晶圓

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晶圓是指硅半導(dǎo)體集成電路制作所用的硅晶片，由于其形狀為圓形，故稱為晶圓；在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結(jié)構(gòu)，而成為有特定電性功能之IC產(chǎn)品。晶圓的原始材料是硅，而地殼表面有用之不竭的二氧化硅。二氧化硅礦石經(jīng)由電弧爐提煉，鹽酸氯化，并經(jīng)蒸餾后，制成了高純度的多晶硅，其純度高達(dá)99.999999999%。

中芯國(guó)際與Elpida達(dá)成和解協(xié)議

中芯國(guó)際日前宣布，其與Elpida已于二零一一年十二月八日訂立和解協(xié)議(“和解協(xié)議”)，以解決有關(guān)日期為二零零七年八月三十日雙方經(jīng)修訂及重訂之200mm晶圓生產(chǎn)商業(yè)協(xié)議的所有待決的仲裁指控及反訴。根據(jù)和解協(xié)議條款

消費(fèi)電子
2011-12-12

PID 中芯國(guó)際晶圓
中芯國(guó)際與Elpida達(dá)成和解協(xié)議

本公告乃依據(jù)香港聯(lián)合交易所有限公司證券上市規(guī)則第13.09 條而作出。中芯國(guó)際日前宣布，其與Elpida已于二零一一年十二月八日訂立和解協(xié)議(“和解協(xié)議”)，以解決有關(guān)日期為二零零七年八月三十日雙方經(jīng)修訂

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2011-12-12

PID 中芯國(guó)際晶圓
Rorze首次展出支持4個(gè)端口的450mm晶圓搬運(yùn)機(jī)器人

Rorze支持4個(gè)端口的450mm晶圓搬運(yùn)機(jī)器人在“Semicon Japan 2011”（2011年12月7～9日，幕張Messe會(huì)展中心）上首次展出。該機(jī)器人可使支持4個(gè)端口的制造裝置開發(fā)變得容易，有助于削減成本及提高可靠性。此前的

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2011-12-12

端口搬運(yùn)機(jī)器人 SEMI 晶圓
東電電子將一舉投放5款三維TSV裝置

（點(diǎn)擊放大） “Synapse V”（點(diǎn)擊放大）東電電子（TEL）一舉投產(chǎn)了5款用于三維封裝的TSV（硅通孔，through silicon via）制造裝置，并在“Semicon Japan 2011”（2011年12月7～9日，幕張Messe會(huì)展中心

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2011-12-12

電子 TE PSE 晶圓
半導(dǎo)體晶圓的生產(chǎn)工藝流程介紹

從大的方面來講，晶圓生產(chǎn)包括晶棒制造和晶片制造兩大步驟，它又可細(xì)分為以下幾道主要工序（其中晶棒制造只包括下面的第一道工序，其余的全部屬晶片制造，所以有時(shí)又統(tǒng)稱它們?yōu)榫е衅筇幚砉ば颍? 晶棒成長(zhǎng) -

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2011-12-11

半導(dǎo)體晶片溫度晶圓
臺(tái)積電豪氣「建廠只要中科有地」

臺(tái)積電(2330)中科晶圓15廠第3期工程昨（9）日動(dòng)土興建，董事長(zhǎng)張忠謀現(xiàn)場(chǎng)表示，15廠第1期正在試產(chǎn)28納米制程的12寸晶圓，第2期的結(jié)構(gòu)體也已完成，第3期則會(huì)導(dǎo)入20納米及更先進(jìn)技術(shù)制程，月量能4萬片，屆時(shí)中科15廠月

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2011-12-10

臺(tái)積電 OS CHIP 晶圓
世界先進(jìn)11月營(yíng)收止跌月增23% 謹(jǐn)慎看Q4

世界先進(jìn)(5347-TW)今(9)日公布公司自行結(jié)算11月營(yíng)收，11月營(yíng)業(yè)額約為新臺(tái)幣12.43億元，月增23%，應(yīng)晶圓出貨量增未低于今年最低點(diǎn)10月水準(zhǔn)，并終止連續(xù)下滑態(tài)勢(shì)；而與去年同期相比，約增2成。公司累計(jì)今年1-11月營(yíng)收為

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2011-12-10

晶圓
臺(tái)積電11月營(yíng)收月減4.7% 張忠謀：Q4與Q3相去不遠(yuǎn)

臺(tái)積電董事長(zhǎng)暨總執(zhí)行長(zhǎng)張忠謀與經(jīng)濟(jì)部長(zhǎng)施顏祥(右)、國(guó)科會(huì)主委李羅權(quán)(左)。(鉅亨網(wǎng)記者尹慧中攝) 臺(tái)積電(2330-TW)(TSM-US)今(9)日公布11月合并營(yíng)收為358.59億元，較今年次高的10月下滑4.7%，較去年同期減少2.

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2011-12-10

半導(dǎo)體通訊臺(tái)積電晶圓
臺(tái)積電積極布局28納米制程

臺(tái)積電日前正在加快28納米以下制程布建腳步，位于中科園區(qū)的晶圓15廠第三暨第四期廠房，將同時(shí)興建，預(yù)計(jì)2013年完工，這二座新廠，未來將成為臺(tái)積電跨足20納米制程主要生產(chǎn)重心。外資看好臺(tái)積電拉大先進(jìn)制程優(yōu)勢(shì)，有

消費(fèi)電子
2011-12-09

先進(jìn)制程 40納米臺(tái)積電晶圓
聯(lián)電11月營(yíng)收月減2.3% 創(chuàng)30個(gè)月來新低

聯(lián)電(2303-TW)(UMC-US)今(8)日公布11月營(yíng)收為80.65億元，月減少2.31%，較去年同期減少22.75%，創(chuàng)30個(gè)月來新低水準(zhǔn)。聯(lián)電強(qiáng)調(diào)，第4季本業(yè)仍將維持獲利狀態(tài)，并因匯兌利益回補(bǔ)、業(yè)績(jī)可望略優(yōu)于預(yù)期。針對(duì)第4季營(yíng)運(yùn)表現(xiàn)

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2011-12-09

晶片電子市場(chǎng) 聯(lián)電晶圓
聯(lián)電11月營(yíng)收月減2.3% 創(chuàng)30個(gè)月來新低

聯(lián)電(2303-TW)(UMC-US)今(8)日公布11月營(yíng)收為80.65億元，月減少2.31%，較去年同期減少22.75%，創(chuàng)30個(gè)月來新低水準(zhǔn)。聯(lián)電強(qiáng)調(diào)，第4季本業(yè)仍將維持獲利狀態(tài)，并因匯兌利益回補(bǔ)、業(yè)績(jī)可望略優(yōu)于預(yù)期。針對(duì)第4季營(yíng)運(yùn)

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2011-12-08

晶片電子市場(chǎng) 聯(lián)電晶圓
臺(tái)積電積極布局28納米制程

臺(tái)積電日前正在加快28納米以下制程布建腳步，位于中科園區(qū)的晶圓15廠第三暨第四期廠房，將同時(shí)興建，預(yù)計(jì)2013年完工，這二座新廠，未來將成為臺(tái)積電跨足20納米制程主要生產(chǎn)重心。外資看好臺(tái)積電拉大先進(jìn)制程優(yōu)勢(shì)，有

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2011-12-08

先進(jìn)制程 40納米臺(tái)積電晶圓
臺(tái)積電積極布局28納米制程

臺(tái)積電日前正在加快28納米以下制程布建腳步，位于中科園區(qū)的晶圓15廠第三暨第四期廠房，將同時(shí)興建，預(yù)計(jì)2013年完工，這二座新廠，未來將成為臺(tái)積電跨足20納米制程主要生產(chǎn)重心。外資看好臺(tái)積電拉大先進(jìn)制程優(yōu)勢(shì)，有

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2011-12-08

先進(jìn)制程 40納米臺(tái)積電晶圓
庫存調(diào)整后半導(dǎo)體矽晶圓12月可望有回補(bǔ)效應(yīng)

半導(dǎo)體矽晶圓自今年9月起國(guó)內(nèi)相關(guān)廠商已見半導(dǎo)體市場(chǎng)需求減弱，10月份景氣寒風(fēng)加劇，再加上歐債問題沖擊市場(chǎng)對(duì)景氣后勢(shì)的信心，故半導(dǎo)體矽晶圓廠商在近2- 3個(gè)月都感受到需求衰退，包括國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體矽晶圓廠如中美晶(

半導(dǎo)體
2011-12-08

半導(dǎo)體太陽能晶圓廠晶圓
矽晶圓倒貨近尾聲　報(bào)價(jià)回穩(wěn)

黃女瑛／臺(tái)北近期太陽能多晶矽晶圓報(bào)價(jià)呈現(xiàn)止跌回穩(wěn)，每片平均報(bào)價(jià)維持在1.1~1.2美元，太陽能業(yè)者指出，主要是廠商打算出清庫存部分已陸續(xù)倒貨近尾聲，資金充裕的太陽能業(yè)者寧愿減產(chǎn)，亦不愿賣1片虧1片，導(dǎo)致虧損擴(kuò)

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2011-12-08

太陽能電池晶圓廠晶圓
▲京元電11月營(yíng)收略減2.5%

(中央社記者鐘榮峰臺(tái)北2011年12月6日電)IC晶圓和成品測(cè)試廠京元電子(2449)公布11月自結(jié)營(yíng)收新臺(tái)幣9.32億元，較10月9.56億元下滑2.5%，比去年同期11億元減少15.27%。京元電表示11月LCD驅(qū)動(dòng)IC測(cè)試量有小幅下滑，其

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2011-12-08

晶片聯(lián)發(fā)科 Flash 晶圓
臺(tái)積電積極布局28納米制程

臺(tái)積電日前正在加快28納米以下制程布建腳步，位于中科園區(qū)的晶圓15廠第三暨第四期廠房，將同時(shí)興建，預(yù)計(jì)2013年完工，這二座新廠，未來將成為臺(tái)積電跨足20納米制程主要生產(chǎn)重心。外資看好臺(tái)積電拉大先進(jìn)制程優(yōu)勢(shì)，有

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2011-12-08

先進(jìn)制程 40納米臺(tái)積電晶圓
臺(tái)環(huán)保署增訂石化、晶圓半導(dǎo)體業(yè)放流水新標(biāo)準(zhǔn)

臺(tái)灣地區(qū)環(huán)保署增訂石化業(yè)、石化專區(qū)污水下水道系統(tǒng)、晶圓制造及半導(dǎo)體制造業(yè)放流水標(biāo)準(zhǔn)，將氨氮、含氯或含苯等6項(xiàng)揮發(fā)性有機(jī)物以及DEHP等6項(xiàng)塑化劑列入管制。環(huán)署預(yù)估，將減少4000公噸的氨氮排入河川水體，并

消費(fèi)電子
2011-12-07

半導(dǎo)體制造晶圓制造晶圓
臺(tái)積電希望與供應(yīng)商加緊合作迎接20納米制程

臺(tái)積電資材暨風(fēng)險(xiǎn)管理資深副總左大川日前指出，現(xiàn)在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正面臨一個(gè)黃金時(shí)代，因應(yīng)未來4G行動(dòng)通訊的20納米制程會(huì)是趨勢(shì)，臺(tái)積電在2012年將其中一個(gè)發(fā)展重點(diǎn)，擺在加速進(jìn)入20納米制程和降低成本差距，未來仍將

消費(fèi)電子
2011-12-07

芯片臺(tái)積電供應(yīng)鏈管理晶圓
庫存調(diào)整后半導(dǎo)體矽晶圓12月可望有回補(bǔ)效應(yīng)

半導(dǎo)體矽晶圓自今年9月起國(guó)內(nèi)相關(guān)廠商已見半導(dǎo)體市場(chǎng)需求減弱，10月份景氣寒風(fēng)加劇，再加上歐債問題沖擊市場(chǎng)對(duì)景氣后勢(shì)的信心，故半導(dǎo)體矽晶圓廠商在近2-3個(gè)月都感受到需求衰退，包括國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體矽晶圓廠如中美晶(548

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2011-12-07

半導(dǎo)體太陽能晶圓廠晶圓

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晶圓

中芯國(guó)際與Elpida達(dá)成和解協(xié)議

中芯國(guó)際與Elpida達(dá)成和解協(xié)議

Rorze首次展出支持4個(gè)端口的450mm晶圓搬運(yùn)機(jī)器人

東電電子將一舉投放5款三維TSV裝置

半導(dǎo)體晶圓的生產(chǎn)工藝流程介紹

臺(tái)積電豪氣「建廠只要中科有地」

世界先進(jìn)11月營(yíng)收止跌月增23% 謹(jǐn)慎看Q4

臺(tái)積電11月營(yíng)收月減4.7% 張忠謀：Q4與Q3相去不遠(yuǎn)

臺(tái)積電積極布局28納米制程

聯(lián)電11月營(yíng)收月減2.3% 創(chuàng)30個(gè)月來新低

聯(lián)電11月營(yíng)收月減2.3% 創(chuàng)30個(gè)月來新低

臺(tái)積電積極布局28納米制程

臺(tái)積電積極布局28納米制程

庫存調(diào)整后半導(dǎo)體矽晶圓12月可望有回補(bǔ)效應(yīng)

矽晶圓倒貨近尾聲　報(bào)價(jià)回穩(wěn)

▲京元電11月營(yíng)收略減2.5%

臺(tái)積電積極布局28納米制程

臺(tái)環(huán)保署增訂石化、晶圓半導(dǎo)體業(yè)放流水新標(biāo)準(zhǔn)

臺(tái)積電希望與供應(yīng)商加緊合作迎接20納米制程

庫存調(diào)整后半導(dǎo)體矽晶圓12月可望有回補(bǔ)效應(yīng)

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