晶圓

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晶圓是指硅半導(dǎo)體集成電路制作所用的硅晶片，由于其形狀為圓形，故稱為晶圓；在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結(jié)構(gòu)，而成為有特定電性功能之IC產(chǎn)品。晶圓的原始材料是硅，而地殼表面有用之不竭的二氧化硅。二氧化硅礦石經(jīng)由電弧爐提煉，鹽酸氯化，并經(jīng)蒸餾后，制成了高純度的多晶硅，其純度高達(dá)99.999999999%。

臺(tái)美韓18寸晶圓全表態(tài)，昔日霸主日本何時(shí)參與？

去年9月臺(tái)、美、韓全球3大半導(dǎo)體陣營(yíng)霸主共同宣布18寸晶圓Global 450 Consortium計(jì)劃(G450C)，參與者包括臺(tái)積電、英特爾(Intel)、三星電子(Samsung Electronics)、IBM和Global Foundries等5家業(yè)者，但名單中獨(dú)缺1980

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2012-01-04

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 晶圓東芝英特爾
臺(tái)美韓18吋晶圓全表態(tài) 昔日霸主日本何時(shí)參與？

去年9月臺(tái)、美、韓全球3大半導(dǎo)體陣營(yíng)霸主共同宣布18吋晶圓Global 450 Consortium計(jì)劃(G450C)，參與者包括臺(tái)積電、英特爾(Intel)、三星電子(Samsung Electronics)、IBM和Global Foundries等5家業(yè)者，但名單中獨(dú)缺1980

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2012-01-03

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 晶圓東芝英特爾
晶圓雙雄 2012投資大縮手

景氣不明【蕭文康╱臺(tái)北報(bào)導(dǎo)】由于2012年全球景氣未有好轉(zhuǎn)跡象，晶圓雙雄資本支出減幅將成法說(shuō)會(huì)關(guān)注焦點(diǎn)。臺(tái)積電（2330）趕在臺(tái)股封關(guān)日的元月18日舉行法說(shuō)，市場(chǎng)預(yù)期臺(tái)積電2012年資本支出至少將下修1成以上，聯(lián)電

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2012-01-03

半導(dǎo)體聯(lián)電臺(tái)積電晶圓
美實(shí)驗(yàn)室開(kāi)發(fā)砷化鎵新蝕刻法速度/成本獲優(yōu)化

美國(guó)伊利諾大學(xué)(University of Illinois)實(shí)驗(yàn)室開(kāi)發(fā)出一種以金屬為蝕刻催化劑的砷化鎵晶圓蝕刻法，這種蝕刻方法，其制造速度較傳統(tǒng)的濕式蝕刻制程來(lái)得快、而成本又較干式蝕刻來(lái)得低，一旦該制程獲得推廣，可望有效推

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2012-01-03

金屬砷化鎵 CE 晶圓
臺(tái)美韓18寸晶圓計(jì)劃

全球表態(tài)要加入18寸晶圓(450mm)世代的半導(dǎo)體業(yè)者，主要是臺(tái)、美、韓為主，如2011年9月由臺(tái)積電、英特爾(Intel)、三星電子(Samsung Electronics)、IBM和Global Foundries等5家大廠成立的Global 450 Consortium計(jì)劃(G4

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2012-01-03

臺(tái)積電 GLOBAL 晶圓
力成強(qiáng)攻3D IC 沖營(yíng)運(yùn)

力成（6239）在擁抱蘋果雙i訂單之后，布局多年的先進(jìn)封裝技術(shù)，也將進(jìn)入量產(chǎn)收成階段。力成透露，旗下扎根晶圓重布線（RDL）已正式交出第一批貨；以矽鉆孔（TSV）為基礎(chǔ)的3D IC，也獲四家客戶合作，可望在2013年量產(chǎn)

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2012-01-03

布線封裝技術(shù) IC 晶圓
臺(tái)積電6/8寸晶圓廠獲環(huán)保署節(jié)能減碳行動(dòng)標(biāo)章

臺(tái)積電(TSMC)宣布其 6寸及 8寸廠區(qū)(晶圓二廠、晶圓三廠、晶圓五廠、晶圓六廠、晶圓八廠)同時(shí)獲得2011年度行政院環(huán)保署「節(jié)能減碳行動(dòng)標(biāo)章」，其中晶圓二、五廠更獲得特優(yōu)獎(jiǎng)的肯定，彰顯該公司施行環(huán)保政策、推動(dòng)綠色

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2012-01-03

供應(yīng)鏈臺(tái)積電晶圓廠晶圓
半導(dǎo)體工藝微細(xì)化遇阻

半導(dǎo)體工藝技術(shù)在不斷進(jìn)步。先行廠商已開(kāi)始量產(chǎn)22/20nm工藝產(chǎn)品，而且還在開(kāi)發(fā)旨在2~3年后量產(chǎn)的15nm技術(shù)。不過(guò)，雖然技術(shù)在不斷進(jìn)步，但很多工藝技術(shù)人員都擁有閉塞感。因?yàn)楣に嚰夹g(shù)革新的關(guān)鍵--微細(xì)化讓人擔(dān)心。決

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2011-12-31

晶體管半導(dǎo)體工藝 EUV 晶圓
華宏、宏力合體瞄準(zhǔn)中芯

長(zhǎng)實(shí)（00001-HK）及和黃（00013-HK）持股的宏力半導(dǎo)體，前天與華宏半導(dǎo)體聯(lián)合宣布雙方已完成合并，經(jīng)合并后兩家公司預(yù)計(jì)今年收入約6億元（美金，下同），且月產(chǎn)能達(dá)到13萬(wàn)片約當(dāng)8寸晶圓，由于華宏與宏力是大陸本土半

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2011-12-31

半導(dǎo)體中芯國(guó)際中芯晶圓
IC封測(cè)南茂集團(tuán)明年?duì)I收成長(zhǎng)15% 資本支出約25億元

IC封測(cè)南茂(8150-TW)今(30)日表示，雖然經(jīng)濟(jì)景氣渾沌，不過(guò)南茂財(cái)務(wù)剛脫離紓困期，基本面體質(zhì)逐漸改善，除了驅(qū)動(dòng)IC的比重攀升帶動(dòng)營(yíng)運(yùn)走揚(yáng)，先前也取得AKM測(cè)試合約，對(duì)明年?duì)I運(yùn)形成支撐，預(yù)期集團(tuán)營(yíng)運(yùn)表現(xiàn)將優(yōu)于今年

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2011-12-31

封裝 IC 驅(qū)動(dòng)IC 晶圓
半導(dǎo)體工藝微細(xì)化遇阻

半導(dǎo)體工藝技術(shù)在不斷進(jìn)步。先行廠商已開(kāi)始量產(chǎn)22/20nm工藝產(chǎn)品，而且還在開(kāi)發(fā)旨在2～3年后量產(chǎn)的15nm技術(shù)。不過(guò)，雖然技術(shù)在不斷進(jìn)步，但很多工藝技術(shù)人員都擁有閉塞感。因?yàn)楣に嚰夹g(shù)革新的關(guān)鍵——微細(xì)化

半導(dǎo)體
2011-12-30

晶體管半導(dǎo)體工藝 EUV 晶圓
半導(dǎo)體工藝微細(xì)化遇阻

半導(dǎo)體工藝技術(shù)在不斷進(jìn)步。先行廠商已開(kāi)始量產(chǎn)22/20nm工藝產(chǎn)品，而且還在開(kāi)發(fā)旨在2～3年后量產(chǎn)的15nm技術(shù)。不過(guò)，雖然技術(shù)在不斷進(jìn)步，但很多工藝技術(shù)人員都擁有閉塞感。因?yàn)楣に嚰夹g(shù)革新的關(guān)鍵——微細(xì)化

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2011-12-30

晶體管半導(dǎo)體工藝 EUV 晶圓
半導(dǎo)體工藝微細(xì)化遇阻

半導(dǎo)體工藝技術(shù)在不斷進(jìn)步。先行廠商已開(kāi)始量產(chǎn)22/20nm工藝產(chǎn)品，而且還在開(kāi)發(fā)旨在2～3年后量產(chǎn)的15nm技術(shù)。不過(guò)，雖然技術(shù)在不斷進(jìn)步，但很多工藝技術(shù)人員都擁有閉塞感。因?yàn)楣に嚰夹g(shù)革新的關(guān)鍵——微細(xì)化讓人擔(dān)心。

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2011-12-30

晶體管半導(dǎo)體工藝 EUV 晶圓
臺(tái)積電：最快2015年量產(chǎn)14nm、450毫米大晶圓

臺(tái)積電近日宣稱，將會(huì)繼續(xù)按照原定計(jì)劃推進(jìn)450毫米(18英寸)晶圓的發(fā)展，預(yù)計(jì)2013-14年開(kāi)始試驗(yàn)性生產(chǎn)，2015-16年投入批量生產(chǎn)。臺(tái)積電計(jì)劃在2014年完成大約95％的450毫米晶圓生產(chǎn)設(shè)備的安裝，2015年開(kāi)始小批量投產(chǎn)。

消費(fèi)電子
2011-12-28

芯片電表臺(tái)積電晶圓
京元電董座：2012景氣難預(yù)測(cè) 高現(xiàn)金部位過(guò)冬

專業(yè)晶圓測(cè)試大廠京元電(2449)董事長(zhǎng)李金恭表示，全球經(jīng)濟(jì)情勢(shì)詭譎多變，又以明年2月即將到期的歐債問(wèn)題最令人憂心，反倒是美國(guó)圣誕節(jié)假期買氣不錯(cuò)，新屋開(kāi)工率、失業(yè)率等經(jīng)濟(jì)指標(biāo)也讓人放心，新興國(guó)家亦相對(duì)具有支撐

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2011-12-27

電子開(kāi)源晶圓
京元電董座：產(chǎn)業(yè)大者恒大，對(duì)合并采開(kāi)放態(tài)度

近年來(lái)IC封測(cè)產(chǎn)業(yè)掀起并購(gòu)潮，專業(yè)晶圓封測(cè)大廠京元電(2449)也屢傳為同業(yè)并購(gòu)對(duì)象，對(duì)此，京元電董事長(zhǎng)李金恭坦言，IC封測(cè)產(chǎn)業(yè)走向大者恒大的趨勢(shì)不會(huì)變，并購(gòu)則有分為善意并購(gòu)、惡意并購(gòu)，只要能對(duì)員工、股東負(fù)責(zé)，

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2011-12-27

汽車電子恒大 HDD 晶圓
臺(tái)積電：最快2015年量產(chǎn)14nm、450毫米大晶圓

臺(tái)積電近日宣稱，將會(huì)繼續(xù)按照原定計(jì)劃推進(jìn)450毫米(18英寸)晶圓的發(fā)展，預(yù)計(jì)2013-14年開(kāi)始試驗(yàn)性生產(chǎn)，2015-16年投入批量生產(chǎn)。臺(tái)積電計(jì)劃在2014年完成大約95％的450毫米晶圓生產(chǎn)設(shè)備的安裝，2015年開(kāi)始小批量投產(chǎn)。

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2011-12-27

芯片電表臺(tái)積電晶圓
意法推晶圓測(cè)試新技術(shù)

歐洲半導(dǎo)體大廠意法半導(dǎo)體（ST）宣布，已成功制造全球首片采用非接觸式測(cè)試技術(shù)的晶圓。意法半導(dǎo)體指出，新的測(cè)試技術(shù)讓測(cè)試工具與晶圓裸晶陣列之間使用電磁波作為唯一通訊方式，借用了無(wú)線射頻辨識(shí)卷標(biāo)（RFID）的運(yùn)

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2011-12-27

測(cè)試技術(shù) 意法半導(dǎo)體 TE 晶圓
庫(kù)存去化再1季　中小尺寸矽晶圓估明年2Q回溫

黃女瑛、王怡蘋／臺(tái)北半導(dǎo)體中、小尺寸矽晶圓2011年因過(guò)度樂(lè)觀預(yù)估市況，客戶端重覆下單(Double booking)情況導(dǎo)致供應(yīng)端庫(kù)存水位過(guò)高，至今仍在積極消化庫(kù)存中，不過(guò)因中、小尺寸矽晶圓無(wú)新產(chǎn)能擴(kuò)張，業(yè)者預(yù)估，約到

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2011-12-26

半導(dǎo)體晶圓廠 DOUBLE 晶圓
SEMI：2015年半導(dǎo)體封裝材料市場(chǎng)將達(dá)257億美元

張琳一 SEMI與TechSearch International共同出版的全球半導(dǎo)體封裝材料展望中顯示，2011年包括熱介面材料在內(nèi)的全球半導(dǎo)體封裝材料市場(chǎng)總值將達(dá)228億美元，2015年將進(jìn)一步成長(zhǎng)至257億美元。其中層壓基板(laminate Sub

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2011-12-26

半導(dǎo)體封裝 SEMI ADF 晶圓

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晶圓

臺(tái)美韓18寸晶圓全表態(tài)，昔日霸主日本何時(shí)參與？

臺(tái)美韓18吋晶圓全表態(tài) 昔日霸主日本何時(shí)參與？

晶圓雙雄 2012投資大縮手

美實(shí)驗(yàn)室開(kāi)發(fā)砷化鎵新蝕刻法速度/成本獲優(yōu)化

臺(tái)美韓18寸晶圓計(jì)劃

力成強(qiáng)攻3D IC 沖營(yíng)運(yùn)

臺(tái)積電6/8寸晶圓廠獲環(huán)保署節(jié)能減碳行動(dòng)標(biāo)章

半導(dǎo)體工藝微細(xì)化遇阻

華宏、宏力合體瞄準(zhǔn)中芯

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半導(dǎo)體工藝微細(xì)化遇阻

半導(dǎo)體工藝微細(xì)化遇阻

半導(dǎo)體工藝微細(xì)化遇阻

臺(tái)積電：最快2015年量產(chǎn)14nm、450毫米大晶圓

京元電董座：2012景氣難預(yù)測(cè) 高現(xiàn)金部位過(guò)冬

京元電董座：產(chǎn)業(yè)大者恒大，對(duì)合并采開(kāi)放態(tài)度

臺(tái)積電：最快2015年量產(chǎn)14nm、450毫米大晶圓

意法推晶圓測(cè)試新技術(shù)

庫(kù)存去化再1季　中小尺寸矽晶圓估明年2Q回溫

SEMI：2015年半導(dǎo)體封裝材料市場(chǎng)將達(dá)257億美元

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