臺(tái)積電1.8nm工廠(chǎng)曝光，2026年量產(chǎn)
[導(dǎo)讀]來(lái)源：本文轉(zhuǎn)載自工商時(shí)報(bào)。護(hù)島神山出決勝新武器。臺(tái)積電先進(jìn)制程晶圓廠(chǎng)根留臺(tái)灣，其中2納米Fab20超大型晶圓廠(chǎng)已選定建廠(chǎng)地點(diǎn)為新竹寶山，2納米之后的更先進(jìn)制程已進(jìn)入埃米（angstorm）時(shí)代，預(yù)期臺(tái)積電將推進(jìn)到18埃米（1.8納米），雖然尚未決定設(shè)廠(chǎng)地點(diǎn)，但據(jù)設(shè)備業(yè)者指出，臺(tái)積...
來(lái)源：本文轉(zhuǎn)載自工商時(shí)報(bào)。
護(hù)島神山出決勝新武器。臺(tái)積電先進(jìn)制程晶圓廠(chǎng)根留臺(tái)灣，其中2納米Fab 20超大型晶圓廠(chǎng)已選定建廠(chǎng)地點(diǎn)為新竹寶山，2納米之后的更先進(jìn)制程已進(jìn)入埃米（angstorm）時(shí)代，預(yù)期臺(tái)積電將推進(jìn)到18埃米（1.8納米），雖然尚未決定設(shè)廠(chǎng)地點(diǎn)，但據(jù)設(shè)備業(yè)者指出，臺(tái)積電18埃米先進(jìn)制程晶圓廠(chǎng)可望落腳臺(tái)中，現(xiàn)在中科Fab 15廠(chǎng)旁的高爾夫球場(chǎng)已被納入考慮。
隨著半導(dǎo)體制程將于2024年進(jìn)入埃米時(shí)代，臺(tái)積電的建廠(chǎng)動(dòng)向受到業(yè)界及市場(chǎng)矚目，市場(chǎng)傳出臺(tái)積電下一座先進(jìn)制程晶圓廠(chǎng)可望落腳臺(tái)中，現(xiàn)在中科Fab 15廠(chǎng)旁的興農(nóng)高爾夫球場(chǎng)及軍方用地已納入考慮，臺(tái)積電若取得用地，將用于建置2奈米以下先進(jìn)制程的超大型晶圓廠(chǎng)區(qū)，并分為第一期到第四期建廠(chǎng)計(jì)劃，等于會(huì)在當(dāng)?shù)嘏d建4座12吋晶圓廠(chǎng)。
臺(tái)積電表示，設(shè)廠(chǎng)地點(diǎn)選擇有諸多考量因素，臺(tái)積公司以臺(tái)灣作為主要基地，不排除任何可能性，維持過(guò)去擴(kuò)廠(chǎng)步調(diào)持續(xù)與管理局合作評(píng)估適合半導(dǎo)體建廠(chǎng)之用地，包含新竹、臺(tái)中及高雄。目前尚無(wú)具體定案，一切以公司對(duì)外公告為主。
臺(tái)積電已確認(rèn)的先進(jìn)制程晶圓廠(chǎng)建廠(chǎng)計(jì)畫(huà)，包括南科Fab 18超大型晶圓廠(chǎng)（GigaFab）將建置P1～P4共4座5納米晶圓廠(chǎng)，P5～P8共4座3納米晶圓廠(chǎng)。其中P1～P3廠(chǎng)已進(jìn)入量產(chǎn)，P4～P6廠(chǎng)正在興建中，未來(lái)將再擴(kuò)建P7～P8廠(chǎng)。另外，南科Fab 14超大型晶圓廠(chǎng)將擴(kuò)建P8廠(chǎng)為特殊制程生產(chǎn)基地。
臺(tái)積電竹科Fab 12超大型晶圓廠(chǎng)將擴(kuò)建P8～P9廠(chǎng)為研發(fā)中心，P8廠(chǎng)將在今年完成。臺(tái)積電預(yù)計(jì)在竹科寶山興建Fab 20超大型晶圓廠(chǎng)，將在完成土地取得后啟動(dòng)建廠(chǎng)計(jì)劃，未來(lái)將成為2納米生產(chǎn)重鎮(zhèn)。
臺(tái)積電Fab 20廠(chǎng)區(qū)將分為第一期到第四期、共興建4座12吋晶圓廠(chǎng)，預(yù)計(jì)2024年下半年進(jìn)入量產(chǎn)。臺(tái)積電2納米制程將采用納米層片（Nanosheet）的環(huán)繞閘極（GAA）晶體管架構(gòu)，技術(shù)開(kāi)發(fā)進(jìn)度符合預(yù)期。
設(shè)備業(yè)者表示，臺(tái)積電2納米之后的先進(jìn)制程節(jié)點(diǎn)，將推進(jìn)到1.8納米（18埃米），預(yù)計(jì)2026～2027年進(jìn)入量產(chǎn)。臺(tái)積電先進(jìn)制程晶圓廠(chǎng)根留臺(tái)灣，但適合建廠(chǎng)地點(diǎn)并不好找，而位于臺(tái)積電中科Fab 15廠(chǎng)區(qū)旁的高爾夫球場(chǎng)及周邊軍方用地已納入考慮，倘若環(huán)評(píng)通過(guò)并順利取得用地，臺(tái)積電可能會(huì)在當(dāng)?shù)嘏d建18埃米先進(jìn)制程晶圓廠(chǎng)。
護(hù)島神山出決勝新武器。臺(tái)積電先進(jìn)制程晶圓廠(chǎng)根留臺(tái)灣，其中2納米Fab 20超大型晶圓廠(chǎng)已選定建廠(chǎng)地點(diǎn)為新竹寶山，2納米之后的更先進(jìn)制程已進(jìn)入埃米（angstorm）時(shí)代，預(yù)期臺(tái)積電將推進(jìn)到18埃米（1.8納米），雖然尚未決定設(shè)廠(chǎng)地點(diǎn)，但據(jù)設(shè)備業(yè)者指出，臺(tái)積電18埃米先進(jìn)制程晶圓廠(chǎng)可望落腳臺(tái)中，現(xiàn)在中科Fab 15廠(chǎng)旁的高爾夫球場(chǎng)已被納入考慮。
隨著半導(dǎo)體制程將于2024年進(jìn)入埃米時(shí)代，臺(tái)積電的建廠(chǎng)動(dòng)向受到業(yè)界及市場(chǎng)矚目，市場(chǎng)傳出臺(tái)積電下一座先進(jìn)制程晶圓廠(chǎng)可望落腳臺(tái)中，現(xiàn)在中科Fab 15廠(chǎng)旁的興農(nóng)高爾夫球場(chǎng)及軍方用地已納入考慮，臺(tái)積電若取得用地，將用于建置2奈米以下先進(jìn)制程的超大型晶圓廠(chǎng)區(qū)，并分為第一期到第四期建廠(chǎng)計(jì)劃，等于會(huì)在當(dāng)?shù)嘏d建4座12吋晶圓廠(chǎng)。
臺(tái)積電表示，設(shè)廠(chǎng)地點(diǎn)選擇有諸多考量因素，臺(tái)積公司以臺(tái)灣作為主要基地，不排除任何可能性，維持過(guò)去擴(kuò)廠(chǎng)步調(diào)持續(xù)與管理局合作評(píng)估適合半導(dǎo)體建廠(chǎng)之用地，包含新竹、臺(tái)中及高雄。目前尚無(wú)具體定案，一切以公司對(duì)外公告為主。
臺(tái)積電已確認(rèn)的先進(jìn)制程晶圓廠(chǎng)建廠(chǎng)計(jì)畫(huà)，包括南科Fab 18超大型晶圓廠(chǎng)（GigaFab）將建置P1～P4共4座5納米晶圓廠(chǎng)，P5～P8共4座3納米晶圓廠(chǎng)。其中P1～P3廠(chǎng)已進(jìn)入量產(chǎn)，P4～P6廠(chǎng)正在興建中，未來(lái)將再擴(kuò)建P7～P8廠(chǎng)。另外，南科Fab 14超大型晶圓廠(chǎng)將擴(kuò)建P8廠(chǎng)為特殊制程生產(chǎn)基地。
臺(tái)積電竹科Fab 12超大型晶圓廠(chǎng)將擴(kuò)建P8～P9廠(chǎng)為研發(fā)中心，P8廠(chǎng)將在今年完成。臺(tái)積電預(yù)計(jì)在竹科寶山興建Fab 20超大型晶圓廠(chǎng)，將在完成土地取得后啟動(dòng)建廠(chǎng)計(jì)劃，未來(lái)將成為2納米生產(chǎn)重鎮(zhèn)。
臺(tái)積電Fab 20廠(chǎng)區(qū)將分為第一期到第四期、共興建4座12吋晶圓廠(chǎng)，預(yù)計(jì)2024年下半年進(jìn)入量產(chǎn)。臺(tái)積電2納米制程將采用納米層片（Nanosheet）的環(huán)繞閘極（GAA）晶體管架構(gòu)，技術(shù)開(kāi)發(fā)進(jìn)度符合預(yù)期。
設(shè)備業(yè)者表示，臺(tái)積電2納米之后的先進(jìn)制程節(jié)點(diǎn)，將推進(jìn)到1.8納米（18埃米），預(yù)計(jì)2026～2027年進(jìn)入量產(chǎn)。臺(tái)積電先進(jìn)制程晶圓廠(chǎng)根留臺(tái)灣，但適合建廠(chǎng)地點(diǎn)并不好找，而位于臺(tái)積電中科Fab 15廠(chǎng)區(qū)旁的高爾夫球場(chǎng)及周邊軍方用地已納入考慮，倘若環(huán)評(píng)通過(guò)并順利取得用地，臺(tái)積電可能會(huì)在當(dāng)?shù)嘏d建18埃米先進(jìn)制程晶圓廠(chǎng)。
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