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聯(lián)電、爾必達(dá)、力成揮軍銅制程3D芯片

聯(lián)電（2303）、爾必達(dá)（Elpida）、力成（6239）等3家半導(dǎo)體大廠今（21）日將宣布策略合作，據(jù)了解，3家業(yè)者將針對銅制程直通硅晶穿孔（Cu-TSV）3D芯片新技術(shù)進(jìn)行合作開發(fā)，除了針對3D堆棧銅制程之高容量DRAM技術(shù)合作

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2010-06-21

聯(lián)電爾必達(dá) 3D芯片 DRAM
海力士中國大陸第2座存儲器封測工廠落成

韓聯(lián)社(Yonhap)報導(dǎo)，海力士(Hynix Semiconductor)在中國大陸的第2座存儲器封測工廠已落成。這座廠房名為Hitech半導(dǎo)體封裝測試公司，位于江蘇無錫，是與無錫太極實業(yè)合資的企業(yè)，由海力士持有45%股權(quán)，太極實業(yè)擁有剩

智能硬件
2010-06-18

存儲器海力士 NI DRAM
南亞科、瑞晶40納米6月導(dǎo)入全面反制三星大擴(kuò)產(chǎn)計畫

繼三星電子(SamsungElectronics)宣布大手筆資本支出，臺系DRAM廠亦不甘示弱，臺塑集團(tuán)旗下南亞科和爾必達(dá)(Elpida)集團(tuán)旗下瑞晶都決定提前于6月導(dǎo)入42及45納米制程，較原訂計畫提前整整1季。南亞科發(fā)言人白培霖表示，

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2010-06-17

三星美光 40納米 DRAM
南亞科、瑞晶40納米6月導(dǎo)入　全面反制三星大擴(kuò)產(chǎn)計畫

繼三星電子(Samsung Electronics)宣布大手筆資本支出，臺系DRAM廠亦不甘示弱，臺塑集團(tuán)旗下南亞科和爾必達(dá)(Elpida)集團(tuán)旗下瑞晶都決定提前于6月導(dǎo)入 42及45納米制程，較原訂計畫提前整整1季。南亞科發(fā)言人白培霖表示

電子設(shè)計自動化
2010-06-17

三星美光 40納米 DRAM
2010年即將過半，分析師電子產(chǎn)業(yè)的十大看點(diǎn)

到目前為止，各種跡象都顯示今年電子產(chǎn)業(yè)發(fā)展前景樂觀，而且成長幅度會很大；但總是還有一些令人憂慮的地方……以下是EETimes美國版資深編輯MarkLaPedus對2010年“一則以喜、一則以憂”的十個看點(diǎn)。1.IC市場火熱……

半導(dǎo)體
2010-06-17

電子產(chǎn)業(yè) NAND GARTNER DRAM
世界先進(jìn)產(chǎn)品線

世界先進(jìn)首季營收比重中，邏輯產(chǎn)品占營收比重89%，DRAM11%。在邏輯產(chǎn)品線中，由于電視、PC及手機(jī)等帶動需求，大尺寸驅(qū)動IC營收季增49%，占邏輯產(chǎn)品50%，小尺寸占邏輯產(chǎn)品線比重16%，營收也比上季增加47%。此外，電源

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2010-06-15

微米驅(qū)動IC DRAM
移動DDR2 DRAM將把DRAM擴(kuò)展到手機(jī)以外領(lǐng)域

據(jù)iSuppli公司，雙倍數(shù)據(jù)率(DDR2)DRAM將迅速占領(lǐng)手機(jī)市場，這種新一代DRAM預(yù)計將取代傳統(tǒng)DDR，在2011年以前成為主流移動DRAM技術(shù)。在2010年總體移動DRAM出貨量中，預(yù)計約有80%是DDR。但是，隨著DDR2在2011年下半年成

智能硬件
2010-06-10

移動 DDR DRAM
爾必達(dá)中國大陸設(shè)廠將引發(fā)新一輪DRAM戰(zhàn)火

繼三星電子(SamsungElectronics)宣布巨額資本支出計畫后，爾必達(dá)(Elpida)社長坂本幸雄亦表示，最快將在2012年前與臺系DRAM廠到大陸設(shè)新廠房，并將邀請大陸政府官方入股。業(yè)界推測爾必達(dá)落腳之處有兩個選項，其一是茂

消費(fèi)電子
2010-06-10

存儲器晶圓廠爾必達(dá) DRAM
三星砸錢瞄準(zhǔn)東芝臺DRAM廠喘口氣

三星電子 (SamsungElectronics)宣布投下巨額資本支出計劃，在全球DRAM產(chǎn)業(yè)掀起滔天巨浪，尤其臺系DRAM廠憂心忡忡，擔(dān)心還沒打仗就先輸了一半，不過，近期存儲器業(yè)者在深入探詢?nèi)遣季趾蟊硎荆沁@場充滿殺敵言論的

智能硬件
2010-06-10

三星東芝 NANDFLASH DRAM
爾必達(dá)中國大陸設(shè)廠將引發(fā)新一輪DRAM戰(zhàn)火

繼三星電子(Samsung Electronics)宣布巨額資本支出計畫后，爾必達(dá)(Elpida)社長坂本幸雄亦表示，最快將在2012年前與臺系DRAM廠到大陸設(shè)新廠房，并將邀請大陸政府官方入股。業(yè)界推測爾必達(dá)落腳之處有兩個選項，其一是茂

智能硬件
2010-06-09

存儲器晶圓廠爾必達(dá) DRAM
照明市場大 LED不會是下個DRAM

關(guān)于市場上傳出led產(chǎn)業(yè)可能會成為下一個DRAM的看法，LED磊晶龍頭廠晶電(2448)董事長李秉杰8日表示，LED照明市場的規(guī)模比背光市場大很多，而LED照明市場估計要到2016~2017年才會飽和，因此，按目前照明市場仍有相當(dāng)大

顯示光電
2010-06-09

LED 照明市場 TV DRAM
三星砸錢瞄準(zhǔn)東芝臺DRAM廠喘口氣

三星電子 (SamsungElectronics)宣布投下巨額資本支出計劃，在全球DRAM產(chǎn)業(yè)掀起滔天巨浪，尤其臺系DRAM廠憂心忡忡，擔(dān)心還沒打仗就先輸了一半，不過，近期存儲器業(yè)者在深入探詢?nèi)遣季趾蟊硎?，三星這場充滿殺敵言論的

電源-LED驅(qū)動
2010-06-07

三星東芝 NANDFLASH DRAM
跨足邏輯IC封測傳捷報力成接聯(lián)發(fā)科單

《經(jīng)濟(jì)日報》報導(dǎo)，力成 (6239-TW) 跨足邏輯 IC 封測傳出好消息，力成接獲手機(jī)芯片大廠聯(lián)發(fā)科 (2454-TW) 委外測試訂單，7 月將會開始導(dǎo)入。力成董事長蔡篤恭先前就曾經(jīng)透露，力成 7 月邏輯 IC 業(yè)務(wù)將會接獲大客戶

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2010-06-07

聯(lián)發(fā)科內(nèi)存 IC DRAM
日月鴻科技股份有限公司

日月鴻科技成立于2006年6月，為日月光半導(dǎo)體和力晶半導(dǎo)體合資成立的IC 封裝與測試服務(wù)廠，股東包括日月光半導(dǎo)體(2311)，持股約56%，以及力晶半導(dǎo)體，持股約20%，以及力晶集團(tuán)轉(zhuǎn)投資公司力信投資和瑞旺投資，持股分別

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2010-06-07

芯片內(nèi)存 DDR DRAM
設(shè)備機(jī)臺交期遞延　封測廠5月營收僅小漲小跌

內(nèi)存封測廠5月營收大多出爐，目前廠商處于滿載狀態(tài)，然而設(shè)備機(jī)臺交期遞延，不足以支應(yīng)訂單所需，故5月營收與上月相去不遠(yuǎn)。華東以新臺幣6.16億元續(xù)攀新高，改寫2年半來的高點(diǎn)紀(jì)錄。泰林5月營收亦較4月小幅升高，惟

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2010-06-04

內(nèi)存封裝編碼器 DRAM
世界級300mm 晶圓研發(fā)制造中心公開出售

高力國際 (Colliers International) 旗下部門 ATREG 已被聘為 Qimonda 德國德累斯頓先進(jìn) 300mm 生產(chǎn)園的出售顧問。該高度開放的生產(chǎn)園位于撒克遜州，擁有一個一流的 300mm 半導(dǎo)體晶圓制造廠，包括281種先進(jìn)的前端半導(dǎo)

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2010-06-04

研發(fā)中心晶圓晶圓制造 DRAM
三星：將額外興建8代面板

三星電子(Samsung Electronics Co., Ltd)17日發(fā)布新聞稿宣布，該公司計畫的2010年18兆韓圈(159.3億美元)的設(shè)備資本支出當(dāng)中，11兆韓圈將投資在半導(dǎo)體，5兆韓圈將投資在液晶面板上面，其他則將應(yīng)用于手機(jī)與電視事業(yè)。

顯示光電
2010-06-02

三星液晶面板 AMOLED DRAM
福懋科切入LED封裝代工

福懋科技（8131）表示，為趕搭LED在TV背光源應(yīng)用的高速成長列車，將切入LED前制程晶粒及封裝代工業(yè)務(wù)，達(dá)到產(chǎn)品多元化及多層次目標(biāo)。據(jù)法人表示，福懋科在已打入晶電（2448）供應(yīng)鏈，可推升營運(yùn)成長。福懋表

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2010-06-01

LED 封裝 LED封裝 DRAM
半導(dǎo)體：需求旺季即將到來

主要電子指數(shù)在4月末5月初出現(xiàn)回調(diào)：費(fèi)城半導(dǎo)體指數(shù)在連續(xù)跑贏道瓊斯指數(shù)后，回調(diào)幅度大于道瓊斯指數(shù)；臺灣半導(dǎo)體指數(shù)先抑后揚(yáng)，表現(xiàn)強(qiáng)于臺灣加權(quán)指數(shù)；大陸CSRC電子行業(yè)指數(shù)4月份表現(xiàn)優(yōu)于滬深300指數(shù)，但5月初回調(diào)幅

半導(dǎo)體
2010-05-30

半導(dǎo)體半導(dǎo)體廠商 CSR DRAM
擴(kuò)大生產(chǎn)規(guī)模三星變更半導(dǎo)體產(chǎn)線設(shè)置

為了擴(kuò)大生產(chǎn)規(guī)模，三星電子(SamsungElectronics)變更半導(dǎo)體制作產(chǎn)線的營運(yùn)方式，將原本一座工廠內(nèi)設(shè)置兩條產(chǎn)線的方式，變更為整座工廠只有一條產(chǎn)線的營運(yùn)體系。據(jù)南韓MTNews報導(dǎo)，三星23日動工的京畿道華城半導(dǎo)體新

半導(dǎo)體
2010-05-30

半導(dǎo)體三星 NANDFLASH DRAM

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聯(lián)電、爾必達(dá)、力成揮軍銅制程3D芯片

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南亞科、瑞晶40納米6月導(dǎo)入　全面反制三星大擴(kuò)產(chǎn)計畫

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