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Intel3年后上10nm 7年后5nm上位
在本屆IDF2012秋季大會(huì)上，Intel高管Mark Bohr公布Intel明年將會(huì)上 14nm，2015年以后，Intel將會(huì)陸續(xù)引入10nm、7nm和5nm工藝。Intel 首先將會(huì)在2014年引入14nm工藝——P1272。P1272之前被傳言稱為16nm，但事實(shí)證明P1
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Intel3年后上10nm 7年后5nm上位
在本屆IDF2012秋季大會(huì)上，Intel高管Mark Bohr公布Intel明年將會(huì)上 14nm，2015年以后，Intel將會(huì)陸續(xù)引入10nm、7nm和5nm工藝。Intel 首先將會(huì)在2014年引入14nm工藝——P1272。P1272之前被傳言稱為16nm，但事實(shí)證明P1
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Intel有望2013年引入14nm工藝 5nm工藝七年后駕到
在本屆IDF上，Intel高管MarkBohr對(duì)他們的14nm工藝進(jìn)程進(jìn)行了介紹，并闡述了公司近年來工作制程的發(fā)展。據(jù)悉，Intel有望在2013年晚些時(shí)候引入14nm工藝——P1272，以滿足下一代Broadwell大批量生產(chǎn)。事實(shí)上，
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Intel最早3年后上10nm 7年后5nm上位
Intel最早3年后上10nm 7年后5nm上位
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Intel最早3年后上10nm 7年后5nm上位
在本屆IDF2012秋季大會(huì)上，Intel高管Mark Bohr向與會(huì)的記著和專家們重點(diǎn)闡述了Intel在過去幾年以及未來幾年在制成工藝上的總結(jié)和展望。從公布的PPT來看，Intel明年將會(huì)上 14nm，2015年以后，Intel將會(huì)陸續(xù)引入10nm、
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單色光LED的種類、發(fā)展歷史及應(yīng)用
1、單色光LED的種類以及單色光LED的發(fā)展歷史本文主要針對(duì)單色光LED的種類、發(fā)展歷史及應(yīng)用進(jìn)行簡要介紹。單色光LED最早應(yīng)用半導(dǎo)體P-N結(jié)發(fā)光原理制成的LED光源問世于20世紀(jì)60年代初。當(dāng)時(shí)所用的材料是GaAsP，發(fā)紅光(&
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單色光LED的種類、發(fā)展歷史及應(yīng)用
1、單色光LED的種類以及單色光LED的發(fā)展歷史本文主要針對(duì)單色光LED的種類、發(fā)展歷史及應(yīng)用進(jìn)行簡要介紹。單色光LED最早應(yīng)用半導(dǎo)體P-N結(jié)發(fā)光原理制成的LED光源問世于20世紀(jì)60年代初。當(dāng)時(shí)所用的材料是GaAsP，發(fā)紅光(&
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富士通半導(dǎo)體交付55nm創(chuàng)新方案
解本土IC設(shè)計(jì)之“渴”近來中國IC市場的最重磅新聞要屬大小“M”——臺(tái)灣聯(lián)發(fā)科(MTK)和晨星半導(dǎo)體(MStar)宣布合并。“M兄弟”的聯(lián)手對(duì)已跨入“1億美元俱樂部”的少
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富士通半導(dǎo)體交付55nm創(chuàng)新方案
富士通半導(dǎo)體交付55nm創(chuàng)新方案 解本土IC設(shè)計(jì)之“渴” 近來中國IC市場的最重磅新聞要屬大小“M”——臺(tái)灣聯(lián)發(fā)科(MTK)和晨星半導(dǎo)體(MStar)宣布合并。“M兄弟”的聯(lián)手對(duì)已跨入“1億美元俱樂部”的少數(shù)剛崛起的大陸
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富士通半導(dǎo)體交付55nm創(chuàng)新方案，解本土IC設(shè)計(jì)之“渴”
近來中國IC市場的最重磅新聞要屬大小“M”——臺(tái)灣聯(lián)發(fā)科(MTK)和晨星半導(dǎo)體（MStar）宣布合并。“M兄弟”的聯(lián)手對(duì)已跨入“1億美元俱樂部”的少數(shù)剛崛起的大陸本土IC設(shè)計(jì)公司
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如何提高G652D光纖宏彎損耗測試效率
光纖宏彎損耗測試，在國家標(biāo)準(zhǔn)GB/T9771.3-2008中描述為：光纖以30mm半徑松繞100圈，在1625nm測得的宏彎損耗應(yīng)不超過0.1dB。而注2中描述：為了保證彎曲損耗易于測量和測量準(zhǔn)確度，可用1圈或幾圈小半徑環(huán)光纖代替100圈
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英特爾開始7nm和5nm制程工藝研究
英特爾制程工藝路線圖。北京時(shí)間5月17日消息，英特爾(微博)CEO保羅·歐德寧(Paul Otellini)表示，英特爾已開始對(duì)7納米和5納米制程技術(shù)的研究。此外，英特爾目前計(jì)劃在美國俄勒岡、亞利桑那和愛爾蘭的工廠中部
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Intel已開始研發(fā)7nm及5nm工藝
IntelCEOPaulOtellini近日對(duì)投資者透露，半導(dǎo)體巨頭已經(jīng)開始了7nm、5nm工藝的研發(fā)工作，這也是Intel第一次官方披露后10nm時(shí)代的遠(yuǎn)景規(guī)劃。他說：“我們的研究和開發(fā)是相當(dāng)深遠(yuǎn)的，我是說(未來)十年?！卑凑章肪€圖，2
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Intel已開始研發(fā)7nm、5nm制程
Intel CEO Paul Otellini近日對(duì)投資者透露，半導(dǎo)體巨頭已經(jīng)開始了7nm、5nm工藝的研發(fā)工作，這也是Intel第一次官方披露后10nm時(shí)代的遠(yuǎn)景規(guī)劃。他說：“我們的研究和開發(fā)是相當(dāng)深遠(yuǎn)的，我是說(未來)十年。”按照路線圖
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Intel已開始研發(fā)7nm、5nm工藝
Intel CEO Paul Otellini近日對(duì)投資者透露，半導(dǎo)體巨頭已經(jīng)開始了7nm、5nm工藝的研發(fā)工作，這也是Intel第一次官方披露后10nm時(shí)代的遠(yuǎn)景規(guī)劃。他說：“我們的研究和開發(fā)是相當(dāng)深遠(yuǎn)的，我是說(未來)十年。”
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Intel已開始研發(fā)7nm及5nm工藝
Intel CEO Paul Otellini近日對(duì)投資者透露，半導(dǎo)體巨頭已經(jīng)開始了7nm、5nm工藝的研發(fā)工作，這也是Intel第一次官方披露后10nm時(shí)代的遠(yuǎn)景規(guī)劃。他說：“我們的研究和開發(fā)是相當(dāng)深遠(yuǎn)的，我是說(未來)十年。”
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Intel已開始研發(fā)7nm、5nm工藝
Intel已開始研發(fā)7nm、5nm工藝
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中芯國際：2013年中28nm工藝基本完成
問：貴公司的工藝計(jì)劃是什么？ 答：在先進(jìn)制程方面，中芯也有人也在自問：我們是不是不再搞先進(jìn)工藝？這是不對(duì)的。先進(jìn)工藝我們還要搞，28nm正在做，準(zhǔn)備在2013年第二季度末、第三季度初就把28nm工藝基本完成。然后
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臺(tái)積電：10年內(nèi)微縮至5nm沒問題
摩爾定律(Moore"sLaw)極限浮現(xiàn)與18吋晶圓世代來臨，將是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)兩項(xiàng)大革命，全球半導(dǎo)體廠都在思索未來趨勢，臺(tái)積電技術(shù)長孫元成20日指出，摩爾定律未必走不下去，只要與3DIC技術(shù)相輔相成，朝省電、體積小等特性鉆
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光纖宏彎損耗測試方法介紹
光纖宏彎損耗測試，在國家標(biāo)準(zhǔn)GB/T9771.3-2008中描述為：光纖以30mm半徑松繞100圈，在1625nm測得的宏彎損耗應(yīng)不超過0.1dB?！ 《?中描述：為了保證彎曲損耗易于測量和測量準(zhǔn)確度，可用1圈或幾圈小半徑環(huán)光纖代替
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