
大同集團旗下主導綠能事業(yè)投資的子公司尚志半導體(3579)昨(17)日舉行上市前法說會,尚志總經(jīng)理李龍達表示,明年LED在背光市場及照明市場需求很強,LED最上游、技術門坎高的藍寶石晶棒會有嚴重缺口。尚志預計明年
style=" padding-left:8px; padding-right:8px; margin-top:5px; line-height: 24px; clear:both;">德國歐司朗光電半導體(OSRAM Opto Semiconductors GmbH)宣布啟動采用100mm晶圓的LED芯片量產(chǎn)工廠。該工廠位于馬來
IBM研究人員開發(fā)出了基于極薄SOI(ETSOI)的全耗盡CMOS技術,面向22nm及以下節(jié)點。在IEDM會議上,IBM Albany研發(fā)中心的Kangguo Cheng稱該FD-ETSOI工藝已獲得了25nm柵長,非常適合于低功耗應用。除了場效應管,IBM的工程
德國歐司朗光電半導體(OSRAM Opto Semiconductors GmbH)宣布啟動采用100mm晶圓的LED芯片量產(chǎn)工廠。該工廠位于馬來西亞的檳城(Penang)。投資數(shù)千萬歐元從2007年7月開始建設。目前,制造裝置的試運行已經(jīng)完成。該工
根據(jù)臺灣媒體報道,受當前半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨好的影響,TSMC和UMC決定將會提升300mm晶圓的價格??紤]到當前先進的芯片產(chǎn)品比如圖形處理器以及使用復雜處理技術的芯片均是使用300mm晶圓,因此此舉將會影響到顯卡及其它產(chǎn)
晶圓代工龍頭臺積電、聯(lián)電,跨足LED(發(fā)光二極管)有志一同,聯(lián)電昨日宣布,子公司聯(lián)電新投資事業(yè),投資山東冠銓光電八百萬美元,臺積電昨日則是推出模塊化BCD制程,將為客戶生產(chǎn)高電壓整合發(fā)光二極管(LED)驅動
聯(lián)電(2303)昨(15)日宣布已完成合并聯(lián)日半導體;龍頭大哥臺積電(2330)本月初也擴大大陸市場布局,未來華北、華中與華南均將擴充營銷人力。晶圓雙雄全球布局進入收割期,有助海外據(jù)點虧損縮小。
看好明年半導體復蘇力道,臺積電、聯(lián)電大幅增加資本支出,由于特許并購超威關系企業(yè)Globalfoundries,晶圓雙雄全球布局的動作更是積極。 2009年是半導體否極泰來的一年,臺積電與聯(lián)電第三季起隨12吋先進制程需求加
全球先進晶圓探針卡供貨商 FormFactor公司宣布針對DRAM市場,推出新一代12吋全晶圓接觸探針卡SmartMatrix 100探針卡解決方案,以持續(xù)穩(wěn)固龍頭地位,至于競爭對手日商麥克尼克司(MJC)今年也將重振雄風,希望可以重新
東京大學研究生院工學系研究專業(yè)附屬綜合研究機構與日本迪思科(Disco)、大日本印刷、富士通研究所以及WOW研究中心等共同開發(fā)出了可將300mm晶圓(硅底板)打薄至7μm的技術。如果采用該技術層疊100層16GB的內存芯片
晶圓代工龍頭臺積電(2330)昨(10)日公布11月營收較上月小增0.3%,為303.22億元,是今年次高,已是連續(xù)兩個月站穩(wěn)300億元大關。 外資認為,在12吋先進制程需求帶動下,臺積電本季營收朝920億元高標靠攏,以10、11
晶圓代工業(yè)第四季營收果然呈現(xiàn) 淡季不淡,臺積電昨日公布十一月營收303.22億元,較十月又小幅增加0.3%,聯(lián)電營收91.56億元,則較前一個月小幅減少1.5%,顯示全球半導 體需求,仍沒有明顯衰退跡象,明年第一季半導體
在繪圖客戶持續(xù)追加訂單的加持 下,瑞銀證券昨(10)日預估臺積電明年第1季營收將與今年第4季持平,遠優(yōu)于原先所預期的兩位數(shù)下滑幅度。 不過,花旗環(huán)球證券亞太區(qū)半導體首席分析師陸行之提醒,盡管近期臺積電8吋
昭和電工宣布,成功量產(chǎn)了表面平滑性達到全球最高水平的直徑4英寸SiC(碳化硅)外延晶圓(Epitaxial Wafer)。該晶圓的平滑性為0.4nm,較原產(chǎn)品的1.0~2.5nm最大提高至近6倍。 SiC外延晶圓是在SiC底板表面上實現(xiàn)
FormFactor公司宣布針對DRAM市場,推出新一代12吋全晶圓接觸探針卡─SmartMatrix 100探針卡解決方案。該方案結合運用FormFactor MicroSpring微機電系統(tǒng)(MEMS)接觸技術的全新獨家探針卡架構,能夠協(xié)助DRAM制造商克服
受半導體市場結構變化和經(jīng)濟蕭條的嚴重影響,“SEMICON JAPAN 2009”(12月2日~4日舉行)的參展企業(yè)雖減少了近40%,但作為備受期待的少數(shù)成長領域之一的LED用相關裝置和部材,各大公司仍積極地進行了展示。例如,此
style=" padding-left:8px; padding-right:8px; margin-top:5px; line-height: 24px; clear:both;">Lasertec開始受理SiC晶圓缺陷檢查裝置“WASAVI系列CICA61”的訂單。SiC晶圓正在功率元件領域普及。此次的產(chǎn)品主要用
法國Soitec SA和CEA-LETI(法國原子能委員會的電子信息技術研究所)聯(lián)合宣布,將以全套工藝的方式提供采用硅通孔的的晶圓對晶圓三維積層技術。元件廠商可利用Soitec的SOI晶圓和相關技術以及CEA-LETI的工藝技術,(1)
style=" padding-left:8px; padding-right:8px; margin-top:5px; line-height: 24px; clear:both;">法國Soitec SA和CEA-LETI(法國原子能委員會的電子信息技術研究所)聯(lián)合宣布,將以全套工藝的方式提供采用硅通孔的
上海宏力半導體制造有限公司 (宏力半導體),中國半導體制造業(yè)領先企業(yè)之一,近日與中國科學院EDA中心、上海、西安及深圳等多個集成電路設計孵化基地相繼簽署了多項目晶圓項目的戰(zhàn)略合作協(xié)議。多項目晶圓 (Multi Proj