DRAM

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從兩岸虧損企業(yè)談產(chǎn)業(yè)整合

兩岸上市公司最新財報顯示，臺灣DRAM產(chǎn)業(yè)除瑞晶電子外，其余全部大幅虧損。大陸企業(yè)中，電子書龍頭漢王科技虧損超過4000萬元（人民幣，下同），預(yù)計全年將虧損1億。這2件事看似無關(guān)，其實均與“規(guī)模、品牌、價

半導(dǎo)體
2011-05-19

DRAM 電子書三星 IPAD
ASML單價近一億美元的EUV光刻機訂單已達(dá)10臺　預(yù)計2012年開始正式交貨

2010年浸潤式微米光刻機臺設(shè)備(Immersion Scanner)大缺貨，形成DRAM產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)進40納米工藝的天險，隨著缺貨問題解決，ASML針對20納米工藝，推出深紫外光(EUV)機臺，目前已有10臺訂單在手，預(yù)計2012年將正式交貨；不過，

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2011-05-19

EUV光刻機 ASML EUV DRAM
ASML單價近一億美元的EUV光刻機訂單已達(dá)10臺　預(yù)計2012年開始正式交貨

2010年浸潤式微米光刻機臺設(shè)備(ImmersionScanner)大缺貨，形成DRAM產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)進40納米工藝的天險，隨著缺貨問題解決，ASML針對20納米工藝，推出深紫外光(EUV)機臺，目前已有10臺訂單在手，預(yù)計2012年將正式交貨；不過，對

模擬
2011-05-18

EUV光刻機 ASML EUV DRAM
ASML單價近一億美元EUV光刻機訂單已達(dá)10臺

2010年浸潤式微米光刻機臺設(shè)備(Immersion Scanner)大缺貨，形成DRAM產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)進40納米工藝的天險，隨著缺貨問題解決，ASML針對20納米工藝，推出深紫外光(EUV)機臺，目前已有10臺訂單在手，預(yù)計2012年將正式交貨;不過，對

電子設(shè)計自動化
2011-05-18

EUV光刻機 ASML EUV DRAM
三星DRAM喊漲　OEM廠被迫買單

DRAM合約價再度喊漲成功，雖然5月上半漲幅僅2~3%，但傳出三星電子(Samsung Electronics)成功將2GB DDR3模塊價格拉升至19美元，成為這次拉升合約價主要推手，次要因素則是近期傳出海力士(Hynix)和爾必達(dá)(Elpida)40納米

消費電子
2011-05-16

OEM GB DRAM 三星
三星DRAM喊漲　OEM廠被迫買單

DRAM合約價再度喊漲成功，雖然5月上半漲幅僅2~3%，但傳出三星電子(SamsungElectronics)成功將2GBDDR3模塊價格拉升至19美元，成為這次拉升合約價主要推手，次要因素則是近期傳出海力士(Hynix)和爾必達(dá)(Elpida)40納米制

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2011-05-13

OEM GB DRAM 三星
創(chuàng)見：臺灣DRAM產(chǎn)業(yè)缺乏技術(shù)根基

創(chuàng)見董事長束崇萬看好下半年DRAM和NANDFlash市場景氣都不錯，對存儲器模塊廠而言，是風(fēng)險不大的一年，但談到臺灣DRAM產(chǎn)業(yè)前景，他感慨表示，DRAM產(chǎn)業(yè)最大問題的關(guān)鍵不是在于景氣波動，而是臺灣沒有自有DRAM技術(shù)，但現(xiàn)

模擬
2011-05-13

工控 PGA NANDFLASH DRAM
三星DRAM喊漲　OEM廠被迫買單

DRAM合約價再度喊漲成功，雖然5月上半漲幅僅2~3%，但傳出三星電子(Samsung Electronics)成功將2GB DDR3模塊價格拉升至19美元，成為這次拉升合約價主要推手，次要因素則是近期傳出海力士(Hynix)和爾必達(dá)(Elpida)40納

智能硬件
2011-05-13

40納米 OEM DRAM 三星
DRAM價格終升破1美元關(guān)卡

2010年底以來，跌落到1美元以下的DRAM價格，終恢復(fù)到1美元線上。DRAM代表性產(chǎn)品DDR3 1Gb 128Mx8 1066MHz，在2010年5月寫下2.72美元最高紀(jì)錄后，9月后半跌至2美元、12月后半跌破1美元等，價格急速下滑，進入2011年后

智能硬件
2011-05-13

HZ MX DDR3 DRAM
半導(dǎo)體硅晶圓庫存六月將見底

受到日本地震影響，半導(dǎo)體硅晶圓供應(yīng)缺口將逐漸在六月份半導(dǎo)體業(yè)者庫存見底之際，產(chǎn)生明顯的缺料危機，再加上日本擬關(guān)閉核電廠，接下來的電力短缺恐將進一步影響上游硅晶圓的供料吃緊。據(jù)半導(dǎo)體業(yè)者表示，以往在每季

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2011-05-13

半導(dǎo)體硅晶圓 DRAM
半導(dǎo)體硅晶圓庫存六月將見底，3Q價格預(yù)期大漲

受到日本地震影響，半導(dǎo)體硅晶圓供應(yīng)缺口將逐漸在六月份半導(dǎo)體業(yè)者庫存見底之際，產(chǎn)生明顯的缺料危機，再加上日本擬關(guān)閉核電廠，接下來的電力短缺恐將進一步影響上游硅晶圓的供料吃緊。據(jù)半導(dǎo)體業(yè)者表示，以往在每季

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2011-05-12

半導(dǎo)體硅晶圓 DRAM
臺系芯片封測公司4月營收普遍走跌

封測廠4月營收除了力成逆勢走揚外，普遍較3月衰退達(dá)個位數(shù)幅度，隨著電子產(chǎn)業(yè)供應(yīng)鏈疑慮逐漸消除，封測廠對于第2季營運展望樂觀以待。日月光預(yù)計，在代工價格不變的情況下，出貨量可望增加7~9%，硅品估計營收季增率有

電子設(shè)計自動化
2011-05-12

芯片 Flash NAND DRAM
半導(dǎo)體硅晶圓庫存六月將見底，3Q價格預(yù)期大漲

受到日本地震影響，半導(dǎo)體硅晶圓供應(yīng)缺口將逐漸在六月份半導(dǎo)體業(yè)者庫存見底之際，產(chǎn)生明顯的缺料危機，再加上日本擬關(guān)閉核電廠，接下來的電力短缺恐將進一步影響上游硅晶圓的供料吃緊。據(jù)半導(dǎo)體業(yè)者表示，以往在每季

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2011-05-12

半導(dǎo)體硅晶圓 DRAM
半導(dǎo)體硅晶圓庫存六月將見底三季度硅晶圓價格預(yù)期將大漲

受到日本地震影響，半導(dǎo)體硅晶圓供應(yīng)缺口將逐漸在六月份半導(dǎo)體業(yè)者庫存見底之際，產(chǎn)生明顯的缺料危機，再加上日本擬關(guān)閉核電廠，接下來的電力短缺恐將進一步影響上游硅晶圓的供料吃緊。據(jù)半導(dǎo)體業(yè)者表示，以往在每季

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2011-05-11

半導(dǎo)體硅晶圓 DRAM
半導(dǎo)體矽晶圓庫存快見底提前3周溝通Q3價格

受到日本地震影響，半導(dǎo)體矽晶圓供應(yīng)缺口將逐漸在六月份半導(dǎo)體業(yè)者庫存見底之際，產(chǎn)生明顯的缺料危機，再加上日本擬關(guān)閉核電廠，接下來的電力短缺恐將進一步影響上游矽晶圓的供料吃緊。據(jù)半導(dǎo)體業(yè)者表示，以往在每季

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2011-05-09

半導(dǎo)體晶圓 DRAM
爾必達(dá)開發(fā)25納米DRAM　三星表現(xiàn)存疑態(tài)度

據(jù)韓聯(lián)社報導(dǎo)，三星電子(Samsung Electronics)半導(dǎo)體事業(yè)部社長權(quán)五鉉在三星主要首長團會議中表示，日本DRAM制造廠爾必達(dá)(Elpida)雖然公開表示已開發(fā)出25納米DRAM，但仍需持續(xù)觀察至正式量產(chǎn)，表現(xiàn)出存疑的態(tài)度。三

智能硬件
2011-05-09

半導(dǎo)體爾必達(dá) DRAM 三星
一季度全球DRAM內(nèi)存芯片營收環(huán)比降低4%

市場調(diào)研公司集邦科技日前發(fā)布的全球一季度DRAM內(nèi)存芯片市場統(tǒng)計報告顯示，DRAM內(nèi)存芯片市場該季度營收83億美元，相比去年第四季度的86億美元下降4%。集邦科技稱，由于芯片制造商紛紛邁向高級制程工藝，芯片產(chǎn)能得到

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2011-05-06

芯片制造商內(nèi)存芯片 DRAM芯片 DRAM
一季度全球DRAM內(nèi)存芯片營收環(huán)比降低4%

市場調(diào)研公司集邦科技日前發(fā)布的全球一季度DRAM內(nèi)存芯片市場統(tǒng)計報告顯示，DRAM內(nèi)存芯片市場該季度營收83億美元，相比去年第四季度的86億美元下降4%。集邦科技稱，由于芯片制造商紛紛邁向高級制程工藝，芯片產(chǎn)能得到

智能硬件
2011-05-06

芯片制造商內(nèi)存芯片 DRAM芯片 DRAM
日震余波半導(dǎo)體Q2變數(shù)多

日本311大地震發(fā)生已超過一個月，但對于臺灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)來說，產(chǎn)業(yè)供應(yīng)鏈及市場需求影響才正要開始，市場普遍預(yù)料晶圓代工、封測及IC設(shè)計廠第2季營運恐受沖擊，唯獨DRAM廠反而可望受惠。日本大地震后，盡管各家廠商手

半導(dǎo)體
2011-05-05

半導(dǎo)體供應(yīng)鏈 BSP DRAM
臺DRAM產(chǎn)業(yè)破洞大臺當(dāng)局否決出資整并

針對存儲器模塊龍頭廠金士頓(Kingston)創(chuàng)辦人孫大衛(wèi)呼吁政府出面集成DRAM廠，甚至應(yīng)先拿出20億美元(約新臺幣580億元)集成現(xiàn)有 DRAM廠，經(jīng)濟部長施顏祥對此表示，政府對于DRAM產(chǎn)業(yè)已有2套方案，包括與日廠爾必達(dá)(Elpi

消費電子
2011-05-05

集成存儲器爾必達(dá) DRAM

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DRAM

從兩岸虧損企業(yè)談產(chǎn)業(yè)整合

ASML單價近一億美元的EUV光刻機訂單已達(dá)10臺　預(yù)計2012年開始正式交貨

ASML單價近一億美元的EUV光刻機訂單已達(dá)10臺　預(yù)計2012年開始正式交貨

ASML單價近一億美元EUV光刻機訂單已達(dá)10臺

三星DRAM喊漲　OEM廠被迫買單

三星DRAM喊漲　OEM廠被迫買單

創(chuàng)見：臺灣DRAM產(chǎn)業(yè)缺乏技術(shù)根基

三星DRAM喊漲　OEM廠被迫買單

DRAM價格終升破1美元關(guān)卡

半導(dǎo)體硅晶圓庫存六月將見底

半導(dǎo)體硅晶圓庫存六月將見底，3Q價格預(yù)期大漲

臺系芯片封測公司4月營收普遍走跌

半導(dǎo)體硅晶圓庫存六月將見底，3Q價格預(yù)期大漲

半導(dǎo)體硅晶圓庫存六月將見底三季度硅晶圓價格預(yù)期將大漲

半導(dǎo)體矽晶圓庫存快見底提前3周溝通Q3價格

爾必達(dá)開發(fā)25納米DRAM　三星表現(xiàn)存疑態(tài)度

一季度全球DRAM內(nèi)存芯片營收環(huán)比降低4%

一季度全球DRAM內(nèi)存芯片營收環(huán)比降低4%

日震余波半導(dǎo)體Q2變數(shù)多

臺DRAM產(chǎn)業(yè)破洞大臺當(dāng)局否決出資整并

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