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[導(dǎo)讀]什么是IGBT所謂IGBT(絕緣柵雙極型晶體管),是由BJT(雙極結(jié)型晶體三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型-電壓驅(qū)動式-功率半導(dǎo)體器件,其具有自關(guān)斷的特征。簡單講,是一個非通即斷的開關(guān),IGBT沒有放大電壓的功能,導(dǎo)通時可以看做導(dǎo)線,斷開時當(dāng)做開路。IGBT融...

什么是IGBT所謂IGBT(絕緣柵雙極型晶體管),是由 BJT(雙極結(jié)型晶體三極管) 和 MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管) 組成的復(fù)合全控型-電壓驅(qū)動式-功率半導(dǎo)體器件,其具有自關(guān)斷的特征。簡單講,是一個非通即斷的開關(guān),IGBT沒有放大電壓的功能,導(dǎo)通時可以看做導(dǎo)線,斷開時當(dāng)做開路。IGBT融合了BJT和MOSFET的兩種器件的優(yōu)點(diǎn),如驅(qū)動功率小和飽和壓降低等。而平時我們在實(shí)際中使用的IGBT模塊是由IGBT與FWD(續(xù)流二極管芯片)通過特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導(dǎo)體產(chǎn)品,具有節(jié)能、安裝維修方便、散熱穩(wěn)定等特點(diǎn)。國內(nèi)IGBT企業(yè)崛起IGBT是事關(guān)國家經(jīng)濟(jì)發(fā)展的基礎(chǔ)性產(chǎn)品,如此重要的IGBT,長期以來我國卻不得不面對依賴進(jìn)口的尷尬局面,市場主要被英飛凌、三菱、富士電機(jī)為首的國際巨頭壟斷。自2005年開始,大量海外IGBT人才紛紛歸國投入國產(chǎn)IGBT芯片和模塊產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,尤其是以美國國際整流器公司(IR)回國人員最多。從IR歸國主要從事芯片開發(fā)的專家有斯達(dá)半導(dǎo)湯藝博士、達(dá)新半導(dǎo)體陳智勇博士、陸芯科技張杰博士等,以上幾家公司都已成為以自產(chǎn)IGBT芯片為主的產(chǎn)品公司。另外IR歸國從事模塊開發(fā)的專家還有銀茂微電子莊偉東博士。中科院微電子所較早涉足IGBT行業(yè),主要由無錫中科君芯承擔(dān)IGBT研發(fā)工作,中科君芯的研發(fā)團(tuán)隊先后有微電子所、IR、日本電裝、成電等技術(shù)團(tuán)隊的加入。斯達(dá)半導(dǎo)作為國內(nèi)IGBT行業(yè)的領(lǐng)軍企業(yè),成立于2005年,于2020年2月4日在上交所主板成功上市。公司自主研發(fā)設(shè)計的IGBT芯片和快恢復(fù)二極管芯片是公司的核心競爭力之一。據(jù)IHSMarkit報告數(shù)據(jù)顯示,在2018年度IGBT模塊供應(yīng)商全球市場份額排名中,斯達(dá)半導(dǎo)排名第8位,在中國企業(yè)中排名第1位,成為世界排名前十中唯一一家中國企業(yè)。其中斯達(dá)半導(dǎo)自主研發(fā)的第二代芯片(國際第六代芯片F(xiàn)S-Trench)已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),成功打破了國外企業(yè)常年對IGBT芯片的壟斷。成立于2013年的寧波達(dá)新,主要從事IGBT、MOSFET、FRD等功率半導(dǎo)體芯片與器件的設(shè)計、制造和銷售。公司在8寸及6寸晶圓制造平臺成功開發(fā)600V-3300V IGBT芯片產(chǎn)品,芯片電流等級涵蓋10A~200A。采用自主IGBT芯片,達(dá)新推出了系列化的滿足工業(yè)應(yīng)用、消費(fèi)電子、新能源的IGBT模塊,模塊電壓涵蓋600V~1700V,電流等級涵蓋10A ~ 800A。上海陸芯電子科技聚焦于功率半導(dǎo)體(IGBT、SJMOS
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