DRAM

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20納米DRAM制程戰(zhàn)火點燃　三星、SK海力士將量產(chǎn)

據(jù)韓聯(lián)社報導(dǎo)，三星電子(SamsungElectronics)將在3月投入20奈米4GbDDR3DRAM量產(chǎn)，SK海力士(SKHynix)則緊追在后。20奈米4GbDRAM生產(chǎn)走進(jìn)現(xiàn)實，往次世代10奈米級DRAM制程發(fā)展的技術(shù)競爭也即將展開。沉寂一時的半導(dǎo)體制

半導(dǎo)體
2014-03-23

三星 DRAM SK海力士三星電子
創(chuàng)見董事長：未來3個月DRAM、NAND Flash價格將緩跌

創(chuàng)見資訊董事長束崇萬表示，因市場需求較弱，預(yù)計未來3個月DRAM、NAND Flash價格都將緩跌。創(chuàng)見董事長束崇萬今日指出，包括動態(tài)隨機存取記憶體(DRAM)及儲存型快閃記憶體(NAND Flash)今年市場都有點供過于

消費電子
2014-03-21

Flash NAND BSP DRAM
20納米DRAM制程戰(zhàn)火點燃　三星、SK海力士將量產(chǎn)

據(jù)韓聯(lián)社報導(dǎo)，三星電子(SamsungElectronics)將在3月投入20奈米4GbDDR3DRAM量產(chǎn)，SK海力士(SKHynix)則緊追在后。20奈米4GbDRAM生產(chǎn)走進(jìn)現(xiàn)實，往次世代10奈米級DRAM制程發(fā)展的技術(shù)競爭也即將展開。沉寂一時的半導(dǎo)體制

半導(dǎo)體
2014-03-20

三星 DRAM SK海力士三星電子
20納米DRAM制程戰(zhàn)火點燃　三星、SK海力士將量產(chǎn)

據(jù)韓聯(lián)社報導(dǎo)，三星電子(SamsungElectronics)將在3月投入20奈米4GbDDR3DRAM量產(chǎn)，SK海力士(SKHynix)則緊追在后。20奈米4GbDRAM生產(chǎn)走進(jìn)現(xiàn)實，往次世代10奈米級DRAM制程發(fā)展的技術(shù)競爭也即將展開。沉寂一時的半導(dǎo)體制

模擬
2014-03-18

三星 DRAM SK海力士三星電子
世界先進(jìn)買新廠，2季后貢獻(xiàn)業(yè)績

世界先進(jìn)(5347)已確定買下南科8寸晶圓廠，將可以加快擴充總產(chǎn)能，初期每年約可增加40萬片晶圓產(chǎn)能，估計約2季時間轉(zhuǎn)換制程后，便可開始貢獻(xiàn)業(yè)績。世界先進(jìn)現(xiàn)有月產(chǎn)能13.9萬片規(guī)模，本季持續(xù)滿載。為快速擴產(chǎn)，世

模擬
2014-03-18

元件晶圓廠超高壓 DRAM
三星電子量產(chǎn)世界最小型20納米4Gb DDR3 DRAM

三星電子日前宣布已從本月起開始正式量產(chǎn)采用20納米制程技術(shù)的世界最小型4Gb DDR3 DRAM。三星電子利用現(xiàn)有的ArF浸入式光刻機，克服了20納米DRAM微細(xì)化的技術(shù)限制。NAND閃存的基本存儲單元由一個晶體管構(gòu)

消費電子
2014-03-13

GB DDR3 DRAM 三星電子
三星量產(chǎn)最先進(jìn)20nm 4Gb DDR3 DRAM

作為尖端半導(dǎo)體解決方案的全球領(lǐng)先企業(yè)，三星電子今日宣布已從本月起開始正式量產(chǎn)采用20納米制程技術(shù)的世界最小型4Gb DDR3 DRAM。三星電子利用現(xiàn)有的ArF浸入式光刻機，克服了20納米DRAM微細(xì)化的技術(shù)限制

消費電子
2014-03-13

GB DDR3 三星 DRAM
韓國積極引導(dǎo)半導(dǎo)體發(fā)展

韓國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)已形成壟斷局勢，市場集中度極高。三星和現(xiàn)代兩家公司主導(dǎo)了韓國的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。內(nèi)存部門中，三星電子占24.5%，現(xiàn)代占7.4%，而在DRAM方面則是三星電子占了32.2%，現(xiàn)代占12.8%。韓國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的產(chǎn)品構(gòu)成

半導(dǎo)體
2014-03-10

半導(dǎo)體半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 超大規(guī)模集成電路 DRAM
韓國積極引導(dǎo)半導(dǎo)體發(fā)展

韓國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)已形成壟斷局勢，市場集中度極高。三星和現(xiàn)代兩家公司主導(dǎo)了韓國的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。內(nèi)存部門中，三星電子占24.5%，現(xiàn)代占7.4%，而在DRAM方面則是三星電子占了32.2%，現(xiàn)代占12.8%。韓國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的產(chǎn)品構(gòu)成

模擬
2014-03-07

半導(dǎo)體半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 超大規(guī)模集成電路 DRAM
傳高端LPDDR DRAM開始缺貨

3月5日消息，業(yè)內(nèi)知名爆料人士“手機晶片達(dá)人”在今天的微博上透露，雖然還處于淡季，但高端LPDDR DRAM開始缺貨。 “手機晶片達(dá)人”預(yù)測，今年需求旺季來臨時，內(nèi)存的供應(yīng)量將更不容樂觀。LPDDR(Low Power Double Da

消費電子
2014-03-07

內(nèi)存 DDR PD DRAM
力成：3月起稼動率看9成，今年營運料逐季增

IC封測力成(6239)董事長蔡篤恭(見附圖)指出，今年1、2月間力成因工作天數(shù)較短，營運偏淡，惟與Tessera的授權(quán)合約終止訴訟塵埃落定，力成將可全力沖刺業(yè)務(wù)，不僅要重返DRAM封測領(lǐng)域，包括邏輯IC、NAND Flash與晶圓凸塊

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2014-02-28

SSD NAND TE DRAM
記憶體市場翻身　封測廠華東否極泰來

記憶體專業(yè)封測廠華東科技總經(jīng)理于鴻祺指出，記憶體歷經(jīng)前幾年的大洗牌后市況大翻身，從2013年開始，無論是標(biāo)準(zhǔn)型DRAM或特殊型如Mobile DRAM均呈現(xiàn)價揚走勢，而NAND Flash的需求也穩(wěn)健成長，預(yù)估2014年對華東將是否極

模擬
2014-02-24

NAND MOBILE DRAM
內(nèi)存市場翻身迎來機遇封測廠華東否極泰來

記憶體專業(yè)封測廠華東科技總經(jīng)理于鴻祺指出，內(nèi)存歷經(jīng)前幾年的大洗牌后市況大翻身，從2013年開始，無論是標(biāo)準(zhǔn)型DRAM或特殊型如MobileDRAM均呈現(xiàn)價揚走勢，而NANDFlash的需求也穩(wěn)健成長，預(yù)估2014年對華東將是否極泰來

電子設(shè)計自動化
2014-02-24

內(nèi)存市場 MOBILE DRAM
LED業(yè)持續(xù)擴張外資看好上游晶粒廠

隨著LED照明需求快速成長，瑞信證券出具最新研究報告表示，其看好LED這一波產(chǎn)業(yè)成長景況與DRAM業(yè)于1990~1995年隨PC滲透率拉升所推動的榮景現(xiàn)象相似，即LED業(yè)目前正進(jìn)入擴張期，而這個階段中將可見到LED產(chǎn)業(yè)

顯示光電
2014-02-22

LED LED照明 LED產(chǎn)業(yè) DRAM
應(yīng)用材料公司發(fā)布2014財年第一季度財務(wù)報告

2014年2月12日，加州圣克拉拉——全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體、平板顯示和太陽能光伏行業(yè)制造解決方案供應(yīng)商應(yīng)用材料公司于今日公布了截止于2014年1月26日的2014財年第一季度財務(wù)報告。2014財年第一季度，應(yīng)用材料公司的總訂單

半導(dǎo)體
2014-02-20

半導(dǎo)體應(yīng)用材料公司平板顯示 DRAM
應(yīng)用材料公司發(fā)布2014財年第一季度財務(wù)報告

全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體、平板顯示和太陽能光伏行業(yè)制造解決方案供應(yīng)商應(yīng)用材料公司于今日公布了截止于2014年1月26日的2014財年第一季度財務(wù)報告。2014財年第一季度，應(yīng)用材料公司的總訂單額為22.9億美元，較去年第四季度增

消費電子
2014-02-18

半導(dǎo)體應(yīng)用材料公司平板顯示 DRAM
三星25納米DRAM量產(chǎn) 4Q13的4GB均價高到34美元

全球市場研究機構(gòu)TrendForce旗下內(nèi)存儲存事業(yè)處DRAMeXchange表示，去年第四季DRAM產(chǎn)出雖受到SK海力士無錫大火影響而稍有略減，但供貨吃緊下反而造成平均銷售單價勁揚，因此4Q13全球DRAM產(chǎn)值再度攀高至約97.5億美金，

消費電子
2014-02-18

4G GB 三星 DRAM
4Q13全球DRAM產(chǎn)值續(xù)揚，連創(chuàng)5季新高

全球市場研究機構(gòu)TrendForce旗下內(nèi)存儲存事業(yè)處DRAMeXchange表示，去年第四季DRAM產(chǎn)出雖受到SK海力士無錫大火影響而稍有略減，但供貨吃緊下反而造成平均銷售單價勁揚，因此4Q13全球DRAM產(chǎn)值再度攀高至約97.5億美金，

半導(dǎo)體
2014-02-17

內(nèi)存三星 DRAM SK海力士
4Q13全球DRAM產(chǎn)值續(xù)揚，連創(chuàng)5季新高

全球市場研究機構(gòu)TrendForce旗下內(nèi)存儲存事業(yè)處DRAMeXchange表示，去年第四季DRAM產(chǎn)出雖受到SK海力士無錫大火影響而稍有略減，但供貨吃緊下反而造成平均銷售單價勁揚，因此4Q13全球DRAM產(chǎn)值再度攀高至約97.5億美金，

模擬
2014-02-14

內(nèi)存三星 DRAM SK海力士
Intel重操舊業(yè)：晶體管級別看其eDRAM緩存

可能很多同學(xué)不知道，Intel成立初期不是做微處理器的，而是主營SRAM、DRAM等存儲芯片，只不過后來受到日本廠商的沖擊，才果斷轉(zhuǎn)型，成就了一番霸業(yè)。不過，Intel現(xiàn)在又有點重操舊業(yè)的架勢，Haswell處理器中有部分集成

智能硬件
2014-02-12

晶體管 Intel 電容 DRAM

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DRAM

20納米DRAM制程戰(zhàn)火點燃　三星、SK海力士將量產(chǎn)

創(chuàng)見董事長：未來3個月DRAM、NAND Flash價格將緩跌

20納米DRAM制程戰(zhàn)火點燃　三星、SK海力士將量產(chǎn)

20納米DRAM制程戰(zhàn)火點燃　三星、SK海力士將量產(chǎn)

世界先進(jìn)買新廠，2季后貢獻(xiàn)業(yè)績

三星電子量產(chǎn)世界最小型20納米4Gb DDR3 DRAM

三星量產(chǎn)最先進(jìn)20nm 4Gb DDR3 DRAM

韓國積極引導(dǎo)半導(dǎo)體發(fā)展

韓國積極引導(dǎo)半導(dǎo)體發(fā)展

傳高端LPDDR DRAM開始缺貨

力成：3月起稼動率看9成，今年營運料逐季增

記憶體市場翻身　封測廠華東否極泰來

內(nèi)存市場翻身迎來機遇封測廠華東否極泰來

LED業(yè)持續(xù)擴張外資看好上游晶粒廠

應(yīng)用材料公司發(fā)布2014財年第一季度財務(wù)報告

應(yīng)用材料公司發(fā)布2014財年第一季度財務(wù)報告

三星25納米DRAM量產(chǎn) 4Q13的4GB均價高到34美元

4Q13全球DRAM產(chǎn)值續(xù)揚，連創(chuàng)5季新高

4Q13全球DRAM產(chǎn)值續(xù)揚，連創(chuàng)5季新高

Intel重操舊業(yè)：晶體管級別看其eDRAM緩存

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