在關于SiC功率半導體的國際學會“ICSCRM 2013”（2013年9月29日～10月4日，日本宮崎縣Phoenix Seagaia Resort）的展示會場內(nèi)，多家SiC基板廠商展示了直徑為6英寸（150mm）的晶圓。這種晶圓是現(xiàn)行3～4英寸（75mm～100mm）晶圓的下一代產(chǎn)品?？其J已率先供貨6英寸晶圓，但估計緊隨其后的各SiC基板廠商會在2013年下半年～2014年陸續(xù)正式投放產(chǎn)品。



基板品質(zhì)得到一致好評的新日鐵住金目前已開始提供6英寸晶圓的樣品，打算2014年開始量產(chǎn)供貨。預定供應裸晶圓以及由外部企業(yè)完成外延膜成膜的外延晶圓。該公司稱，其4英寸（100mm）晶圓的品質(zhì)“包括差排缺陷密度在內(nèi)，均達到了非常高的水平，6英寸晶圓也在減少缺陷迎頭趕上”。目前新日鐵住金正瞄準今后6英寸晶圓市場不斷擴大的趨勢，“討論是否需要自己擁有外延膜成膜能力”。

另外，新日鐵住金的母體企業(yè)是過去的新日本制鐵和住友金屬，住友金屬以前一直在開發(fā)基于溶液法的SiC結晶成長技術。因此，新日鐵住金目前正在同時開發(fā)溶液法和（原新日本制鐵開發(fā)的）升華法兩種技術。

羅姆旗下的SiCrystal公司將于2013年底～2014年3月開始量產(chǎn)供應6英寸晶圓。SiCrystal的銷售代理商介紹說，SiCrystal并未開發(fā)外延晶圓，而是專注于如何低價供應高品質(zhì)裸晶圓。由于建立了由羅姆迅速對開發(fā)出的SiC晶圓進行測評的體制，因此“可以盡快獲得基板品質(zhì)的相關反饋意見，從而促進品質(zhì)的提高”。


昭和電工在ICSCRM 2013舉行之際，于2013年9月30日宣布確立了150mm直徑外延晶圓的量產(chǎn)技術（參閱本站報道）。該公司已從2013年初開始提供該晶圓的樣品，將從10月開始提供產(chǎn)品。計劃先只提供n型外延晶圓，2015年前后再開始提供p型外延晶圓。（記者：大下 淳一，日經(jīng)BP半導體調(diào)查）