5NM

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硅晶圓邊緣檢測(cè)裝置 45nm之后半導(dǎo)體廠商也將正式采用

【導(dǎo)讀】硅晶圓邊緣檢測(cè)裝置 45nm之后半導(dǎo)體廠商也將正式采用硅晶圓邊緣檢測(cè)裝置此前一直主要由硅晶圓廠商使用，而最近開(kāi)發(fā)45nm工藝以及更先進(jìn)的LSI的半導(dǎo)體廠商也紛紛開(kāi)始采用。為了滿足半導(dǎo)體廠

半導(dǎo)體
2014-06-09

硅晶圓邊緣檢測(cè) 半導(dǎo)體廠商 5NM
旨在推動(dòng)45nm工藝技術(shù)，法國(guó)CMP將為ST提供制造服務(wù)

【導(dǎo)讀】旨在推動(dòng)45nm工藝技術(shù)，法國(guó)CMP將為ST提供制造服務(wù) 從事多項(xiàng)目晶圓管理的聯(lián)合體—電路多項(xiàng)目(Circuits Multi Projets， CMP)公司(位于法國(guó)格勒諾布爾)—已經(jīng)從ST微電子公司引入了45nm CMOS工藝。通過(guò)

半導(dǎo)體
2014-06-09

ST CMOS工藝 BSP 5NM
DRAM市場(chǎng)全面獲利　第一季產(chǎn)值99.4億美元

全球市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange表示，DRAM產(chǎn)業(yè)進(jìn)入寡占結(jié)構(gòu)后，市場(chǎng)從去年開(kāi)始進(jìn)入全面獲利的狀況，2014年第一季DRAM產(chǎn)值再度攀升至99.4億美元，較上季成長(zhǎng)2%，逼近百億美元規(guī)模。三大

半導(dǎo)體
2014-05-14

DRAM BORDER STYLE 5NM
東芝開(kāi)始生產(chǎn)15nm工藝的MLC NAND閃存芯片

【導(dǎo)讀】半導(dǎo)體行業(yè)的閃存制造工藝進(jìn)步除了意味著用戶能夠獲得更好的存儲(chǔ)性能，同時(shí)也意味著SSD固態(tài)存儲(chǔ)設(shè)備價(jià)格的下降。過(guò)去幾年中SSD的降價(jià)幅度還是頗大的，目前最便宜的固態(tài)存儲(chǔ)驅(qū)動(dòng)器每GB的價(jià)格不到50美分，

半導(dǎo)體
2014-05-09

東芝閃存芯片 NAND閃存 5NM
東芝開(kāi)始生產(chǎn)15nm工藝的MLC NAND閃存芯片

半導(dǎo)體行業(yè)的閃存制造工藝進(jìn)步除了意味著用戶能夠獲得更好的存儲(chǔ)性能，同時(shí)也意味著SSD固態(tài)存儲(chǔ)設(shè)備價(jià)格的下降。過(guò)去幾年中SSD的降價(jià)幅度還是頗大的，目前最便宜的固態(tài)存儲(chǔ)

嵌入式動(dòng)態(tài)
2014-05-04

東芝閃存芯片 NAND閃存 5NM
閃迪東芝發(fā)布15nm閃存芯片，提速30%

半導(dǎo)體有多種類型，又有不同容量、速度和作用，但最廣泛使用最常見(jiàn)的是NAND閃存（Flash），因此針對(duì)此類芯片的任何一次進(jìn)步都有可能影響到各個(gè)行業(yè)。日前，SanDisk和東芝宣布，已經(jīng)完成了迄今為止全球最

智能硬件
2014-04-28

東芝閃存芯片 NAND閃存 5NM
領(lǐng)先全球 SanDisk和東芝公布15nm閃存芯片

半導(dǎo)體有多種類型，又有不同容量、速度和作用，但最廣泛使用最常見(jiàn)的是NAND閃存(Flash)，因此針對(duì)此類芯片的任何一次進(jìn)步都有可能影響到各個(gè)行業(yè)。威鋒網(wǎng) 4 月 24 日消息日前，SanDisk 和東芝宣布，已經(jīng)完成了迄今為

智能硬件
2014-04-25

東芝閃存芯片 SANDISK 5NM
東芝、閃迪齊頭并進(jìn)：15nm閃存來(lái)了！

東芝、閃迪今天同時(shí)宣布了世界上最先進(jìn)的15nm NAND閃存工藝，很快就都會(huì)投入量產(chǎn)。東芝會(huì)在4月底搶先開(kāi)始批量生產(chǎn)15nm工藝的閃存顆粒，地點(diǎn)在位于日本三重縣四日市業(yè)務(wù)部的Fab 5。這是東芝最先進(jìn)的閃存晶圓廠，目前擁

半導(dǎo)體
2014-04-23

東芝 GB FAB 5NM
長(zhǎng)安逸動(dòng)混動(dòng)版2月上市百公里油耗5.4L

[摘要] 據(jù)悉，長(zhǎng)安逸動(dòng)混動(dòng)版車型將在2月份上市，該車百公里油耗僅為5.4L，將是比亞迪秦之后又一款自主品牌的混動(dòng)力作。新年伊始，2月市場(chǎng)又將有一批新車要與消費(fèi)者見(jiàn)面，其中最引人注目的要數(shù)長(zhǎng)安轎車自

汽車電子
2014-02-19

比亞迪電動(dòng)機(jī) 大功率 5NM
20nm、16nm及以下的芯片工藝或成2017主流

【導(dǎo)讀】過(guò)去幾年，我們比較先進(jìn)的工藝還是保持在60nm、45nm，但是從2013年開(kāi)始，28nm、32nm成為主流的先進(jìn)工藝，特別是28nm，將每年保持高增長(zhǎng)的態(tài)勢(shì)。邱善勤預(yù)測(cè)：32nm、20nm是過(guò)渡型工藝，不是主流，到2017年20nm

半導(dǎo)體
2014-01-27

芯片晶圓 SIP 5NM
聯(lián)電55nm驅(qū)動(dòng)IC受熱捧

晶圓代工廠聯(lián)電今天宣布，55nm嵌入式高壓制程生產(chǎn)的小尺寸面板驅(qū)動(dòng)IC，累積出貨已逾1500萬(wàn)顆。聯(lián)電表示，客戶55nm小尺寸面板驅(qū)動(dòng)IC產(chǎn)品2012年底首次設(shè)計(jì)定案(tapeout)，短短1年累積出貨1500萬(wàn)顆，展現(xiàn)聯(lián)電在工程與制

消費(fèi)電子
2014-01-13

聯(lián)電嵌入式驅(qū)動(dòng)IC 5NM
聯(lián)電55nm驅(qū)動(dòng)IC出貨旺

晶圓代工廠聯(lián)電今天宣布，55nm嵌入式高壓制程生產(chǎn)的小尺寸面板驅(qū)動(dòng)IC，累積出貨已逾1500萬(wàn)顆。聯(lián)電表示，客戶55nm小尺寸面板驅(qū)動(dòng)IC產(chǎn)品2012年底首次設(shè)計(jì)定案(tapeout)，短短1年累積出貨1500萬(wàn)顆，展現(xiàn)聯(lián)電在工程與制

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2014-01-10

聯(lián)電嵌入式驅(qū)動(dòng)IC 5NM
長(zhǎng)安逸動(dòng)混動(dòng)版2月上市綜合油耗5.4L

[摘要] 長(zhǎng)安逸動(dòng)混動(dòng)版車型將于今年2月份上市，這款車型的百公里油耗為5.4L。日前，記者從長(zhǎng)安汽車處得到消息，長(zhǎng)安逸動(dòng)混動(dòng)版車型將會(huì)在2月份上市，這款車型百公里油耗為5.4L。據(jù)悉，該車在外觀上與2014

汽車電子
2014-01-08

電動(dòng)機(jī) 大功率 PS 5NM
博通：28nm工藝之后成本無(wú)法獲益 5nm將達(dá)現(xiàn)有工藝極限

三十多年來(lái)，半導(dǎo)體工業(yè)繞來(lái)繞去都繞不開(kāi)“摩爾定律”，但是隨著工藝的提升，業(yè)內(nèi)專家表示摩爾定律快要失效了。博通公司CTOHenrySamueli此前就表示過(guò)15年后摩爾定律就不管用了，日前他在IEDM國(guó)際電子元件會(huì)議上同樣做

半導(dǎo)體
2013-12-26

博通半導(dǎo)體工藝 DM 5NM
15年后摩爾定律將失效 5nm工藝將是極限

三十多年來(lái)，半導(dǎo)體工業(yè)繞來(lái)繞去都繞不開(kāi)“摩爾定律”，但是隨著工藝的提升，業(yè)內(nèi)專家表示摩爾定律快要失效了。博通公司CTO Henry Samueli此前就表示過(guò)15年后摩爾定律就不管用了，日前他在IEDM國(guó)際電子元件會(huì)議上同樣

消費(fèi)電子
2013-12-23

摩爾定律半導(dǎo)體工藝 DM 5NM
博通：28nm工藝之后成本無(wú)法獲益 5nm將達(dá)現(xiàn)有工藝極限

三十多年來(lái)，半導(dǎo)體工業(yè)繞來(lái)繞去都繞不開(kāi)“摩爾定律”，但是隨著工藝的提升，業(yè)內(nèi)專家表示摩爾定律快要失效了。博通公司CTOHenrySamueli此前就表示過(guò)15年后摩爾定律就不管用了，日前他在IEDM國(guó)際電子元件會(huì)議上同樣做

模擬
2013-12-20

博通半導(dǎo)體工藝 DM 5NM
武漢新芯發(fā)力3D NOR 欲領(lǐng)銜中國(guó)存儲(chǔ)半導(dǎo)體業(yè)

12月12日，工業(yè)和信息化部軟件與集成電路促進(jìn)中心(CSIP)在江蘇南京舉辦以“推動(dòng)整機(jī)與芯片聯(lián)動(dòng)，打造集成電路大產(chǎn)業(yè)鏈”為主題的“2013中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)促進(jìn)大會(huì)暨第八屆‘中國(guó)芯’頒獎(jiǎng)典禮”。會(huì)議期間，受邀采訪到

消費(fèi)電子
2013-12-20

半導(dǎo)體芯片 5NM
武漢新芯：成就國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器領(lǐng)路人

12月12日，工業(yè)和信息化部軟件與集成電路促進(jìn)中心(CSIP)在江蘇南京舉辦以“推動(dòng)整機(jī)與芯片聯(lián)動(dòng)，打造集成電路大產(chǎn)業(yè)鏈”為主題的“2013中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)促進(jìn)大會(huì)暨第八屆‘中國(guó)芯’頒獎(jiǎng)典禮”，慧聰電子網(wǎng)記者受邀參

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2013-12-18

半導(dǎo)體芯片半導(dǎo)體存儲(chǔ)器 5NM
武漢新芯：成就國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器領(lǐng)路人

12月12日，工業(yè)和信息化部軟件與集成電路促進(jìn)中心(CSIP)在江蘇南京舉辦以“推動(dòng)整機(jī)與芯片聯(lián)動(dòng)，打造集成電路大產(chǎn)業(yè)鏈”為主題的“2013中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)促進(jìn)大會(huì)暨第八屆‘中國(guó)芯’頒獎(jiǎng)典禮”，慧聰電子網(wǎng)記者受邀參

模擬
2013-12-18

半導(dǎo)體芯片半導(dǎo)體存儲(chǔ)器 5NM
旺宏75nm NOR閃存芯片通過(guò)三星驗(yàn)證

元器件交易網(wǎng)訊 10月31日消息，據(jù)報(bào)道，臺(tái)灣旺宏電子（Macronix）的75nm 16MB 1.8V NOR閃存芯片通過(guò)三星電子驗(yàn)證，2014年開(kāi)始出貨量將增加。根據(jù)市場(chǎng)觀察家表示，三星一直是華邦電子（Winbond）主要的NOR閃存客戶。此

半導(dǎo)體
2013-10-31

三星閃存芯片 NOR閃存 5NM

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5NM

硅晶圓邊緣檢測(cè)裝置 45nm之后半導(dǎo)體廠商也將正式采用

旨在推動(dòng)45nm工藝技術(shù)，法國(guó)CMP將為ST提供制造服務(wù)

DRAM市場(chǎng)全面獲利　第一季產(chǎn)值99.4億美元

東芝開(kāi)始生產(chǎn)15nm工藝的MLC NAND閃存芯片

東芝開(kāi)始生產(chǎn)15nm工藝的MLC NAND閃存芯片

閃迪東芝發(fā)布15nm閃存芯片，提速30%

領(lǐng)先全球 SanDisk和東芝公布15nm閃存芯片

東芝、閃迪齊頭并進(jìn)：15nm閃存來(lái)了！

長(zhǎng)安逸動(dòng)混動(dòng)版2月上市百公里油耗5.4L

20nm、16nm及以下的芯片工藝或成2017主流

聯(lián)電55nm驅(qū)動(dòng)IC受熱捧

聯(lián)電55nm驅(qū)動(dòng)IC出貨旺

長(zhǎng)安逸動(dòng)混動(dòng)版2月上市綜合油耗5.4L

博通：28nm工藝之后成本無(wú)法獲益 5nm將達(dá)現(xiàn)有工藝極限

15年后摩爾定律將失效 5nm工藝將是極限

博通：28nm工藝之后成本無(wú)法獲益 5nm將達(dá)現(xiàn)有工藝極限

武漢新芯發(fā)力3D NOR 欲領(lǐng)銜中國(guó)存儲(chǔ)半導(dǎo)體業(yè)

武漢新芯：成就國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器領(lǐng)路人

武漢新芯：成就國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器領(lǐng)路人

旺宏75nm NOR閃存芯片通過(guò)三星驗(yàn)證

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