英特爾計劃，2011 Q1時32nm的出貨比升至35%，Q2時達50%，到Q3時32nm才超過70%，表示
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Intel生產工藝規(guī)劃32nm半年后過半
編者點評：按ITRS工藝路線圖,在2009年進入32納米,英特爾做到了。但是實現(xiàn)工藝,,出產樣品,到真正量產，尚存在差距，通常需要一年多時間。按英特爾計劃，,2011 Q1時32nm的出貨比升至35％，Q2時達50％，到Q3時32nm才超過
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近距離接觸 25nm NAND閃存制造技術
目前，限制SSD普及的門檻依然是昂貴的價格和較小的容量，而各大閃存制造廠商也在為SSD的普及，積極地研制新制程技術，以期望帶來更具性價比的產品。顯然，英特爾和美光的合作，使兩家公司在技術和創(chuàng)新上走在了其他公
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15nm工藝CMOS將如何發(fā)展？
在半導體制造技術相關國際會議“2010 IEEE International Electron Devices Meeting（IEDM 2010）”開幕前一天的2010年12月5日，舉行了一場以“15nm CMOS Technology”為題的短講座。在最尖端邏
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15nm工藝CMOS將如何發(fā)展？短講座出現(xiàn)站著的聽眾
在半導體制造技術相關國際會議“2010 IEEE International Electron Devices Meeting（IEDM 2010）”開幕前一天的2010年12月5日（日），舉行了一場以“15nm CMOS Technology”為題的短講座。在最尖端邏輯LSI方面，美國
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G652D光纖宏彎損耗測試方法
光纖宏彎損耗測試，在國家標準GB/T9771.3-2008中描述為：光纖以30mm半徑松繞100圈，在1625nm測得的宏彎損耗應不超過0.1dB?！ 《?中描述：為了保證彎曲損耗易于測量和測量準確度，可用1圈或幾圈小半徑環(huán)光纖代
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《國際電子商情》10月熱門產品匯總
關鍵字： LTE PA 云手機 CDMA GPU LTE云手機將促使市場全面洗牌
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Intel斥資80億美元意在15nm及更小芯片
據外電報道，英特爾宣布建立新的工廠和投入新的設施研發(fā)15納米和比15納米更小的芯片。投資預計達80億美元。英特爾技術和制造事業(yè)部副總裁兼封裝測試生產部總經理布萊恩（ Brian Krzanich）透露英特爾預計明年下半年將
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Intel投資8億美元欲開發(fā)小于15nm芯片
英特爾宣布它將會投入8億美元建立新的工廠和投入新的設施研發(fā)15納米和比15納米更小的芯片。 英特爾技術和制造事業(yè)部副總裁兼封裝測試生產部總經理布萊恩（ Brian Krzanich）透露英特爾預計明年下半年將推出應用22納米
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EV Group推出軟UV納米壓印光刻技術 尺寸可達12.5nm
領先的晶圓鍵合和光刻設備供應商EV Group發(fā)布了一項新的技術Soft Molecular Scale Nanoimprint Lithography（SMS-NIL），可刻制12.5nm的高分辨圖形。基于EVG的UV-NIL系統(tǒng)，SMS-NIL為客戶提供可重復的、具成本效益的工
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英特爾已在規(guī)劃22nm、15nm Atom大軍
舊金山IDF 2010上，Intel不僅宣布了面向嵌入式系統(tǒng)的Atom E610、面向消費電子設備視的Atom CE4200處理器，還展示了Atom家族的未來路線圖。 在不斷升級的半導體工藝支撐下，Atom家族也會日益龐大。從現(xiàn)在開始，Int
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中芯國際最新技術路線圖發(fā)布 32nm研發(fā)加速進行
作為中國本土最大的芯片制造商，中芯國際的技術動向無疑是業(yè)界的焦點。中芯國際已走過10個年頭，9月16日舉辦的的技術研討會恰逢其成立10周年，新領導班子的集體亮相、最新技術路線圖的發(fā)布、研發(fā)進展狀況等，成為了此
