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[導(dǎo)讀]現(xiàn)在大多數(shù)電子系統(tǒng)都要支持熱插拔功能,所謂熱插拔,也就是在系統(tǒng)正常工作時(shí),帶電對(duì)系統(tǒng)的某個(gè)單元進(jìn)行插拔操作,且不對(duì)系統(tǒng)產(chǎn)生任何影響。熱插拔對(duì)系統(tǒng)的影響主要有兩方面:其一,熱插拔時(shí),連接器的機(jī)械觸點(diǎn)在接觸瞬間會(huì)出現(xiàn)彈跳,引起電源振蕩,如下圖所示:這個(gè)振蕩過(guò)程會(huì)引起系統(tǒng)電源跌落,引起...

深入解析:電源緩啟動(dòng)原理


現(xiàn)在大多數(shù)電子系統(tǒng)都要支持熱插拔功能,所謂熱插拔,也就是在系統(tǒng)正常工作時(shí),帶電對(duì)系統(tǒng)的某個(gè)單元進(jìn)行插拔操作,且不對(duì)系統(tǒng)產(chǎn)生任何影響。


熱插拔對(duì)系統(tǒng)的影響主要有兩方面:

其一,熱插拔時(shí),連接器的機(jī)械觸點(diǎn)在接觸瞬間會(huì)出現(xiàn)彈跳,引起電源振蕩,如下圖所示:


深入解析:電源緩啟動(dòng)原理

這個(gè)振蕩過(guò)程會(huì)引起系統(tǒng)電源跌落,引起誤碼,或系統(tǒng)重啟,也可能會(huì)引起連接器打火,引發(fā)火災(zāi)。


解決的辦法就是延遲連接器的通電時(shí)間,在連接器抖動(dòng)的那十幾毫秒內(nèi)((t1至t2)不給連接器通電,等插入穩(wěn)定后(t2后)再通電,即防抖動(dòng)延時(shí)。

其二,熱插拔時(shí),由于系統(tǒng)大容量?jī)?chǔ)能電容的充電效應(yīng),系統(tǒng)中會(huì)出現(xiàn)很大的沖擊電流,大家都知道,電容在充電時(shí),電流呈指數(shù)趨勢(shì)下降(左下圖),所以在剛開(kāi)始充電的時(shí)候,其沖擊電流是非常大的。


深入解析:電源緩啟動(dòng)原理

此沖擊電流可能會(huì)燒毀設(shè)備電源保險(xiǎn)管,所以在熱插拔時(shí)必須對(duì)沖擊電流進(jìn)行控制,使其按理想的趨勢(shì)變化,如右上圖所示,圖中0~t1為電源緩啟動(dòng)時(shí)間。


綜上所述,緩啟動(dòng)電路主要的作用是實(shí)現(xiàn)兩項(xiàng)功能:
1).防抖動(dòng)延時(shí)上電;
2).控制輸入電流的上升斜率和幅值。

緩啟動(dòng)電路有兩種類(lèi)型:電壓斜率型和電流斜率型。
電壓斜率型緩啟動(dòng)電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,但是其輸出電流的變化受負(fù)載阻抗的影響較大,而電流斜率型緩啟動(dòng)電路的輸出電流變化不受負(fù)載影響,但是電路結(jié)構(gòu)復(fù)雜。

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下面重點(diǎn)介紹電壓型緩啟動(dòng)電路。
設(shè)計(jì)中通常使用MOS管來(lái)設(shè)計(jì)緩啟動(dòng)電路的。MOS管有導(dǎo)通阻抗Rds低和驅(qū)動(dòng)簡(jiǎn)單的特點(diǎn),在周?chē)由仙倭吭骷涂梢詷?gòu)成緩慢啟動(dòng)電路。通常情況下,在正電源中用PMOS,在負(fù)電源中使用NMOS。
下圖是用NMOS搭建的一個(gè)-48V電源緩啟動(dòng)電路,我們來(lái)分析下緩啟動(dòng)電路的工作原理。


深入解析:電源緩啟動(dòng)原理

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1).D1是嵌位二極管,防止輸入電壓過(guò)大損壞后級(jí)電路;
2).R2和C1的作用是實(shí)現(xiàn)防抖動(dòng)延時(shí)功能,實(shí)際應(yīng)用中R2一般選20K歐姆,C1選4.7uF左右;
3).R1的作用是給C1提供一個(gè)快速放電通道,要求R1的分壓值大于D3的穩(wěn)壓值,實(shí)際應(yīng)用中,R1一般選10K左右;
4).R3和C2用來(lái)控制上電電流的上升斜率,實(shí)際應(yīng)用中,R3一般選200K歐姆左右,C2取值為10 nF~100nF;
5).R4和R5的作用是防止MOS管自激振蕩,要求R4、R5lt;
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