DRAM

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CMOS封裝板出貨旺　競(jìng)國(guó)擬再擴(kuò)產(chǎn)

李洵穎／臺(tái)北印刷電路板(PCB)競(jìng)國(guó)實(shí)業(yè)受惠于智慧型手機(jī)及平板電腦的出貨強(qiáng)勁，帶動(dòng)CMOS(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor；CMOS)視訊鏡頭用封裝板出貨動(dòng)能強(qiáng)勁，加上DRAM用模組板在客戶釋單下，競(jìng)國(guó)計(jì)劃擴(kuò)產(chǎn)

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2011-06-01

CMOS 封裝 DRAM
爾必達(dá)與聯(lián)電力成合作開(kāi)發(fā)TSV產(chǎn)品

看好3D市場(chǎng)，DRAM大廠爾必達(dá)日前宣布，將與臺(tái)灣力成科技、聯(lián)華電子正式簽約，攜手展開(kāi)TSV產(chǎn)品的共同開(kāi)發(fā);爾必達(dá)表示，三方還將針對(duì)3D IC整合技術(shù)、28納米先進(jìn)制程TSV(Through-Silicon Via, 直通硅晶穿孔)進(jìn)行開(kāi)發(fā)與商

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2011-06-01

聯(lián)電電力爾必達(dá) DRAM
iSuppli研究報(bào)告稱今年DRAM市場(chǎng)將維持連續(xù)2年雙位數(shù)成長(zhǎng)

IHSiSuppli(IHS-US)最新研究報(bào)告指出，受惠于動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存(DRAM)整體出貨量彈升10.8%，今年全球的DRAM模塊市場(chǎng)成長(zhǎng)仍將持續(xù)增長(zhǎng)，且連續(xù)兩年都呈現(xiàn)雙位數(shù)成長(zhǎng)。該項(xiàng)報(bào)告指出，全球DRAM模塊的整體出貨量，預(yù)估今年

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2011-05-31

AC ISUPPLI DDR3 DRAM
iSuppli研究報(bào)告稱今年DRAM市場(chǎng)將維持連續(xù)2年雙位數(shù)成長(zhǎng)

IHS iSuppli (IHS-US) 最新研究報(bào)告指出，受惠于動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存 (DRAM) 整體出貨量彈升 10.8%，今年全球的 DRAM 模塊市場(chǎng)成長(zhǎng)仍將持續(xù)增長(zhǎng)，且連續(xù)兩年都呈現(xiàn)雙位數(shù)成長(zhǎng)。該項(xiàng)報(bào)告指出，全球 DRAM 模塊的整體出貨

智能硬件
2011-05-31

計(jì)算機(jī) AC ISUPPLI DRAM
急單到存儲(chǔ)器封測(cè)廠本季展望

存儲(chǔ)器大廠爾必達(dá)（916665）、力晶及南科等本季積極提升DRAM產(chǎn)能，后段封測(cè)協(xié)力廠力成、華東等急單涌入，5月?tīng)I(yíng)收大幅增溫，7月可望回復(fù)歷史高峰。日本強(qiáng)震一度為半導(dǎo)體封測(cè)業(yè)帶來(lái)不小沖擊，除了主要矽晶圓短缺，

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2011-05-30

存儲(chǔ)器爾必達(dá) MOBILE DRAM
京元電高筑墻挺立24年

5月的新竹油桐花盛開(kāi)，京元電每年都選在此時(shí)舉辦家庭日。今年大家特別開(kāi)心，因?yàn)楣救ツ隊(duì)I收創(chuàng)成立24年來(lái)新高，已經(jīng)連續(xù)兩年加薪。相較于二年前金融風(fēng)暴景氣低迷，無(wú)薪假、減薪的低潮，京元電快速走出陰霾，這二年

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2011-05-30

電子存儲(chǔ)器聯(lián)電 DRAM
矽品喊漲價(jià)Q3營(yíng)運(yùn)吃補(bǔ)

日本地震引發(fā)材料成本上揚(yáng)，矽品精密工業(yè)總經(jīng)理蔡祺文昨（28）日表示，矽品為適度反應(yīng)成本，近日陸續(xù)調(diào)漲部分封裝產(chǎn)品價(jià)格，法人推估漲幅在5%至10%之間，有助挹注第三季營(yíng)運(yùn)成長(zhǎng)力道。展望未來(lái)，短期雖有日本震災(zāi)

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2011-05-29

半導(dǎo)體 MCU 封裝 DRAM
封測(cè)代工喊漲廠商Q3受補(bǔ)

日本311大地震后，包括銀膠、環(huán)氧樹(shù)脂、導(dǎo)線架等封裝材料價(jià)格上漲，加上時(shí)間接近第3季傳統(tǒng)旺季，封測(cè)廠產(chǎn)能利用率上升，部份產(chǎn)線已呈現(xiàn)滿載現(xiàn)象，為了反應(yīng)材料上漲成本及部份產(chǎn)能供不應(yīng)求等實(shí)際市況，包括日月光、矽

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2011-05-27

存儲(chǔ)器環(huán)氧樹(shù)脂封裝 DRAM
韓DRAM微細(xì)制程比重高占市場(chǎng)優(yōu)勢(shì)

據(jù)韓國(guó)電子新聞報(bào)導(dǎo)，韓國(guó)半導(dǎo)體業(yè)者在衡量存儲(chǔ)器芯片業(yè)者競(jìng)爭(zhēng)力高低的微細(xì)制程比重大占優(yōu)勢(shì)，維持在全球DRAM市場(chǎng)的主導(dǎo)權(quán)，尤其40納米等級(jí)微細(xì)制程擴(kuò)大，使韓國(guó)企業(yè)市占率隨之?dāng)U大，在2011年第1季寫(xiě)下不錯(cuò)成績(jī)，其

智能硬件
2011-05-26

美光爾必達(dá) 40納米 DRAM
韓DRAM微細(xì)制程比重高占市場(chǎng)優(yōu)勢(shì)

據(jù)韓國(guó)電子新聞報(bào)導(dǎo)，韓國(guó)半導(dǎo)體業(yè)者在衡量存儲(chǔ)器芯片業(yè)者競(jìng)爭(zhēng)力高低的微細(xì)制程比重大占優(yōu)勢(shì)，維持在全球DRAM市場(chǎng)的主導(dǎo)權(quán)，尤其40納米等級(jí)微細(xì)制程擴(kuò)大，使韓國(guó)企業(yè)市占率隨之?dāng)U大，在2011年第1季寫(xiě)下不錯(cuò)成績(jī)，其它

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2011-05-26

美光爾必達(dá) 40納米 DRAM
京元電獲美廠F-RAM大單

低功耗鐵電存儲(chǔ)器（F-RAM）供應(yīng)商美國(guó)Ramtron表示，與封測(cè)廠京元電（2449）擴(kuò)大合作，Ramtron將把全部的F-RAM產(chǎn)品交由京元電封裝及測(cè)試。Ramtron表示，京元電在特殊存儲(chǔ)器封測(cè)市場(chǎng)具有技術(shù)領(lǐng)先地位，可為Ramtron提供

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2011-05-26

鐵電存儲(chǔ)器 F-RAM RAMTRON DRAM
茂德以人民幣1億元賣掉重慶8吋晶圓廠

DRAM廠茂德23日公告，旗下大陸重慶8吋晶圓廠暫訂以人民幣1億元（約新臺(tái)幣4.54億元），賣給大陸中航航空電子系統(tǒng)公司。完成交易后，茂德將把營(yíng)運(yùn)重心全數(shù)聚焦在臺(tái)灣12吋晶圓廠。茂德2007年底迄今，投入渝德的資本額約

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2011-05-26

晶圓廠航空電子系統(tǒng) DRAM
海力士半導(dǎo)體廠氣體外泄

據(jù)韓國(guó)電子新聞報(bào)導(dǎo)，韓國(guó)半導(dǎo)體大廠海力士(Hynix)位于京畿道利川的工廠發(fā)生氣體外泄事故。19日晚間約10點(diǎn)50分，在維修D(zhuǎn)RAM半導(dǎo)體產(chǎn)線蒸鍍?cè)O(shè)備過(guò)程中，海力士合作廠2位員工因操作不當(dāng)，使設(shè)備內(nèi)殘留的液化氣體外泄。

半導(dǎo)體
2011-05-25

半導(dǎo)體電子海力士 DRAM
韓DRAM微細(xì)制程比重高　占市場(chǎng)優(yōu)勢(shì)

據(jù)南韓電子新聞報(bào)導(dǎo)，南韓半導(dǎo)體業(yè)者在衡量記憶體晶片業(yè)者競(jìng)爭(zhēng)力高低的微細(xì)制程比重大占優(yōu)勢(shì)，維持在全球DRAM市場(chǎng)的主導(dǎo)權(quán)，尤其40奈米等級(jí)微細(xì)制程擴(kuò)大，使南韓企業(yè)市占率隨之?dāng)U大，在2011年第1季寫(xiě)下不錯(cuò)成績(jī)，其他

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2011-05-25

美光爾必達(dá) 海力士 DRAM
去年DRAM模組廠排名金士頓市占破5成稱王

研究機(jī)構(gòu)集邦科技針對(duì)2010年DRAM模組廠進(jìn)行調(diào)查，公布最新的市占排名，其中獨(dú)立記憶體廠金士頓市占率首度突破50%，不但穩(wěn)居龍頭，其市占率與業(yè)績(jī)?cè)黾臃染烈曂瑯I(yè)，反觀其他的競(jìng)爭(zhēng)同業(yè)，市占率普遍都有下滑的跡象。

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2011-05-25

金士頓 GE PI DRAM
Q2續(xù)虧臺(tái)DRAM廠寄望Q3

受到DRAM產(chǎn)業(yè)第2季轉(zhuǎn)虧為盈機(jī)會(huì)落空，以及南科（2408）6月停止信用交易在即，南科股價(jià)寫(xiě)下減資掛牌以來(lái)的新低水平，即將面臨票面保衛(wèi)戰(zhàn)，同集團(tuán)的華亞科（3474）亦受到影響，股價(jià)亦創(chuàng)2年多以來(lái)的新低紀(jì)錄，隨著兩檔D

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2011-05-25

DRAM
爾必達(dá)投資800億日元應(yīng)對(duì)DRAM 50％/年的需求增長(zhǎng)

日本爾必達(dá)存儲(chǔ)器正致力于通過(guò)小額設(shè)備投資實(shí)現(xiàn)大幅增產(chǎn)的“高明投資”方式。該公司預(yù)計(jì)2011財(cái)年（2011年4月～2012年3月）的DRAM需求增幅將達(dá)到50％/年，但卻打算以較上財(cái)年減少30％的設(shè)備投資額（800億日元）來(lái)應(yīng)對(duì)

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2011-05-23

嵌入式爾必達(dá) 5NM DRAM
爾必達(dá)投資800億日元應(yīng)對(duì)DRAM 50％/年的需求增長(zhǎng)

日本爾必達(dá)存儲(chǔ)器正致力于通過(guò)小額設(shè)備投資實(shí)現(xiàn)大幅增產(chǎn)的“高明投資”方式。該公司預(yù)計(jì)2011財(cái)年（2011年4月～2012年3月）的DRAM需求增幅將達(dá)到50％/年，但卻打算以較上財(cái)年減少30％的設(shè)備投資額（800億日

智能硬件
2011-05-23

嵌入式爾必達(dá) 5NM DRAM
DRAM產(chǎn)業(yè)為徹底復(fù)蘇爭(zhēng)取時(shí)間

茂德在2010年已將新竹12?晶圓廠賣給旺宏，是賣廠止血的第1步，當(dāng)時(shí)出售價(jià)格超過(guò)新臺(tái)幣80億元，業(yè)界認(rèn)為此價(jià)格對(duì)茂德算有利；之后DRAM價(jià)格進(jìn)入二度崩盤，業(yè)界也點(diǎn)名重慶渝德廠應(yīng)該是下一個(gè)處分目標(biāo)，因此市場(chǎng)對(duì)于茂德

消費(fèi)電子
2011-05-20

美光晶圓廠 NAND DRAM
DRAM產(chǎn)業(yè)賣廠爭(zhēng)取時(shí)間　治標(biāo)難治本

據(jù)DIGITIMES Research，中國(guó)大陸早在1988年就有由恩智浦(NXP)與上?；瘜W(xué)工業(yè)區(qū)投資實(shí)業(yè)合資成立第1家IC制造廠商上海先進(jìn)半導(dǎo)體(ASMC)，其后尚有首鋼日電(SGNEC)、無(wú)錫華潤(rùn)上華(CSMC)、華虹NEC (HH NEC)等晶圓代工廠

智能硬件
2011-05-19

美光晶圓廠 NAND DRAM

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DRAM

CMOS封裝板出貨旺　競(jìng)國(guó)擬再擴(kuò)產(chǎn)

爾必達(dá)與聯(lián)電力成合作開(kāi)發(fā)TSV產(chǎn)品

iSuppli研究報(bào)告稱今年DRAM市場(chǎng)將維持連續(xù)2年雙位數(shù)成長(zhǎng)

iSuppli研究報(bào)告稱今年DRAM市場(chǎng)將維持連續(xù)2年雙位數(shù)成長(zhǎng)

急單到存儲(chǔ)器封測(cè)廠本季展望

京元電高筑墻挺立24年

矽品喊漲價(jià)Q3營(yíng)運(yùn)吃補(bǔ)

封測(cè)代工喊漲廠商Q3受補(bǔ)

韓DRAM微細(xì)制程比重高占市場(chǎng)優(yōu)勢(shì)

韓DRAM微細(xì)制程比重高占市場(chǎng)優(yōu)勢(shì)

京元電獲美廠F-RAM大單

茂德以人民幣1億元賣掉重慶8吋晶圓廠

海力士半導(dǎo)體廠氣體外泄

韓DRAM微細(xì)制程比重高　占市場(chǎng)優(yōu)勢(shì)

去年DRAM模組廠排名金士頓市占破5成稱王

Q2續(xù)虧臺(tái)DRAM廠寄望Q3

爾必達(dá)投資800億日元應(yīng)對(duì)DRAM 50％/年的需求增長(zhǎng)

爾必達(dá)投資800億日元應(yīng)對(duì)DRAM 50％/年的需求增長(zhǎng)

DRAM產(chǎn)業(yè)為徹底復(fù)蘇爭(zhēng)取時(shí)間

DRAM產(chǎn)業(yè)賣廠爭(zhēng)取時(shí)間　治標(biāo)難治本

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