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Intel3年后上10nm 7年后5nm上位
在本屆IDF2012秋季大會(huì)上，Intel高管Mark Bohr公布Intel明年將會(huì)上 14nm，2015年以后，Intel將會(huì)陸續(xù)引入10nm、7nm和5nm工藝。Intel 首先將會(huì)在2014年引入14nm工藝——P1272。P1272之前被傳言稱(chēng)為16nm，但事實(shí)證明P1
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Intel3年后上10nm 7年后5nm上位
在本屆IDF2012秋季大會(huì)上，Intel高管Mark Bohr公布Intel明年將會(huì)上 14nm，2015年以后，Intel將會(huì)陸續(xù)引入10nm、7nm和5nm工藝。Intel 首先將會(huì)在2014年引入14nm工藝——P1272。P1272之前被傳言稱(chēng)為16nm，但事實(shí)證明P1
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Intel有望2013年引入14nm工藝 5nm工藝七年后駕到
在本屆IDF上，Intel高管MarkBohr對(duì)他們的14nm工藝進(jìn)程進(jìn)行了介紹，并闡述了公司近年來(lái)工作制程的發(fā)展。據(jù)悉，Intel有望在2013年晚些時(shí)候引入14nm工藝——P1272，以滿(mǎn)足下一代Broadwell大批量生產(chǎn)。事實(shí)上，
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Intel最早3年后上10nm 7年后5nm上位
Intel最早3年后上10nm 7年后5nm上位
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Intel最早3年后上10nm 7年后5nm上位
在本屆IDF2012秋季大會(huì)上，Intel高管Mark Bohr向與會(huì)的記著和專(zhuān)家們重點(diǎn)闡述了Intel在過(guò)去幾年以及未來(lái)幾年在制成工藝上的總結(jié)和展望。從公布的PPT來(lái)看，Intel明年將會(huì)上 14nm，2015年以后，Intel將會(huì)陸續(xù)引入10nm、
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單色光LED的種類(lèi)、發(fā)展歷史及應(yīng)用
1、單色光LED的種類(lèi)以及單色光LED的發(fā)展歷史本文主要針對(duì)單色光LED的種類(lèi)、發(fā)展歷史及應(yīng)用進(jìn)行簡(jiǎn)要介紹。單色光LED最早應(yīng)用半導(dǎo)體P-N結(jié)發(fā)光原理制成的LED光源問(wèn)世于20世紀(jì)60年代初。當(dāng)時(shí)所用的材料是GaAsP，發(fā)紅光(&
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單色光LED的種類(lèi)、發(fā)展歷史及應(yīng)用
1、單色光LED的種類(lèi)以及單色光LED的發(fā)展歷史本文主要針對(duì)單色光LED的種類(lèi)、發(fā)展歷史及應(yīng)用進(jìn)行簡(jiǎn)要介紹。單色光LED最早應(yīng)用半導(dǎo)體P-N結(jié)發(fā)光原理制成的LED光源問(wèn)世于20世紀(jì)60年代初。當(dāng)時(shí)所用的材料是GaAsP，發(fā)紅光(&
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富士通半導(dǎo)體交付55nm創(chuàng)新方案
解本土IC設(shè)計(jì)之“渴”近來(lái)中國(guó)IC市場(chǎng)的最重磅新聞要屬大小“M”——臺(tái)灣聯(lián)發(fā)科(MTK)和晨星半導(dǎo)體(MStar)宣布合并。“M兄弟”的聯(lián)手對(duì)已跨入“1億美元俱樂(lè)部”的少
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富士通半導(dǎo)體交付55nm創(chuàng)新方案
富士通半導(dǎo)體交付55nm創(chuàng)新方案 解本土IC設(shè)計(jì)之“渴” 近來(lái)中國(guó)IC市場(chǎng)的最重磅新聞要屬大小“M”——臺(tái)灣聯(lián)發(fā)科(MTK)和晨星半導(dǎo)體(MStar)宣布合并?！癕兄弟”的聯(lián)手對(duì)已跨入“1億美元俱樂(lè)部”的少數(shù)剛崛起的大陸
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富士通半導(dǎo)體交付55nm創(chuàng)新方案，解本土IC設(shè)計(jì)之“渴”
近來(lái)中國(guó)IC市場(chǎng)的最重磅新聞要屬大小“M”——臺(tái)灣聯(lián)發(fā)科(MTK)和晨星半導(dǎo)體（MStar）宣布合并。“M兄弟”的聯(lián)手對(duì)已跨入“1億美元俱樂(lè)部”的少數(shù)剛崛起的大陸本土IC設(shè)計(jì)公司
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如何提高G652D光纖宏彎損耗測(cè)試效率
光纖宏彎損耗測(cè)試，在國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)GB/T9771.3-2008中描述為：光纖以30mm半徑松繞100圈，在1625nm測(cè)得的宏彎損耗應(yīng)不超過(guò)0.1dB。而注2中描述：為了保證彎曲損耗易于測(cè)量和測(cè)量準(zhǔn)確度，可用1圈或幾圈小半徑環(huán)光纖代替100圈
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英特爾開(kāi)始7nm和5nm制程工藝研究
英特爾制程工藝路線圖。北京時(shí)間5月17日消息，英特爾(微博)CEO保羅·歐德寧(Paul Otellini)表示，英特爾已開(kāi)始對(duì)7納米和5納米制程技術(shù)的研究。此外，英特爾目前計(jì)劃在美國(guó)俄勒岡、亞利桑那和愛(ài)爾蘭的工廠中部
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Intel已開(kāi)始研發(fā)7nm及5nm工藝
IntelCEOPaulOtellini近日對(duì)投資者透露，半導(dǎo)體巨頭已經(jīng)開(kāi)始了7nm、5nm工藝的研發(fā)工作，這也是Intel第一次官方披露后10nm時(shí)代的遠(yuǎn)景規(guī)劃。他說(shuō)：“我們的研究和開(kāi)發(fā)是相當(dāng)深遠(yuǎn)的，我是說(shuō)(未來(lái))十年?！卑凑章肪€圖，2
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Intel已開(kāi)始研發(fā)7nm、5nm制程
Intel CEO Paul Otellini近日對(duì)投資者透露，半導(dǎo)體巨頭已經(jīng)開(kāi)始了7nm、5nm工藝的研發(fā)工作，這也是Intel第一次官方披露后10nm時(shí)代的遠(yuǎn)景規(guī)劃。他說(shuō)：“我們的研究和開(kāi)發(fā)是相當(dāng)深遠(yuǎn)的，我是說(shuō)(未來(lái))十年。”按照路線圖
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Intel已開(kāi)始研發(fā)7nm、5nm工藝
Intel CEO Paul Otellini近日對(duì)投資者透露，半導(dǎo)體巨頭已經(jīng)開(kāi)始了7nm、5nm工藝的研發(fā)工作，這也是Intel第一次官方披露后10nm時(shí)代的遠(yuǎn)景規(guī)劃。他說(shuō)：“我們的研究和開(kāi)發(fā)是相當(dāng)深遠(yuǎn)的，我是說(shuō)(未來(lái))十年。”
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Intel已開(kāi)始研發(fā)7nm及5nm工藝
Intel CEO Paul Otellini近日對(duì)投資者透露，半導(dǎo)體巨頭已經(jīng)開(kāi)始了7nm、5nm工藝的研發(fā)工作，這也是Intel第一次官方披露后10nm時(shí)代的遠(yuǎn)景規(guī)劃。他說(shuō)：“我們的研究和開(kāi)發(fā)是相當(dāng)深遠(yuǎn)的，我是說(shuō)(未來(lái))十年。”
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Intel已開(kāi)始研發(fā)7nm、5nm工藝
Intel已開(kāi)始研發(fā)7nm、5nm工藝
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中芯國(guó)際：2013年中28nm工藝基本完成
問(wèn)：貴公司的工藝計(jì)劃是什么？ 答：在先進(jìn)制程方面，中芯也有人也在自問(wèn)：我們是不是不再搞先進(jìn)工藝？這是不對(duì)的。先進(jìn)工藝我們還要搞，28nm正在做，準(zhǔn)備在2013年第二季度末、第三季度初就把28nm工藝基本完成。然后
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臺(tái)積電：10年內(nèi)微縮至5nm沒(méi)問(wèn)題
摩爾定律(Moore"sLaw)極限浮現(xiàn)與18吋晶圓世代來(lái)臨，將是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)兩項(xiàng)大革命，全球半導(dǎo)體廠都在思索未來(lái)趨勢(shì)，臺(tái)積電技術(shù)長(zhǎng)孫元成20日指出，摩爾定律未必走不下去，只要與3DIC技術(shù)相輔相成，朝省電、體積小等特性鉆
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光纖宏彎損耗測(cè)試方法介紹
光纖宏彎損耗測(cè)試，在國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)GB/T9771.3-2008中描述為：光纖以30mm半徑松繞100圈，在1625nm測(cè)得的宏彎損耗應(yīng)不超過(guò)0.1dB。 而注2中描述：為了保證彎曲損耗易于測(cè)量和測(cè)量準(zhǔn)確度，可用1圈或幾圈小半徑環(huán)光纖代替
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