功率MOSFET的感性負(fù)載關(guān)斷過程和開通過程一樣，有4個(gè)階段，但是時(shí)間常數(shù)不一樣。驅(qū)動(dòng)回路的等效電路圖如圖1所示，RG1為功率MOSFET外部串聯(lián)的柵極電阻，RG2為功率MOSFET內(nèi)部的柵極電阻，RDown為驅(qū)動(dòng)電路的下拉電阻，關(guān)斷時(shí)柵極總的等效串聯(lián)柵極電阻RGoff=RDown+RG1+RG2。

(3)模式M3：t7-t8

從t7時(shí)刻開始，ID電流從最大值減小，VDS電壓保持電源電壓VDD不變，當(dāng)VGS電壓減小到VGS(th)時(shí)，ID電流也減小到約為0時(shí)，這個(gè)階段結(jié)束。

VGS電壓的變化公式和模式1相同，只是起始電壓和結(jié)束電壓不一樣。

(4)模式M4：t8-t9

這個(gè)階段為ID電流為0，VDS電壓保持電源電壓VDD不變，當(dāng)VGS電壓減小到0時(shí)，這個(gè)階段結(jié)束，VGS電壓的變化公式和模式1相同。

在關(guān)斷過程中，t6~t7和t7~t8二個(gè)階段電流和電壓產(chǎn)生重疊交越區(qū)，因此產(chǎn)生開關(guān)損耗。

關(guān)斷損耗可以用下面公式計(jì)算：

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