科普：什么是導(dǎo)通電阻？
[導(dǎo)讀]何謂導(dǎo)通電阻？MOSFET工作（啟動）時，漏極和源極間的阻值稱為導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）。數(shù)值越小，工作時的損耗（功率損耗）越小。關(guān)于導(dǎo)通電阻的電氣特性晶體管的消耗功率用集電極飽和電壓（VCE(sat)）乘以集電極電流（IC）表示。（集電極損耗PC））＝（集電極飽和電壓VCE(...
何謂導(dǎo)通電阻？
MOSFET工作（啟動）時，漏極和源極間的阻值稱為導(dǎo)通電阻 （RDS(ON)）。數(shù)值越小，工作時的損耗（功率損耗）越小。
關(guān)于導(dǎo)通電阻的電氣特性
晶體管的消耗功率用集電極飽和電壓 （VCE(sat)） 乘以集電極電流（IC）表示。- （集電極損耗PC））＝（集電極飽和電壓VCE(sat)?）x（集電極電流IC）
- MOSFET的消耗功率是用漏極源極間導(dǎo)通電阻 （RDS(ON)） 計(jì)算。
MOSFET消耗的功率PD用MOSFET自身具有的導(dǎo)通電阻乘以漏極電流（ID)的平方表示。 - （功率PD）＝（導(dǎo)通電阻RDS(ON)?） x （漏極電流ID）2
- 此功率將變成熱量散發(fā)出去。
MOSFET的導(dǎo)通電阻一般在Ω極以下，與一般的晶體管相比，消耗功率小。即發(fā)熱小，散熱對策簡單。
如左上圖所示，柵極源極間電壓越高，導(dǎo)通電阻越小。另外，柵極源極間電壓相同的條件下，導(dǎo)通電阻因電流不同而不同。計(jì)算功率損耗時，需要考慮柵極源極間電壓和漏極電流，選擇適合的導(dǎo)通電阻。
另外，如右上圖所示，導(dǎo)通電阻因溫度變化而變化，因此需要注意這一特性。
導(dǎo)通電阻比較
一般MOSFET的芯片尺寸（表面面積）越大，導(dǎo)通電阻越小。下圖顯示了不同尺寸的小型封裝條件下，羅姆最小導(dǎo)通電阻值的比較。
封裝尺寸越大可搭載的芯片尺寸就越大，因此導(dǎo)通電阻越小。
羅姆針對各種不同的封裝尺寸，備有低導(dǎo)通電阻的產(chǎn)品。
選擇更大尺寸的封裝，導(dǎo)通電阻會更小。
各封裝的搜索頁請點(diǎn)這里
DFN0604 (0.6x0.6mm)
DFN1006 (1.0x0.6mm）
DFN2020 (2.0x2.0mm）
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