兩大韓系內(nèi)存廠三星電子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix)紛傳出將大幅調(diào)高2010年資本支出，繼三星預(yù)計(jì)投入30億美元擴(kuò)產(chǎn)及制程微縮后，海力士2010年資本支出亦將倍增至20億美元，使得爾必達(dá)(Elpida)和美光(Micron)加緊腳步與臺(tái)系DRAM廠合作，盡管過(guò)去喊出的臺(tái)美日廠連手抗韓策略，在DRAM整合戲碼停擺后沒(méi)再被提起，但DRAM廠指出，實(shí)際上全球4大DRAM陣營(yíng)板塊運(yùn)動(dòng)，仍按照臺(tái)美日廠連手抗韓局勢(shì)發(fā)展。

隨著三星和海力士都擴(kuò)增2010年資本支出，隱約釋出對(duì)2010年DRAM和NAND Flash產(chǎn)業(yè)樂(lè)觀看法，以2010年三星30億美元資本支出為例，雖然還未回到2007、2008年逾40億美元資本支出水平，但已較2009年大幅成長(zhǎng)；目前三星單月12吋晶圓DRAM芯片產(chǎn)出超過(guò)30萬(wàn)片。

海力士2010年資本支出約20億美元，與2009年相比成長(zhǎng)超過(guò)1倍，其中，13億美元花在DRAM芯片，7億美元花在NAND Flash芯片。海力士2009年與臺(tái)廠茂德緣分告終，但并未影響DRAM擴(kuò)產(chǎn)進(jìn)度，目前海力士單月12吋晶圓DRAM芯片產(chǎn)出超過(guò)20萬(wàn)片，2010年將致力往40納米制程發(fā)展。

2008年底DRAM產(chǎn)業(yè)整合定調(diào)為臺(tái)美日廠聯(lián)盟，連手對(duì)抗韓廠，在這樣氛圍下使得海力士退出臺(tái)DRAM產(chǎn)業(yè)，茂德轉(zhuǎn)向與日系陣營(yíng)合作，臺(tái)DRAM產(chǎn)業(yè)整合雖破局，但臺(tái)美、臺(tái)日陣營(yíng)聯(lián)盟抗韓效應(yīng)，卻仍發(fā)酵中。

內(nèi)存業(yè)者認(rèn)為，面對(duì)韓系大軍調(diào)高資本支出，爾必達(dá)2009年資本支出為5億美元，2010年暫訂6億美元，表面上增加支出金額相當(dāng)小，但實(shí)際上大部分支出都轉(zhuǎn)嫁至臺(tái)廠，包括力晶、瑞晶、茂德、華邦電等，尤其是子公司瑞晶2010年資本支出高達(dá)4億美元，會(huì)是臺(tái)日聯(lián)盟主要基地。

在臺(tái)美陣營(yíng)方面，美光雖然沒(méi)有獲得臺(tái)灣當(dāng)局金援，但自身募資成功，加上合作伙伴南亞科和子公司華亞科2009年連番募資成功，2010年大量轉(zhuǎn)進(jìn)50奈米制程，亦將成功穩(wěn)固臺(tái)美陣營(yíng)實(shí)力。

整體來(lái)看，原本全球DRAM產(chǎn)業(yè)有5大陣營(yíng)，2009年奇夢(mèng)達(dá)(Qimonda)遭洗牌出局后，海力士亦被洗出臺(tái)灣市場(chǎng)，未來(lái)全球4大陣營(yíng)也1分為2，由臺(tái)美日廠對(duì)抗韓廠，其中，日廠爾必達(dá)和美系美光在全球DRAM產(chǎn)業(yè)三哥寶座競(jìng)爭(zhēng)激烈，臺(tái)廠產(chǎn)能將牽動(dòng)未來(lái)全球DRAM市占版圖。