DRAM

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三星電子2010年整體投資將達(dá)26兆韓元

三星電子在16號(hào)半導(dǎo)體生產(chǎn)線開(kāi)工儀式上表示，2010年整體投資將達(dá)到26兆韓元。該生產(chǎn)線位于韓國(guó)華城，將主要用于生產(chǎn)下一代存儲(chǔ)產(chǎn)品，2011年建成投產(chǎn)后預(yù)計(jì)能月產(chǎn)12英寸半導(dǎo)體晶片20萬(wàn)片以上。2010年三星電子26兆韓元

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2010-05-18

三星電子半導(dǎo)體 AMOLED DRAM
光刻設(shè)備交貨延期推遲DRAM40納米戰(zhàn)局

全球DRAM產(chǎn)業(yè)40納米大戰(zhàn)出現(xiàn)變量，由于浸潤(rùn)式機(jī)臺(tái)(ImmersionScanner)遞延交貨之故，瑞晶已松口表示，原本計(jì)劃年底前旗下8萬(wàn)片12寸晶圓產(chǎn)能要全轉(zhuǎn)進(jìn)45納米制程的目標(biāo)，將正式遞延至2011年第1季，其第1臺(tái)浸潤(rùn)式機(jī)臺(tái)本周

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2010-05-13

40納米光刻 MICRON DRAM
美光12億美元并恒憶坐擁DRAM、NAND、NOR三大技術(shù)

美光科技(MicronTechnologyInc.)7日宣布完成收購(gòu)NORFlash大廠恒憶(NumonyxB.V.)的所有程序。依據(jù)協(xié)議，美光已發(fā)行大約1.38億股普通股(大約相當(dāng)于12億美元)給恒憶股東(英特爾、意法半導(dǎo)體、私募股權(quán)基金FranciscoPart

半導(dǎo)體
2010-05-11

美光 NAND TECHNOLOGY DRAM
美光12億美元并恒憶坐擁DRAM、NAND、NOR三大技術(shù)

美光科技(Micron Technology Inc.)7日宣布完成收購(gòu)NOR Flash大廠恒憶(Numonyx B.V.)的所有程序。依據(jù)協(xié)議，美光已發(fā)行大約1.38億股普通股(大約相當(dāng)于12億美元)給恒憶股東(英特爾、意法半導(dǎo)體、私募股權(quán)基金Francisco

智能硬件
2010-05-11

美光意法半導(dǎo)體 NAND DRAM
封測(cè)廠 4月?tīng)I(yíng)收比拚測(cè)試勝封裝

封測(cè)廠4月?tīng)I(yíng)收昨（10）日全數(shù)公布，但若由營(yíng)收月增減率比較，測(cè)試廠營(yíng)運(yùn)成績(jī)明顯優(yōu)于封裝廠。根據(jù)業(yè)者公告的營(yíng)收數(shù)據(jù)，LCD驅(qū)動(dòng)IC廠頎邦（6147）因合并及漲價(jià)題材發(fā)酵，4月?tīng)I(yíng)收月增率排名之冠外，其余月增率排名第2至

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2010-05-11

手機(jī)芯片晶圓封裝 DRAM
轉(zhuǎn)移設(shè)備硅品4月?tīng)I(yíng)收月減3％

封測(cè)大廠硅品（2325）昨（5）日公布4月?tīng)I(yíng)收為51.01億元，較上月減少3％，主要原因在于硅品于4月19日將LCD驅(qū)動(dòng)IC封測(cè)及DRAM測(cè)試等，第一批設(shè)備移至南茂南科廠。硅品昨日公告4月業(yè)績(jī)，臺(tái)灣封測(cè)廠營(yíng)收達(dá)51.01億元，較

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2010-05-06

封裝驅(qū)動(dòng)IC LCD驅(qū)動(dòng) DRAM
力成上月?tīng)I(yíng)收再攻頂

內(nèi)存封測(cè)龍頭力成（6239）昨（5）日公布4月?tīng)I(yíng)收30.01億元，月增1.73%，改寫(xiě)去年12月所創(chuàng)的29.98億元紀(jì)錄，再創(chuàng)歷史新高，顯示DRAM市況持續(xù)升溫，且第二季將淡季不淡。經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)／提供另一封測(cè)大廠硅品（2325）4月?tīng)I(yíng)

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2010-05-06

內(nèi)存封裝 DRAM
SIA：一季度半導(dǎo)體芯片銷售激增近6成

據(jù)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)（SemiconductorIndustryAssociation，SIA）最新消息透露，2010年第一季度全球半導(dǎo)體芯片銷售激增至692億美元，這個(gè)數(shù)字比2009年同期的437億美元相比增長(zhǎng)幅度高達(dá)58.3%，接近6成。僅以3月份計(jì)，全球

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2010-05-05

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 半導(dǎo)體芯片 INDUSTRY DRAM
Q1全球DRAM產(chǎn)值續(xù)增三星穩(wěn)居龍頭

DRAM價(jià)格走揚(yáng)，帶動(dòng)全球第一季DRAM產(chǎn)值持續(xù)攀高至92.77億美元，較去年第4季再成長(zhǎng)6.9%；其中，南韓三星市占率達(dá)32.3%，穩(wěn)居全球DRAM龍頭寶座。集邦科技表示，盡管第一季為DRAM產(chǎn)業(yè)傳統(tǒng)淡季，不過(guò)，在電腦系統(tǒng)廠商擔(dān)心

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2010-05-05

三星 PID MICRON DRAM
全球DRAM產(chǎn)業(yè)營(yíng)收2010第一季營(yíng)收續(xù)成長(zhǎng)6.9%

根據(jù)集邦科技公布價(jià)格，DDR3合約季均價(jià)與現(xiàn)貨季均價(jià)繼2009年第四季分別大漲40%與30%后，在2010年第一季分別續(xù)漲16%與14%；DDR２合約季均價(jià)與現(xiàn)貨季均價(jià)2009年第四季分別大漲61%與68%后，在2010年第一季淡季不淡，合約

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2010-05-04

三星內(nèi)存 DDR3 DRAM
內(nèi)存晴雨表 DRAM產(chǎn)業(yè)回升，以勝利姿態(tài)揮別2009

據(jù)iSuppli公司，2009年DRAM市場(chǎng)搖擺不定，從一個(gè)極端到另一個(gè)極端，但第四季度克服了年初時(shí)的疲弱局面，高調(diào)結(jié)束全年，自2007年以來(lái)首次實(shí)現(xiàn)盈利。2009年第一季度創(chuàng)下2001年以來(lái)的最低營(yíng)業(yè)收入，DRAM產(chǎn)業(yè)隨后持續(xù)穩(wěn)步

智能硬件
2010-05-04

內(nèi)存 ISUPPLI DDR3 DRAM
iSuppli向上修正2010年半導(dǎo)體營(yíng)業(yè)收入預(yù)測(cè)

據(jù)iSuppli公司，擺脫2009年因市場(chǎng)衰退而導(dǎo)致的營(yíng)業(yè)收入急劇下滑之后，形勢(shì)改善有望讓全球半導(dǎo)體市場(chǎng)受益，這促使iSuppli公司向上修正2010年半導(dǎo)體營(yíng)業(yè)收入預(yù)測(cè)。隨著全球經(jīng)濟(jì)復(fù)蘇勢(shì)頭增強(qiáng)，iSuppli公司預(yù)測(cè)2010年半導(dǎo)

半導(dǎo)體
2010-05-04

半導(dǎo)體市場(chǎng) ISUPPLI 半導(dǎo)體 DRAM
茂德廠房概況

茂德原本有新竹廠和中科廠，新竹廠日前賣給旺宏，此廠房單月產(chǎn)能為5萬(wàn)片，之前一部分用來(lái)作為8吋晶圓廠，單月產(chǎn)能廠4.4萬(wàn)片，但機(jī)器設(shè)備已賣掉，另外的12吋晶圓廠在2009年金融海嘯DRAM價(jià)格大崩盤(pán)時(shí)，進(jìn)行大幅減產(chǎn)，賣

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2010-05-04

爾必達(dá) 晶圓廠制程技術(shù) DRAM
世界先進(jìn)8吋廠

世界先進(jìn)的8吋廠是在2007年3月時(shí)，華邦電子(Windbond)董事會(huì)通過(guò)，將以約新臺(tái)幣83億元的價(jià)格，出售位于新竹科學(xué)園區(qū)力行路之8吋晶圓廠所屬?gòu)S房、設(shè)施、晶圓制造設(shè)備與零配件給世界先進(jìn)，其資產(chǎn)移轉(zhuǎn)時(shí)間訂于2008年1月

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2010-05-04

晶圓代工晶圓廠微米 DRAM
蔡篤恭：DRAM封測(cè)今年是好年力成Q2毛利率維持Q1水平

DRAM封測(cè)大廠力成(6239)今 (29)日召開(kāi)法人說(shuō)明會(huì)，董事長(zhǎng)蔡篤恭表示，近幾日半導(dǎo)體晶圓代工與封測(cè)龍頭紛紛表態(tài)對(duì)今年景氣樂(lè)觀的看法，他也認(rèn)同這個(gè)說(shuō)法，DRAM封測(cè)今年更是一個(gè)好年，全年業(yè)績(jī)展望佳，短期看第 2 季客

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2010-05-01

進(jìn)程封裝半導(dǎo)體 DRAM
中芯國(guó)際集成電路制造有限公司2009年年度業(yè)績(jī)公布

概要財(cái)務(wù)：董事會(huì)欣然宣布本公司截至二零零九年十二月三十一日止年度的經(jīng)審核業(yè)績(jī)。摘要資料包括：銷售額由二零零八年的1,353.7百萬(wàn)美元下跌20.9%至二零零九年的1,070.4百萬(wàn)美元，主要是由於整體晶圓付運(yùn)量減少

消費(fèi)電子
2010-04-30

中芯國(guó)際微米集成電路制造 DRAM
力成今年?duì)I收看增20%

內(nèi)存封測(cè)龍頭力成（6239）董事長(zhǎng)蔡篤恭昨（29）日表示，今年內(nèi)存市況不錯(cuò)，力成業(yè)績(jī)可一路旺到第三季，不僅本季沒(méi)有淡季沖擊，全年?duì)I收也可望比去年增加兩成。力成昨天舉行法說(shuō)會(huì)并公布首季財(cái)報(bào)，毛利率維持與上

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2010-04-30

內(nèi)存封裝控制 DRAM
DDR3封測(cè)吃緊力成首季削爆

力成（6239）昨日公布首季財(cái)報(bào)，由于DRAM先從DDR3開(kāi)始短缺，力成為DDR3產(chǎn)能最大的封測(cè)廠，因此首季財(cái)報(bào)均繳出史上最亮麗成績(jī)，不僅單季獲利創(chuàng)下歷史新高達(dá)17.73億元、季增5.5％，資產(chǎn)負(fù)債表中的現(xiàn)金部位突破100億元，

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2010-04-30

SIP DDR3 MCP DRAM
海力士1Q獲利季增25%

韓國(guó)半導(dǎo)體大廠海力士(Hynix)公布2010會(huì)計(jì)年度第1季(2010年1~3月)財(cái)報(bào)，與2009年同期凈損1.18兆韓元(約10.62億美元)相比，海力士本季達(dá)成獲利8,220億韓元，比前季成長(zhǎng)25%。營(yíng)收則達(dá)2.82兆韓元，比2009年同期成長(zhǎng)115%

半導(dǎo)體
2010-04-28

存儲(chǔ)器海力士 NANDFLASH DRAM
海力士2010年Q1創(chuàng)下單季度歷史最高銷售額

韓國(guó)海力士半導(dǎo)體（HynixSemiconductor）公布了2010年第一季度（2010年1～3月）的合并結(jié)算結(jié)果。據(jù)稱，由于DRAM市場(chǎng)走勢(shì)堅(jiān)挺，其銷售額創(chuàng)單季度歷史紀(jì)錄。發(fā)布資料顯示，海力士2010年Q1的銷售額為同比（以下簡(jiǎn)稱YoY）

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2010-04-28

海力士扭虧為盈 NAND DRAM

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DRAM

三星電子2010年整體投資將達(dá)26兆韓元

光刻設(shè)備交貨延期推遲DRAM40納米戰(zhàn)局

美光12億美元并恒憶坐擁DRAM、NAND、NOR三大技術(shù)

美光12億美元并恒憶坐擁DRAM、NAND、NOR三大技術(shù)

封測(cè)廠 4月?tīng)I(yíng)收比拚測(cè)試勝封裝

轉(zhuǎn)移設(shè)備硅品4月?tīng)I(yíng)收月減3％

力成上月?tīng)I(yíng)收再攻頂

SIA：一季度半導(dǎo)體芯片銷售激增近6成

Q1全球DRAM產(chǎn)值續(xù)增三星穩(wěn)居龍頭

全球DRAM產(chǎn)業(yè)營(yíng)收2010第一季營(yíng)收續(xù)成長(zhǎng)6.9%

內(nèi)存晴雨表 DRAM產(chǎn)業(yè)回升，以勝利姿態(tài)揮別2009

iSuppli向上修正2010年半導(dǎo)體營(yíng)業(yè)收入預(yù)測(cè)

茂德廠房概況

世界先進(jìn)8吋廠

蔡篤恭：DRAM封測(cè)今年是好年力成Q2毛利率維持Q1水平

中芯國(guó)際集成電路制造有限公司2009年年度業(yè)績(jī)公布

力成今年?duì)I收看增20%

DDR3封測(cè)吃緊力成首季削爆

海力士1Q獲利季增25%

海力士2010年Q1創(chuàng)下單季度歷史最高銷售額

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