EPC 推出了 40 V、1.6 m?的氮化鎵場效應(yīng)晶體管 （eGaN® FET），器件型號為，專為設(shè)計(jì)人員而設(shè)，EPC2069比目前市場上可選的器件更小、更高效、更可靠，適用于高性能且空間受限的應(yīng)用。

HYPERLINK 是增強(qiáng)型硅基氮化鎵功率晶體管和集成電路的全球領(lǐng)導(dǎo)者。新推的EPC2069（典型值為 1.6 mΩ、40 V）是更高性能的低壓器件，可立即供貨。

EPC2069 非常適合需要高功率密度的應(yīng)用，包括48 V-54 V輸入服務(wù)器。較低的柵極電荷和零反向恢復(fù)損耗可實(shí)現(xiàn)1 MHz及更高頻率的高頻操作、高效并在10.6 mm2 的微小占位面積內(nèi)，實(shí)現(xiàn)高功率密度。EPC2069器件可支持48V/12V DC/DC解決方案，范圍從 500 W 到 2 kW，效率超過98%。在初級側(cè)和次級側(cè)使用氮化鎵（eGaN）器件可實(shí)現(xiàn)超過4000 W/in3的最大功率密度。

EPC公司首席執(zhí)行官兼共同創(chuàng)辦人Alex Lidow 表示：“EPC2069器件專為從40 V–60 V轉(zhuǎn)至12 V的LLCDC/DC轉(zhuǎn)換器的次級側(cè)而設(shè)計(jì)，目前非常普遍用于48 V–54 V輸入的服務(wù)器，以應(yīng)對人工智能和游戲等高密度計(jì)算應(yīng)用所需。與上一代40 V GaN FET相比，這款40 V器件的尺寸更小、寄生電感更小和成本更低，從而讓設(shè)計(jì)師實(shí)現(xiàn)更高的性能和成本效益”。

開發(fā)板的最大器件電壓為40 V 、最大輸出電流為40A，配備板載柵極驅(qū)動(dòng)器的半橋器件，采用了EPC2069eGaN FET。這款 2”x 2”(50.8 mm x 50.8 mm)。電路板專為實(shí)現(xiàn)最佳開關(guān)性能而設(shè)計(jì)，包含所有關(guān)鍵組件，讓工程師易于評估EPC2069。

一個(gè)2,500顆的卷盤的EPC2069單價(jià)為2.73美元，EPC90139開發(fā)板的單價(jià)為123.75美元，均可從Digi-Key購買 。