內(nèi)存產(chǎn)出持續(xù)增加,有利于后段封測(cè)廠的接單,封測(cè)廠不僅陸續(xù)調(diào)高資本支出,也普遍看好下半年的營(yíng)運(yùn)。其中力成科技下半 年訂單能見度十分明朗,營(yíng)運(yùn)可望呈現(xiàn)逐季走揚(yáng)勢(shì)。該公司封裝及測(cè)試產(chǎn)能利用率都將維持在95%的滿
摩根士丹利證券半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)分析師王安亞今天發(fā)布封測(cè)產(chǎn)業(yè)報(bào)告指出,銅制程不利封裝業(yè)者中長(zhǎng)期營(yíng)收的成長(zhǎng),明后年將看到年增率放緩至個(gè)位數(shù);相對(duì)于IC邏輯封裝,從事內(nèi)存封裝的力成(6239-TW)較有成長(zhǎng)空間,為封裝類股
臺(tái)灣創(chuàng)新記憶體公司TIMC,在整合DRAM受挫后,各界一度以為(宣明智)白忙一場(chǎng),不過(guò)經(jīng)濟(jì)部通過(guò)TIMC與茂德、翔淮先進(jìn)光罩及晶豪科等公司合作,共同投入雙子星技術(shù)開發(fā),讓TIMC敗部復(fù)活,TIMC表示,目前儲(chǔ)存型快閃記憶體
本文采用以ST7920為控制器的YMl2864R構(gòu)成了自動(dòng)監(jiān)控型獨(dú)立通氣籠盒(Individually Ventilated Cages,IVC)系統(tǒng)的人機(jī)界面顯示部分;給出了點(diǎn)陣液晶顯示模塊與單片機(jī)之間的硬件接口設(shè)計(jì);介紹了液晶模塊文本顯示和繪圖顯示的基本特性及實(shí)現(xiàn),并重點(diǎn)介紹了任意字符反白和任意位置任意大小圖形顯示的方法。
由于芯片廠商提高產(chǎn)量和PC廠商堅(jiān)持反對(duì)價(jià)格進(jìn)一步上漲的強(qiáng)硬立場(chǎng),DRAM內(nèi)存價(jià)格在今年 6月出現(xiàn)了一年以來(lái)的首次下降?! ?nèi)存芯片價(jià)格下降對(duì) 于每個(gè)購(gòu)買新PC的用戶來(lái)說(shuō)都很重要,因?yàn)榘嘿F的DRAM內(nèi)存芯片價(jià)格是PC價(jià)格
爾必達(dá)內(nèi)存發(fā)布了首款自行開發(fā)制造的圖形DRAM——2Gbit GDDR(graphic double data rate)5型DRAM。除了游戲機(jī)及個(gè)人電腦的圖形處理用途之外,還面向科學(xué)計(jì)算、物理模擬及數(shù)字圖像處理等的GPU(圖形處理器)用途。將
花旗環(huán)球證券亞太區(qū)半導(dǎo)體首席分析師陸行之昨(4)日一口氣調(diào)升友達(dá)(2409)、奇美電(3009)、達(dá)虹(8056)、聯(lián)詠(3034)等4文件面板概念股目標(biāo)價(jià),但也提醒,友達(dá)因營(yíng)業(yè)利率走跌與需提列面板價(jià)格控管費(fèi)用,去(20
臺(tái)塑集團(tuán)旗下的半導(dǎo)體硅晶圓廠商臺(tái)勝科(3532)于28日召開股東常會(huì),董事長(zhǎng)李志村表示,臺(tái)勝科今年以來(lái)不論在八吋廠或十二吋廠都是滿載生產(chǎn),但目前還不夠的是「價(jià)格還需要再上漲」,李志村表示,臺(tái)勝科自今年1月起就恢
因應(yīng)大陸由世界工廠轉(zhuǎn)為全球市場(chǎng),臺(tái)灣半導(dǎo)體協(xié)會(huì)理事長(zhǎng)暨臺(tái)積電新事業(yè)總經(jīng)理蔡力行昨(25)日表示,臺(tái)灣居于有利地位,尤其臺(tái)灣半導(dǎo)體有很強(qiáng)的垂直整合供應(yīng)鏈,日本則具備先進(jìn)技術(shù)優(yōu)勢(shì),臺(tái)日連手有助搶進(jìn)大陸市場(chǎng)
又一個(gè)3D(三維)芯片聯(lián)盟出世。CMP、CMCMicrosystems和Mosis合作推出一項(xiàng)3D多項(xiàng)目晶圓(MPW)服務(wù),以Tezzaron公司的3D芯片技術(shù)和GlobalFoundries公司的130納米CMOS代工工藝為基礎(chǔ)。多年以來(lái),Tezzaron一直在致力于研發(fā)
隨著IC需求持續(xù)成長(zhǎng),市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)Gartner再度上調(diào)2010年全球晶圓制造廠資本支出預(yù)測(cè)值。由于各大晶圓廠快速擴(kuò)張45/40奈米制程,NANDFlash及DRAM制造業(yè)者轉(zhuǎn)型至3x節(jié)點(diǎn)(3xnode)制程,該機(jī)構(gòu)預(yù)測(cè),2010年晶圓制造設(shè)備銷
進(jìn)入2010年后,全球半導(dǎo)體接連擴(kuò)大設(shè)備投資,將使半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)急速膨脹。據(jù)市調(diào)機(jī)構(gòu)Gartner預(yù)測(cè)統(tǒng)計(jì),因全球半導(dǎo)體企業(yè)自2009年底開始為因應(yīng)逐漸轉(zhuǎn)好的市場(chǎng)情況,紛紛進(jìn)行大規(guī)模投資,2010年如光學(xué)設(shè)備等半導(dǎo)體制造
「日本經(jīng)濟(jì)新聞」報(bào)導(dǎo),日本半導(dǎo)體大廠爾必達(dá)公司將與臺(tái)灣的聯(lián)華電子及力成科技共同研發(fā)最尖端的「銅硅穿孔(TSV)」加工技術(shù)。報(bào)導(dǎo)指出,半導(dǎo)體的微細(xì)化技術(shù)已快達(dá)到極限,將來(lái)的研發(fā)焦點(diǎn)聚焦在芯片的垂直堆棧技術(shù)。
今日主流內(nèi)存技術(shù)的末日即將來(lái)臨?一家專精自旋轉(zhuǎn)移力矩隨機(jī)存取內(nèi)存(spin transfer torque random access memory, STT-RAM)的美國(guó)硅谷新創(chuàng)公司 Grandis 日前發(fā)表了更新的產(chǎn)品藍(lán)圖,并宣示以這種新一代 MARM 取代 D
聯(lián)電昨日與爾必達(dá)、力成簽訂直通硅晶穿孔(TSV)技術(shù)合作開發(fā)合約,市場(chǎng)則再度傳出,爾必達(dá)將是聯(lián)電私募案引進(jìn)策略合作伙伴的口袋名單之一,且雙方未來(lái)不排除朝向交叉持股的合作方向進(jìn)行。唯聯(lián)電及爾必達(dá)對(duì)此一市場(chǎng)消
聯(lián)電(2303)、爾必達(dá)(Elpida)及力成(6239)昨(21)日宣布,三方將結(jié)合在三維(3D)IC的設(shè)計(jì)、制造與封裝等優(yōu)勢(shì),投入開發(fā)整合邏輯芯片及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存(DRAM)的3D IC完整解決方案,并導(dǎo)入聯(lián)電的28奈米制程生
晶圓代工大廠聯(lián)電(2303-TW)今天與DRAM模塊廠力成(6239-TW)日本爾必達(dá)(Elpida)(6665-JP)共同宣布針對(duì)包括28奈米先進(jìn)制程直通硅晶穿孔(TSV)整合技術(shù)進(jìn)行合作。 聯(lián)電執(zhí)行長(zhǎng)孫世偉表示,有鑒于摩爾定律的成長(zhǎng)已經(jīng)趨緩
力成董事長(zhǎng)蔡篤恭今日表示,只要3D IC的TSV技術(shù)率先達(dá)成熟階段,市場(chǎng)需求自然會(huì)浮現(xiàn)。(巨亨網(wǎng)記者蔡宗憲攝) 日本DRAM晶圓大廠爾必達(dá)(6665-JP),臺(tái)灣晶圓代工大廠聯(lián)電(2303-TW)以及DRAM封測(cè)大廠力成(6239-TW)今(21
研究機(jī)構(gòu)iSuppli表示,力晶2010年首季銷售季成長(zhǎng)81%,已躍居全球第5大DRAM供應(yīng)廠。全球DRAM產(chǎn)業(yè)首季營(yíng)收比前1季成長(zhǎng)8.8%,根據(jù)iSuppli的資料,前5大DRAM廠約占全球整體DRAM產(chǎn)業(yè)營(yíng)收的91%,前2大廠三星電子(SamsungEl
全球第2大內(nèi)存制造商HynixSemiconductorInc.17日宣布,該公司已與大陸廠商無(wú)錫太極實(shí)業(yè)(WuxiTaijiIndustryCo.)合作在江蘇省無(wú)錫市建成第二座內(nèi)存廠房,名稱為「高科技半導(dǎo)體封裝測(cè)試公司(HitechSemiconductorPackage