晶圓

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晶圓是指硅半導(dǎo)體集成電路制作所用的硅晶片，由于其形狀為圓形，故稱(chēng)為晶圓；在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結(jié)構(gòu)，而成為有特定電性功能之IC產(chǎn)品。晶圓的原始材料是硅，而地殼表面有用之不竭的二氧化硅。二氧化硅礦石經(jīng)由電弧爐提煉，鹽酸氯化，并經(jīng)蒸餾后，制成了高純度的多晶硅，其純度高達(dá)99.999999999%。

半導(dǎo)體派對(duì) 晶圓雙雄Q4高歌

德意志證券出具最新半導(dǎo)體報(bào)告，受到聯(lián)發(fā)科3G智能型手機(jī)芯片出貨優(yōu)于預(yù)期，加上2.75G智能型手機(jī)芯片需求也較預(yù)期強(qiáng)勁帶動(dòng)，德意志證券預(yù)估，晶圓代工雙雄臺(tái)積電(2330)、聯(lián)電(2303)第四季營(yíng)運(yùn)表現(xiàn)將可望優(yōu)于原先預(yù)期，

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2012-08-23

半導(dǎo)體晶圓聯(lián)電臺(tái)積電
三星半導(dǎo)體市占提升晶圓雙雄同步領(lǐng)跌臺(tái)積電回吐漲幅

臺(tái)股昨沖上7500點(diǎn)后今(22)日回測(cè)5日線(xiàn)。早盤(pán)晶圓雙雄同步領(lǐng)先大盤(pán)走跌，臺(tái)積電(2330-TW)(US-TSM)回吐昨漲幅，聯(lián)電(2303-TW)(UMC-US)在宣布散清算日本子公司后，今天跳空一度跌逾2%。國(guó)際重量級(jí)央行會(huì)議前夕，據(jù)I

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2012-08-22

三星半導(dǎo)體晶圓臺(tái)積電
臺(tái)積電：28nm晶圓產(chǎn)能將不再是問(wèn)題

據(jù)消息來(lái)源指出，臺(tái)積電的28nm工藝晶圓良品率已高于80%，新的12英寸工廠(chǎng)Fab 15有能力在2012年第四季度生產(chǎn)100000個(gè)12英寸晶圓，第三季度的產(chǎn)能也將增長(zhǎng)300%，這也就意味著在第四季度時(shí)，NVIDIA、AMD、高通等客戶(hù)的所

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2012-08-22

NVIDIA 顯卡晶圓臺(tái)積電
封測(cè)8月?tīng)I(yíng)運(yùn)通訊強(qiáng)記憶體弱

(記者鐘榮峰臺(tái)北19日電)大部分封測(cè)臺(tái)廠(chǎng)預(yù)估8月?tīng)I(yíng)運(yùn)可較7月持穩(wěn)，其中通訊IC封測(cè)量持續(xù)走強(qiáng)，記憶體封測(cè)相對(duì)偏弱，光學(xué)測(cè)試和材料出貨穩(wěn)定， IDM廠(chǎng)委外封測(cè)量可逐步釋出。封測(cè)大廠(chǎng)日月光表示8月IC封裝測(cè)試及材料出貨

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2012-08-20

通訊 DM IC測(cè)試晶圓
封測(cè)8月?tīng)I(yíng)運(yùn) 通訊強(qiáng)記憶體弱

大部分封測(cè)臺(tái)廠(chǎng)預(yù)估8月?tīng)I(yíng)運(yùn)可較7月持穩(wěn)，其中通訊IC封測(cè)量持續(xù)走強(qiáng)，記憶體封測(cè)相對(duì)偏弱，光學(xué)測(cè)試和材料出貨穩(wěn)定，IDM廠(chǎng)委外封測(cè)量可逐步釋出。封測(cè)大廠(chǎng)日月光表示8月IC封裝測(cè)試及材料出貨表現(xiàn)相對(duì)穩(wěn)定；矽品指

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2012-08-19

通訊 DM IC測(cè)試晶圓
REC Wafer破產(chǎn)。茂迪：去年底雙方合約已結(jié)束

全球矽晶圓大廠(chǎng)REC Wafer繼今年4月份完全停止矽晶圓業(yè)務(wù)后，由于母公司多晶矽大廠(chǎng)REC停止對(duì)REC Wafer注資，故REC Wafer在債臺(tái)高筑的情況下，申請(qǐng)破產(chǎn)，由于過(guò)去REC為茂迪 (6244)的長(zhǎng)期合約供料商，市場(chǎng)擔(dān)心茂迪是否會(huì)

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2012-08-17

WAFER 晶圓
創(chuàng)意：先進(jìn)制程布局收割，28奈米Q3 Tape Out

創(chuàng)意 (3443)先進(jìn)制程營(yíng)收貢獻(xiàn)日漸增加：若以第2季營(yíng)收占比而言，40 奈米已達(dá)35%，今年上半年40奈米也已占整體營(yíng)收比重的34%，超越65奈米的33%。關(guān)于先進(jìn)制程后續(xù)表現(xiàn)，總經(jīng)理賴(lài)俊豪指出，創(chuàng)意將持續(xù)朝28奈米邁進(jìn)，最

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2012-08-17

先進(jìn)制程 ST ASIC 晶圓
臺(tái)灣IC測(cè)試廠(chǎng)

目前臺(tái)灣專(zhuān)業(yè)的IC測(cè)試廠(chǎng)商主要為京元電子、矽格、臺(tái)星科、力成及泰林等。其中封裝大廠(chǎng)日月光合并旗下的專(zhuān)業(yè)測(cè)試廠(chǎng)福雷電后，繼續(xù)為臺(tái)積電之策略聯(lián)盟；京元電與矽品則為聯(lián)電的封測(cè)聯(lián)盟。新加坡商聯(lián)合科技(UTAC)旗

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2012-08-16

封裝 IC測(cè)試 SERVICE 晶圓
采用適合工藝技術(shù)制造硅MEMS振蕩器

對(duì)MEMS振蕩器的已超過(guò)四十個(gè)年頭，然而最近才走向商用化，其中最大的一個(gè)障礙是開(kāi)發(fā)一種經(jīng)濟(jì)并足夠純凈的密閉封裝系統(tǒng)。MEMS振蕩器必須密封于非常潔凈的環(huán)境，因?yàn)榧词箻O小的表面污染物也會(huì)明顯改變振蕩頻率。另外，

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2012-08-15

諧振器振蕩器 MEMS 晶圓
東京威力科創(chuàng)溢價(jià)買(mǎi)晶圓清洗系統(tǒng)大廠(chǎng)FSI暴漲52%

受到全球第2大半導(dǎo)體設(shè)備廠(chǎng)商?hào)|京威力科創(chuàng) ( Tokyo Electron )將收購(gòu)的消息激勵(lì)，晶圓清洗系統(tǒng)領(lǐng)導(dǎo)廠(chǎng)商FSI International, Inc. 13日在正常交易時(shí)段暴漲52.48%，收6.16美元，創(chuàng)下 2006年10月17日以來(lái)收盤(pán)新高，今年以

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2012-08-15

力科半導(dǎo)體設(shè)備 INTERNATIONAL 晶圓
高品質(zhì)的LED制造技術(shù)介紹

LED制造商中只有一少部分能夠制造出高品質(zhì)的LED。對(duì)于只用作簡(jiǎn)單指示作用的應(yīng)用，低品質(zhì)的LED就足以滿(mǎn)足要求了。但是在許多要求一致性、可靠性、固態(tài)指示或照明等領(lǐng)域里必須采用高品質(zhì)的LED，特別是在惡劣環(huán)境下，例

顯示光電
2012-08-11

LED 電壓電路結(jié)構(gòu) 晶圓
從凈虧377萬(wàn)到凈賺706萬(wàn)美元中芯國(guó)際第二季度營(yíng)收超預(yù)期

8月8日晚間消息，中芯國(guó)際昨日發(fā)布第二季度財(cái)報(bào)，凈利潤(rùn)為705.9萬(wàn)美元，較之去年同期凈虧損377.2萬(wàn)美元，不但扭虧為盈，且增幅巨大。第二季度銷(xiāo)售成本與第一季的2.929億美元相比上升9.3%，至3.201億美元，差異主要是

消費(fèi)電子
2012-08-10

中芯國(guó)際存儲(chǔ)器編程晶圓
尼康獲英特爾數(shù)百億日元資助研制低成本芯片

8月8日下午消息，據(jù)日經(jīng)新聞網(wǎng)報(bào)道，尼康將與美國(guó)英特爾聯(lián)手開(kāi)發(fā)新一代半導(dǎo)體制造核心的曝光設(shè)備。據(jù)悉，新設(shè)備將通過(guò)在更大尺寸的半導(dǎo)體晶圓上繪制電路，將生產(chǎn)成本降低一半，目標(biāo)是2018年投入實(shí)際生產(chǎn)。英特爾將承

消費(fèi)電子
2012-08-10

芯片英特爾尼康晶圓
臺(tái)積電2016年10nm制程才將采用EUV技術(shù)

繼英特爾日前宣布，將投資荷蘭半導(dǎo)體設(shè)備大廠(chǎng)ASML，取得其15%股權(quán)后，臺(tái)積電也于5日正式宣布，將投資8.38億歐元(相當(dāng)于臺(tái)幣308億元)吃下ASML5%的股權(quán)，且未來(lái)5年將投入2.76億歐元(相當(dāng)臺(tái)幣102億元)，來(lái)挹注ASML對(duì)18寸

消費(fèi)電子
2012-08-10

ASML EUV 晶圓臺(tái)積電
從凈虧377萬(wàn)到凈賺706萬(wàn)美元中芯國(guó)際第二季度營(yíng)收超預(yù)期

8月8日晚間消息，中芯國(guó)際昨日發(fā)布第二季度財(cái)報(bào)，凈利潤(rùn)為705.9萬(wàn)美元，較之去年同期凈虧損377.2萬(wàn)美元，不但扭虧為盈，且增幅巨大。第二季度銷(xiāo)售成本與第一季的2.929億美元相比上升9.3%，至3.201億美元，差異主要是

消費(fèi)電子
2012-08-10

中芯國(guó)際存儲(chǔ)器編程晶圓
尼康獲英特爾數(shù)百億日元資助研制低成本芯片

8月8日下午消息，據(jù)日經(jīng)新聞網(wǎng)報(bào)道，尼康將與美國(guó)英特爾聯(lián)手開(kāi)發(fā)新一代半導(dǎo)體制造核心的曝光設(shè)備。據(jù)悉，新設(shè)備將通過(guò)在更大尺寸的半導(dǎo)體晶圓上繪制電路，將生產(chǎn)成本降低一半，目標(biāo)是2018年投入實(shí)際生產(chǎn)。英特爾將承

消費(fèi)電子
2012-08-10

芯片英特爾尼康晶圓
臺(tái)積電2016年10nm制程才將采用EUV技術(shù)

繼英特爾日前宣布，將投資荷蘭半導(dǎo)體設(shè)備大廠(chǎng)ASML，取得其15%股權(quán)后，臺(tái)積電也于5日正式宣布，將投資8.38億歐元(相當(dāng)于臺(tái)幣308億元)吃下ASML5%的股權(quán)，且未來(lái)5年將投入2.76億歐元(相當(dāng)臺(tái)幣102億元)，來(lái)挹注ASML對(duì)18寸

消費(fèi)電子
2012-08-10

ASML EUV 晶圓臺(tái)積電
臺(tái)積電2016年10nm制程才將采用EUV技術(shù)

繼英特爾日前宣布，將投資荷蘭半導(dǎo)體設(shè)備大廠(chǎng)ASML，取得其15%股權(quán)后，臺(tái)積電也于5日正式宣布，將投資8.38億歐元(相當(dāng)于臺(tái)幣308億元)吃下ASML5%的股權(quán)，且未來(lái)5年將投入2.76億歐元(相當(dāng)臺(tái)幣102億元)，來(lái)挹注ASML對(duì)18寸

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2012-08-10

ASML EUV 晶圓臺(tái)積電
英特爾資助尼康研制半導(dǎo)體制造新設(shè)備

尼康將與美國(guó)英特爾聯(lián)手開(kāi)發(fā)新一代半導(dǎo)體制造核心的曝光設(shè)備。新設(shè)備將通過(guò)在更大尺寸的半導(dǎo)體晶圓上繪制電路，將生產(chǎn)成本降低一半，目標(biāo)是2018年投入實(shí)際生產(chǎn)。英特爾將承擔(dān)數(shù)百億日元的開(kāi)發(fā)費(fèi)用。尼康是該設(shè)備領(lǐng)域

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2012-08-09

英特爾尼康半導(dǎo)體制造晶圓
臺(tái)積電2016年10nm制程才將采用EUV技術(shù)

繼英特爾日前宣布，將投資荷蘭半導(dǎo)體設(shè)備大廠(chǎng)ASML，取得其15%股權(quán)后，臺(tái)積電也于5日正式宣布，將投資8.38億歐元(相當(dāng)于臺(tái)幣308億元)吃下ASML5%的股權(quán)，且未來(lái)5年將投入2.76億歐元(相當(dāng)臺(tái)幣102億元)，來(lái)挹注ASML對(duì)18寸

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2012-08-09

ASML EUV 晶圓臺(tái)積電

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晶圓

半導(dǎo)體派對(duì) 晶圓雙雄Q4高歌

三星半導(dǎo)體市占提升晶圓雙雄同步領(lǐng)跌臺(tái)積電回吐漲幅

臺(tái)積電：28nm晶圓產(chǎn)能將不再是問(wèn)題

封測(cè)8月?tīng)I(yíng)運(yùn)通訊強(qiáng)記憶體弱

封測(cè)8月?tīng)I(yíng)運(yùn) 通訊強(qiáng)記憶體弱

REC Wafer破產(chǎn)。茂迪：去年底雙方合約已結(jié)束

創(chuàng)意：先進(jìn)制程布局收割，28奈米Q3 Tape Out

臺(tái)灣IC測(cè)試廠(chǎng)

采用適合工藝技術(shù)制造硅MEMS振蕩器

東京威力科創(chuàng)溢價(jià)買(mǎi)晶圓清洗系統(tǒng)大廠(chǎng)FSI暴漲52%

高品質(zhì)的LED制造技術(shù)介紹

從凈虧377萬(wàn)到凈賺706萬(wàn)美元中芯國(guó)際第二季度營(yíng)收超預(yù)期

尼康獲英特爾數(shù)百億日元資助研制低成本芯片

臺(tái)積電2016年10nm制程才將采用EUV技術(shù)

從凈虧377萬(wàn)到凈賺706萬(wàn)美元中芯國(guó)際第二季度營(yíng)收超預(yù)期

尼康獲英特爾數(shù)百億日元資助研制低成本芯片

臺(tái)積電2016年10nm制程才將采用EUV技術(shù)

臺(tái)積電2016年10nm制程才將采用EUV技術(shù)

英特爾資助尼康研制半導(dǎo)體制造新設(shè)備

臺(tái)積電2016年10nm制程才將采用EUV技術(shù)

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