[導(dǎo)讀]日本存儲(chǔ)器大廠爾必達(dá)(Elpida)公布,已于2011年7月試產(chǎn)25納米(nm)的2GBDDR3SDRAM「EDJ2104BFSE/EDJ2108BFSE」樣品。該公司為全球首家推出25納米DRAM的企業(yè),芯片面積也是世界最小。爾必達(dá)表示,25納米制程技術(shù)早于5
日本存儲(chǔ)器大廠爾必達(dá)(Elpida)公布,已于2011年7月試產(chǎn)25納米(nm)的2GBDDR3SDRAM「EDJ2104BFSE/EDJ2108BFSE」樣品。該公司為全球首家推出25納米DRAM的企業(yè),芯片面積也是世界最小。
爾必達(dá)表示,25納米制程技術(shù)早于5月研發(fā)完成,本次是公布產(chǎn)品順利生產(chǎn)。25納米DRAM傳送資料的速率將比30納米更快,1針腳即有1,866Mb/秒以上,且待機(jī)耗電量減少20%。
爾必達(dá)計(jì)劃于2011年底推出同等技術(shù)規(guī)格的4GBDDR3SDRAM,同時(shí)供智能型手機(jī)(Smartphone)和平板計(jì)算機(jī)(TabletPC)等行動(dòng)裝置使用的MobileRAM也有望陸續(xù)上市。
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3月22日,據(jù)韓國(guó)主流財(cái)經(jīng)媒體最新報(bào)道,長(zhǎng)期被視為三星電子“包袱”的晶圓代工業(yè)務(wù),正迎來(lái)歷史性的拐點(diǎn)。
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三星
存儲(chǔ)芯片
DRAM
全球電子產(chǎn)業(yè)鏈正經(jīng)歷一場(chǎng)前所未有的存儲(chǔ)危機(jī)。在人工智能(AI)算力需求爆發(fā)與先進(jìn)制程產(chǎn)能擴(kuò)張緩慢的雙重?cái)D壓下,全球存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)已正式從“買(mǎi)方市場(chǎng)”徹底逆轉(zhuǎn)為“賣(mài)方市場(chǎng)”。
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SK海力士
DRAM
阿里云
在計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的存儲(chǔ)架構(gòu)中,隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)是支撐系統(tǒng)高速運(yùn)行的核心組件,而其中的靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM)和動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM),就像一對(duì)性格迥異卻又默契十足的雙子星,各自在不同的領(lǐng)域發(fā)揮著關(guān)鍵作用...
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SRAM
DRAM
Feb. 26, 2026 ---- 根據(jù)TrendForce集邦咨詢(xún)最新調(diào)查顯示,由于AI應(yīng)用由LLM模型訓(xùn)練延伸至推理,推動(dòng)CSPs業(yè)者的數(shù)據(jù)中心建置重心由AI Server延伸至General Server,進(jìn)一步...
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DRAM
數(shù)據(jù)中心
AI
上海2026年2月14日 /美通社/ -- 2026年2月12日,SGS通標(biāo)標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)服務(wù)有限公司為騰訊(股票代碼:00700.HK)頒發(fā)GB/T 35770-2022/ISO 37301:2021合規(guī)管理體系、ISO 3...
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騰訊
互聯(lián)網(wǎng)
ISO
GB
科隆2026年2月4日 /美通社/ -- 國(guó)際獨(dú)立第三方檢測(cè)、檢驗(yàn)和認(rèn)證機(jī)構(gòu)德國(guó)萊茵TÜV(以下簡(jiǎn)稱(chēng)"TÜV萊茵")正式獲批為車(chē)輛標(biāo)準(zhǔn)...
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GB
零部件
中國(guó)制造
中國(guó)汽車(chē)
Feb. 2, 2026 ---- 根據(jù)TrendForce集邦咨詢(xún)最新存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)調(diào)查,2026年第一季AI與數(shù)據(jù)中心需求持續(xù)加劇全球存儲(chǔ)器供需失衡,原廠議價(jià)能力有增無(wú)減,TrendForce集邦咨詢(xún)據(jù)此全面上修第一季D...
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存儲(chǔ)器
DRAM
NAND Flash
1月20日消息,全球內(nèi)存瘋漲讓原廠賺得盆滿(mǎn)缽滿(mǎn),紛紛給員工發(fā)放豐厚的年終獎(jiǎng)。
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SK海力士
DRAM
三星
Jan. 22, 2026 ---- 根據(jù)全球市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce集邦咨詢(xún)最新研究,AI的創(chuàng)新帶來(lái)市場(chǎng)結(jié)構(gòu)性變化,數(shù)據(jù)的存取量持續(xù)擴(kuò)大,除了依賴(lài)高帶寬、大容量且低延遲的DRAM產(chǎn)品配置,以支撐大型模型參數(shù)存取...
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AI
存儲(chǔ)器
DRAM
1月20日消息,即便玩家們已經(jīng)對(duì)2026年的電子產(chǎn)品普漲有了心理準(zhǔn)備,但三星最新給出的定價(jià)策略依然讓人完全意想不到。
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三星
存儲(chǔ)芯片
DRAM
Jan. 19, 2026 ---- 根據(jù)TrendForce集邦咨詢(xún)最新DRAM產(chǎn)業(yè)調(diào)查,隨著Micron(美光科技)計(jì)劃以18億美元收購(gòu)PSMC(力積電)在銅鑼的廠房(不含生產(chǎn)相關(guān)機(jī)器設(shè)備),雙方將建立長(zhǎng)期的DRAM...
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DRAM
晶圓
ASIC
業(yè)界首款專(zhuān)為數(shù)據(jù)中心設(shè)計(jì)、采用 RAIDDR ECC 算法的 LPDDR5X IP 系統(tǒng)解決方案
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人工智能
DRAM
數(shù)據(jù)中心
廣州2026年1月16日 /美通社/ -- 近日,SGS消防科技事業(yè)部順利通過(guò)香港實(shí)驗(yàn)所認(rèn)可計(jì)劃(HOKLAS)針對(duì)墜落防護(hù)安全網(wǎng)產(chǎn)品阻燃性能測(cè)試能力的擴(kuò)項(xiàng)認(rèn)可! HOKLAS由香港認(rèn)可處管理,是香港地區(qū)最具權(quán)威性的實(shí)...
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防護(hù)
阻燃
測(cè)試
GB
臺(tái)北2026年1月9日 /美通社/ -- 電腦品牌技嘉科技于 CES 2026 正式發(fā)布CQDIMM(Clocked Unbuffered Dual In-Line Memory Module) 技術(shù),為高性能內(nèi)存應(yīng)用帶...
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DDR
GB
CE
6G
根據(jù)TrendForce集邦咨詢(xún)最新調(diào)查,2026年第一季由于DRAM原廠大規(guī)模轉(zhuǎn)移先進(jìn)制程、新產(chǎn)能至Server、HBM應(yīng)用,以滿(mǎn)足AI Server需求,導(dǎo)致其他市場(chǎng)供給嚴(yán)重緊縮,預(yù)估整體一般型DRAM(Conven...
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存儲(chǔ)器
DRAM
AI
凝聚各界力量,推動(dòng)兩地產(chǎn)業(yè)領(lǐng)袖合作 香港2025年12月24日 /美通社/ -- 由社會(huì)企業(yè)研究院(Social Enterprise Research Academy, SERA)主辦之"2025 ESG領(lǐng)...
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GB
騰訊
創(chuàng)始人
可持續(xù)發(fā)展
12月23日消息,三星在本月推出了Exynos 2600,這是全球首款2nm手機(jī)芯片。不過(guò)三星做出了一個(gè)頗為反常的舉動(dòng)—未在Exynos 2600中集成5G基帶,此舉可能是為了簡(jiǎn)化應(yīng)用處理器的制造流程。
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三星
存儲(chǔ)芯片
DRAM
在計(jì)算機(jī)和電子設(shè)備中,內(nèi)存是數(shù)據(jù)存儲(chǔ)與訪問(wèn)的核心組件,直接影響系統(tǒng)性能與效率。SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)和DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)作為兩種主流內(nèi)存技術(shù),各自占據(jù)獨(dú)特生態(tài)位。
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SRAM
DRAM
上海2025年12月22日 /美通社/ -- 北京麥斯時(shí)代以ThingWorx為核心構(gòu)建全流程追溯體系,為儲(chǔ)氫瓶頭部企業(yè)生產(chǎn)注入?"數(shù)字基因"。 挑戰(zhàn) 人工追溯效率低,問(wèn)題定位耗時(shí) 關(guān)鍵工序參數(shù)人工監(jiān)控易偏...
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自動(dòng)化
數(shù)字化
BSP
GB
惠州2025年12月19日 /美通社/ -- 近日,SGS通標(biāo)標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)服務(wù)有限公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng):SGS通標(biāo))為惠州億緯鋰能股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng):億緯鋰能)頒發(fā)GB/T 35770-2022/ISO 37301:2021合...
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ISO
GB
鋰電池
信息安全