日本黄色一级经典视频|伊人久久精品视频|亚洲黄色色周成人视频九九九|av免费网址黄色小短片|黄色Av无码亚洲成年人|亚洲1区2区3区无码|真人黄片免费观看|无码一级小说欧美日免费三级|日韩中文字幕91在线看|精品久久久无码中文字幕边打电话

當前位置:首頁 > 電源 > 功率器件
[導讀]為了滿足全球各地的能效標準要求,太陽能逆變器、不間斷電源(UPS)和馬達驅動等工業(yè)應用的設計人員需要具備更低功耗和更快開關速度的性能更高的柵極驅動光耦合器。飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor) 為此開發(fā)出

為了滿足全球各地的能效標準要求,太陽能逆變器、不間斷電源(UPS)和馬達驅動等工業(yè)應用的設計人員需要具備更低功耗和更快開關速度的性能更高的柵極驅動光耦合器。飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor) 為此開發(fā)出一款輸出電流為3A的高速MOSFET/IGBT柵極驅動光耦合器產品FOD3184。該器件適用于工作頻率高達250kHz的功率MOSFET和IGBT的高頻驅動,相比常用的FOD3120柵極驅動器,新器件的傳輸遲延時間縮短了50%,功耗降低了13%。

FOD3184由鋁砷化鎵(AIGaAs)發(fā)光二極管和集成在電路功率級中帶有PMOS和 NMOS輸出功率晶體管的CMOS檢測器以光學方式耦合構成,PMOS上拉晶體管具有低 RDS(ON),能夠降低內部功耗和提供接近軌對軌輸出電壓擺幅能力。該器件具有高抗噪能力,最低共模噪聲抑制比(CMR)為35kV/µs,適合嘈雜的工業(yè)應用。

FOD3184還具有15V至30V寬VCC工作電壓范圍 、3A最大峰值輸出電流,并確保-40ºC至+100ºC的工作溫度范圍。還具有專為驅動IGBT而優(yōu)化的帶有遲滯作用的欠壓鎖定(UVLO)保護功能。

FOD3184采用8腳雙列直插封裝,提供>8.0mm的爬電距離(creepage)和電氣間隙,可配合安全機構至關重要的終端應用要求。此外,封裝符合無鉛焊接標準對260ºC回流焊工藝的要求,F(xiàn)OD3184具有1,414V的額定工作電壓(VIORM),能夠驅動1,200V負載,并保持長期可靠的隔離性能。

FOD3184是飛兆半導體提供同級最佳抗噪能力、更快開關速度和更高功效的全面廣泛的高性能光耦合器產品系列的成員。飛兆半導體將開發(fā)更多同類型解決方案,以推動工程師的設計創(chuàng)新。

價格(訂購1,000個): FOD3184的單價為1.51美元

供貨: 現(xiàn)提供樣品

交貨期 :6周
 

本站聲明: 本文章由作者或相關機構授權發(fā)布,目的在于傳遞更多信息,并不代表本站贊同其觀點,本站亦不保證或承諾內容真實性等。需要轉載請聯(lián)系該專欄作者,如若文章內容侵犯您的權益,請及時聯(lián)系本站刪除。
換一批
延伸閱讀

傳統(tǒng)上,耗盡型 MOSFET 被歸類為線性器件,因為源極和漏極之間的傳導通道無法被夾斷,因此不適合數(shù)字開關。這種誤解的種子是由 Dawon Kahng 博士播下的,他在 1959 年發(fā)明了第一個耗盡型 MOSFET——只...

關鍵字: MOSFET 數(shù)字開關

為了最大限度地減少開關階段的功耗,必須盡快對柵極電容器進行充電和放電。市場提供了特殊的電路來最小化這個過渡期。如果驅動器可以提供更高的柵極電流,則功率損耗會降低,因為功率瞬態(tài)的峰值會更短。一般來說,柵極驅動器執(zhí)行以下任務...

關鍵字: 柵極驅動器 MOSFET

在設計功率轉換器時,可以使用仿真模型在多個設計維度之間進行權衡。使用有源器件的簡易開關模型可以進行快速仿真,帶來更多的工程洞見。然而,與制造商精細的器件模型相比,這種簡易的器件模型無法在設計中提供與之相匹敵的可信度。本文...

關鍵字: 英飛凌 MOSFET

該穩(wěn)壓器內置一個MOSFET和一個續(xù)流二極管,MOSFET提供交流發(fā)電機勵磁電流,當勵磁關閉時,續(xù)流二極管負責提供轉子電流。發(fā)電機閉環(huán)運行具有負載響應控制 (LRC)和回路LRC控制,當車輛的整體電能需求不斷變化時,使輸...

關鍵字: 意法半導體 穩(wěn)壓器 MOSFET 續(xù)流二極管

2022年樂瓦微推出新一代-60V P 溝道 SGT MOSFET系列產品,性能達到行業(yè)領先水平。P 溝道 MOSFET采用空穴流作為載流子,其遷移率小于N溝道 MOSFET 中的電子流,獨特的柵極負壓開啟機制,使其成為...

關鍵字: MOSFET 柵極驅動

在上一集中觀察到的雙極晶體管的缺點是開關時間太長,尤其是在高功率時。這樣,它們不能保證良好的飽和度,因此開關損耗是不可接受的。由于采用了“場效應”技術,使用稱為 Power-mos 或場效應功率晶體管的開關器件,這個問題...

關鍵字: 電力電子 MOSFET IGBT

8月22日,A股收盤后,士蘭微發(fā)布了2022年半年度報告,公司上半年實現(xiàn)營業(yè)收入41.85億元,同比增長26.49%;歸屬于上市公司股東的凈利潤5.99億元,同比增長39.12%;歸屬于上市公司股東的扣除非經常性損益的凈...

關鍵字: IGBT 士蘭微 PIM

碳化硅 (SiC) 因其更高的開關頻率和更高的結溫而被稱為汽車行業(yè)傳統(tǒng) Si IGBT 器件的繼承者。此外,在過去五年中,汽車行業(yè)已成為基于 SiC 的逆變器的公共試驗場。事實證明,通過 SiC 轉換器實現(xiàn) DC 到 A...

關鍵字: 碳化硅 (SiC) MOSFET

我們中的許多人都熟悉低功率直流電機,因為我們在日常生活中隨處可見它們。我們可能看不到所有更大的交流工業(yè)電機在幕后工作,以自動化我們的汽車組裝或提升我們每天乘坐的電梯。這些大功率電機由具有不同要求和更高電流的電子設備驅動。...

關鍵字: IGBT 低功率直流電機

在本系列的第 1 部分中,我們討論了如何正確選擇 IGBT 的控制電壓。這一次,您將了解有關隔離要求以及如何計算正確的IGBT 驅動功率的更多信息。 IGBT驅動電路的設計包括上下橋絕緣水平的選擇、驅動電壓水平的確定、驅...

關鍵字: IGBT IGBT驅動

功率器件

12198 篇文章

關注

發(fā)布文章

編輯精選

技術子站

關閉