封裝
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雷笛克順利打入夏普、日亞化LED照明供應
二次光學透鏡大廠雷笛克董事長唐德龍在6月19日的臺北光電展中，分享廣州照明展新斬獲，包括公司新推出的“多晶封裝反光杯”此次順利打入夏普、日亞化LED照明供應，預估將占有日本室內(nèi)、商用照明市場，為下半年公司營
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臺灣LED巨頭談后續(xù)景氣 三好一壞
LED產(chǎn)業(yè)是2012年大重點，包括晶電李秉杰、億光葉寅夫、隆達蘇峰正與璨圓簡奉任等董事長級大老，紛紛對后續(xù)景氣提出看法，其中李秉杰獨排眾議，對9月需求提出待觀望預警，引起市場關(guān)注。 李秉杰提出，9月需求待
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需求啟動在即 LED照明行業(yè)靜待“黎明”
在經(jīng)歷了一輪產(chǎn)能激烈擴張、產(chǎn)能出現(xiàn)相對過剩之后，隨著普及條件的逐步成熟和政策的扶持，LED照明新一輪的市場機會正在孕育。近日，記者在我國LED照明外延封裝和燈具產(chǎn)業(yè)最發(fā)達的區(qū)域珠三角進行了深入調(diào)查?！ ?/p>
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雷笛克順利打入夏普、日亞化LED照明供應
二次光學透鏡大廠雷笛克董事長唐德龍在6月19日的臺北光電展中，分享廣州照明展新斬獲，包括公司新推出的“多晶封裝反光杯”此次順利打入夏普、日亞化LED照明供應，預估將占有日本室內(nèi)、商用照明市場，為下半年公
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恩智浦推出全球首款2mmx2mm、采用可焊性鍍錫側(cè)焊盤的MOSFET
恩智浦半導體(NXP)近日推出業(yè)內(nèi)首款2 mm x 2 mm、采用可焊性鍍錫側(cè)焊盤的超薄DFN (分立式扁平無引腳)封裝MOSFET。這些獨特的側(cè)焊盤提供光學焊接檢測的優(yōu)勢，與傳統(tǒng)無引腳封裝相比，焊接連接質(zhì)量更好。 即將
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IR推出車用功率MOSFET
21ic訊 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出采用堅固耐用TO-220 fullpak封裝的車用功率MOSFET系列，適合包括無刷直流電機、水泵和冷卻系統(tǒng)在內(nèi)的各類汽車應用。 在N和P通道配置中，該新型55V平面
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IDT72V3680芯片的內(nèi)部結(jié)構(gòu)介紹
IDT72V3680芯片的內(nèi)部結(jié)構(gòu)介紹
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照明級LED的封裝方案
從實際應用的角度來看，安裝使用簡單、體積相對較小的大功率LED器件在大部分的照明應用中必將取代傳統(tǒng)的小功率LED器件。由小功率LED組成的照明燈具為了滿足照明的需要，必須集中許多個LED的光能才能達到設(shè)計要求，但
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臺灣LED大佬談LED產(chǎn)業(yè)前景
LED產(chǎn)業(yè)是2012年大重點，包括晶電李秉杰、億光葉寅夫、隆達蘇峰正與璨圓簡奉任等董事長級大老，紛紛對后續(xù)景氣提出看法，其中李秉杰獨排眾議，對9月需求提出待觀望預警，引起市場關(guān)注。李秉杰提出，9月需求待觀望，且
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業(yè)內(nèi)看好LED照明上游的進口替代
“由于LED照明產(chǎn)業(yè)鏈上各個環(huán)節(jié)的技術(shù)都在不停地提升、進步，尤其是國內(nèi)在上游藍寶石、外延芯片生產(chǎn)領(lǐng)域的技術(shù)不斷提升、工藝進步穩(wěn)定等，已經(jīng)讓下游LED照明產(chǎn)品的價格出現(xiàn)大幅度下降，加上下游封裝領(lǐng)域的工藝也
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LED照明孕育新一輪機會
在經(jīng)歷了一輪產(chǎn)能激烈擴張、產(chǎn)能出現(xiàn)相對過剩之后，隨著普及條件的逐步成熟和政策的扶持，LED照明新一輪的市場機會正在孕育。近日，記者在我國LED照明外延封裝和燈具產(chǎn)業(yè)最發(fā)達的區(qū)域珠三角進行了深入調(diào)查。調(diào)查發(fā)現(xiàn)
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多廠推自有品牌 臺北光電展帶動LED照明需求
為期3天的臺北光電展將于6月19日開始，市場聚焦在LED照明需求，更有多家LED廠推出自有品牌搶照明商機，時下正進入夏季用電高峰以及LED產(chǎn)業(yè)旺季，預估將帶動LED照明買氣?！ 〈舜喂怆娬箤⒊尸F(xiàn)由上游芯片、下游封
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恩智浦推出采用可焊性鍍錫側(cè)焊盤的MOSFET
21ic訊 恩智浦半導體日前推出業(yè)內(nèi)首款2 mm x 2 mm、采用可焊性鍍錫側(cè)焊盤的超薄DFN （分立式扁平無引腳）封裝MOSFET。這些獨特的側(cè)焊盤提供光學焊接檢測的優(yōu)勢，與傳統(tǒng)無引腳封裝相比，焊接連接質(zhì)量更好。即將面世的
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恩智浦推出采用可焊性鍍錫側(cè)焊盤的MOSFET
21ic訊 恩智浦半導體日前推出業(yè)內(nèi)首款2 mm x 2 mm、采用可焊性鍍錫側(cè)焊盤的超薄DFN （分立式扁平無引腳）封裝MOSFET。這些獨特的側(cè)焊盤提供光學焊接檢測的優(yōu)勢，與傳統(tǒng)無引腳封裝相比，焊接連接質(zhì)量更好。即將面世的
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IR推出采用TO-220 fullpak 封裝的車用功率MOSFET
21ic訊 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出采用堅固耐用TO-220 fullpak封裝的車用功率MOSFET系列，適合包括無刷直流電機、水泵和冷卻系統(tǒng)在內(nèi)的各類汽車應用。在N和P通道配置中，該新型55V平面器
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IR推出車用功率MOSFET
21ic訊 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出采用堅固耐用TO-220 fullpak封裝的車用功率MOSFET系列，適合包括無刷直流電機、水泵和冷卻系統(tǒng)在內(nèi)的各類汽車應用。 在N和P通道配置中，該新型55V平面
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照明級LED的封裝方案
從實際應用的角度來看，安裝使用簡單、體積相對較小的大功率LED器件在大部分的照明應用中必將取代傳統(tǒng)的小功率LED器件。由小功率LED組成的照明燈具為了滿足照明的需要，必須集中許多個LED的光能才能達到設(shè)計要求，但
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LED顯示屏可通過“三高一低”降低成本
LED顯示應用于多方面，作為LED顯示領(lǐng)域的新興行業(yè)，其技術(shù)方面的發(fā)展往往有許多不足。本文將討論急需解決的主要技術(shù)問題，歸結(jié)為“三高一低”，即高光效、高顯色性、高可靠和低成本的技術(shù)問題，實現(xiàn)低成本其實質(zhì)也是
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羅姆實現(xiàn)SiC-SBD與SiC-MOSFET的一體化封裝
21ic訊 意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST）宣布，GLOBALFOUNDRIES將采用意法半導體專有的 FD-SOI（Fully Depleted Silicon-on-Insulator，全耗盡絕緣體上硅）技術(shù)為意法半導體制造28納米和20納米芯片。當今的
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中科芯與無錫市濱湖區(qū)共建硅基集成電路技術(shù)平臺
日前2012年無錫市與中央企業(yè)戰(zhàn)略合作懇談會在北京召開。國資委副主任黃丹華，國資委發(fā)展計劃局局長張忠林，江蘇省委常委、無錫市市委書記黃莉新，無錫市市長朱克江以及100余家央企領(lǐng)導出席會議。中國電子科技集團公司
