厲害了臺積電！明年4月份試產(chǎn)5nm EUV工藝

在7nm及以下節(jié)點(diǎn)上，臺積電的進(jìn)展是最快的，今年量產(chǎn)7nm不說，最快明年4月份就要試產(chǎn)5nm EUV工藝了，不過這個(gè)節(jié)點(diǎn)的投資花費(fèi)也是驚人的，臺積電投資250億美元建廠，5nm芯片設(shè)計(jì)費(fèi)用也要比7nm工藝提升50%。

提前1年，臺積電將于2019年試產(chǎn)5nm EUV制程工藝

據(jù)媒體報(bào)道，臺積電預(yù)計(jì)將于2019年4月開始在5nm節(jié)點(diǎn)上實(shí)現(xiàn)完整的EUV風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)。

三星再次刷新半導(dǎo)體工藝路線圖：明年推5/4nm EUV工藝，2020年上馬3nm GAA工藝

現(xiàn)在日本的技術(shù)論壇上三星再次刷新了半導(dǎo)體工藝路線圖，今年會(huì)推出7nm EUV工藝，明年有5/4nm EUV工藝，2020年則會(huì)推出3nm EUV工藝，同時(shí)晶體管類型也會(huì)從FinFET轉(zhuǎn)向GAA結(jié)構(gòu)。

ASML出貨全新光刻機(jī)NXT2000i：將用于7nm/5nm工藝

ASML推出的NXT2000i光刻機(jī)光刻精度可以達(dá)到驚人的1.9nm，遠(yuǎn)低于5nm要求的2.4nm以及7nm的3.5nm精度。

英特爾汗顏，臺積電5nm工藝最快明年量產(chǎn)

英特爾明年底才有可能推出7nm工藝，盡管從技術(shù)上來說英特爾的10nm工藝可能比后兩家的7nm工藝更好，但是進(jìn)度落后已經(jīng)讓英特爾備受壓力，現(xiàn)在這個(gè)差距可能還要擴(kuò)大，臺積電斥資250億美元砸向5nm工藝，明年初就要試產(chǎn)，最快2019年底就要量產(chǎn)。

快速向前推進(jìn)！臺積電7nm今年已量產(chǎn) 5nm計(jì)劃明年量產(chǎn)

增強(qiáng)版7nm芯片Tape out將在今年第三季進(jìn)行風(fēng)險(xiǎn)性試產(chǎn)，明年量產(chǎn)。同時(shí)，明年也會(huì)將EUV導(dǎo)入增強(qiáng)版7nm制程，5nm則會(huì)在2019年上半年風(fēng)險(xiǎn)性試產(chǎn)，主要的應(yīng)用是高速運(yùn)算。

臺積電制程工藝快人一步 投250億美元生產(chǎn)5nm 預(yù)計(jì)2年后問世

7nm之外，臺積電也準(zhǔn)備5nm多時(shí)了，根據(jù)他們在半導(dǎo)體技術(shù)論壇所說，臺積電將投資250億美元發(fā)展5nm工藝，預(yù)計(jì)2019年試產(chǎn)，2020年量產(chǎn)。

臺積電7nm已量產(chǎn) 5nm明年初風(fēng)險(xiǎn)性試產(chǎn)

魏哲家說，半導(dǎo)體是一個(gè)非?；镜男袠I(yè)，就像創(chuàng)辦人張忠謀所言，半導(dǎo)體會(huì)像是日常生活不可或缺的面包、飯;隨著5G與人工智能(AI)新技術(shù)來臨，世界會(huì)發(fā)生重大變動(dòng)。

Mentor 強(qiáng)化支持臺積電5nm FinFET 和 7nm FinFET Plus 工藝以及晶圓堆疊技術(shù)的工具組合

entor, a Siemens business 宣布，該公司 Calibre® nmPlatform 和 Analog FastSPICE (AFS™) Platform 中的多項(xiàng)工具已通過TSMC最新版5nm FinFET 和 7nm FinFET Plus 工藝的認(rèn)證。Mentor 同時(shí)宣布，已更新了 Calibre nmPlatform 工具，可支持TSMC的晶圓堆疊封裝 (WoW)技術(shù)。Mentor 的工具和 TSMC 的新工藝將協(xié)助雙方共同客戶更快地為高增長市場提供芯片創(chuàng)新。

全球首座5nm芯片工廠開工 2020年初量產(chǎn)

臺灣南部科學(xué)工業(yè)園區(qū)(STSP)，臺積電的Fab 18晶圓廠一期工程順利奠基。這是臺積電在臺灣的第四座300mm晶圓廠，也將首次投產(chǎn)5nm新工藝。臺積電計(jì)劃2019年第一季度完成新工廠的建設(shè)，并開始設(shè)備遷入，2019年第二季度試產(chǎn)，2020年初投入5nm的批量生產(chǎn)。

IBM試產(chǎn)5nm芯片：指甲蓋大小可容納300億晶體管

當(dāng)前商用晶體管柵極大小在 10nm 左右，但是 IBM 早已開始了 7nm、甚至 5nm 工藝的研究。不過為了制造 5nm 芯片，IBM 也拋棄了標(biāo)準(zhǔn)的 FinFET 架構(gòu)，取而代之的是四層堆疊納

太快啦！IBM和三星聯(lián)合打造出5nm芯片

目前，最先進(jìn)的芯片使用帶有10納米寬電路的FinFET制程。英特爾等公司已能夠用FinFET制程打造安裝有100億或150億個(gè)晶體管的芯片。 IBM研究部門的半導(dǎo)體技術(shù)研究副總裁穆克什-哈雷(Mukesh Khare)稱，5納米芯片的速度要比10納米芯片快大約40%，效能提高75%。 “這是7納米技術(shù)之外的重大創(chuàng)新成果。”哈雷說，“這是設(shè)計(jì)上的創(chuàng)新，它讓你整合了更多的晶體管。”

一鳴驚人！中國半導(dǎo)體打破格局！顛覆核心技術(shù)！

近日，媒體報(bào)道了這樣的一則消息，中微半導(dǎo)體設(shè)備公司將在今年年底正式敲定5nm刻蝕機(jī)!

臺積電投資5千億在3nm，5nm制程，或?qū)⒂?022年量產(chǎn)

近日，臺積電新聞發(fā)言人表示，新生產(chǎn)設(shè)施的投資額超過5000億元新臺幣(157億美元)，新工廠將能生產(chǎn)全世界最先進(jìn)的芯片。

臺積電10nm以下先進(jìn)制程計(jì)劃：5nm/3nm仍在規(guī)劃中

雖然摩爾定律(Moore’s Law)能否持續(xù)推進(jìn)，產(chǎn)業(yè)界眾說紛云，但晶圓代工龍頭臺積電靠著技術(shù)上的創(chuàng)新，可望讓先進(jìn)制程依循摩爾定律，持續(xù)推進(jìn)到5納米及3納米世代。為此，臺積電將以南科園區(qū)為據(jù)點(diǎn)，投入5，000億元資金，建立支援5納米及3納米的龐大產(chǎn)能。

5nm是現(xiàn)有芯片工藝的極限？

摩爾定律是指IC上可容納的晶體管數(shù)目，約每隔18個(gè)月便會(huì)增加一倍，性能也將提升一倍。然而事情的發(fā)展總歸會(huì)有一個(gè)權(quán)限，5nm則是硅芯片工藝的極限所在，事實(shí)上，隨著10nm、7nm芯片研發(fā)消息不斷報(bào)出，人們也開始擔(dān)心硅芯片極限的逐漸逼近，會(huì)不會(huì)意味著摩爾定律最終失效，進(jìn)而導(dǎo)致半導(dǎo)體行業(yè)停滯不前。 為什么說5nm是現(xiàn)有芯片工藝的極限呢？

AMD發(fā)布新一代45nm四核皓龍?zhí)幚砥鳌吧虾！?/a>

大廠產(chǎn)能轉(zhuǎn)移DRAM供貨吃緊

　　全球市場研究機(jī)構(gòu) TrendForce 旗下記憶體儲存事業(yè)處 DRAMeXchange 表示，由于 DRAM 大廠持續(xù)將產(chǎn)能從標(biāo)準(zhǔn)型記憶體轉(zhuǎn)移至行動(dòng)式記憶體，加上部份DRAM廠轉(zhuǎn)進(jìn)25nm制程良率偏低及20nm制程轉(zhuǎn)進(jìn)有延宕的情形下，2014下

臺積電公布開發(fā)藍(lán)圖 “45nm的量產(chǎn)有望07年Q3開始”

【導(dǎo)讀】臺積電公布開發(fā)藍(lán)圖 “45nm的量產(chǎn)有望07年Q3開始” 臺積電（Taiwan Semiconductor Manufacturing，TSMC）在日本橫浜市舉行了記者招待會(huì)，披露了其技術(shù)開發(fā)藍(lán)圖以及針對日本市場的措施。臺積電的孫元

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【導(dǎo)讀】IBM等4公司宣布45nm工藝制造的電路正常動(dòng)作 IBM、新加坡特許半導(dǎo)體制造（Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd.）、德國英飛凌科技（Infineon Technologies AG）、韓國三星電子宣布，采用聯(lián)合