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[導讀]11月20日消息,據(jù)媒體報道,三星電子于今年第三季度成功重返全球DRAM市場銷售額第一的位置,主要受益于高帶寬內存(HBM)出貨量的顯著增長以及通用DRAM產品價格的持續(xù)上漲,推動其銷售額創(chuàng)下歷史新高。

11月20日消息,據(jù)媒體報道,三星電子于今年第三季度成功重返全球DRAM市場銷售額第一的位置,主要受益于高帶寬內存(HBM)出貨量的顯著增長以及通用DRAM產品價格的持續(xù)上漲,推動其銷售額創(chuàng)下歷史新高。

根據(jù)市場研究公司ChinaFlashMarket(CFM)于11月19日發(fā)布的數(shù)據(jù),三星電子第三季度DRAM銷售額達到139.42億美元,環(huán)比增長29.6%,市場份額回升至34.8%,重新奪回行業(yè)榜首。

此前在上半年,受HBM市場短期波動影響,三星電子曾一度失去領先地位;進入下半年后,該公司業(yè)務逐步恢復,呈現(xiàn)出強勁復蘇態(tài)勢。

同期,SK海力士以137.9億美元的銷售額位居第二,市場份額為34.4%,與三星電子的差距僅為0.4個百分點,顯示出頭部廠商之間的競爭依然激烈。美光科技排名第三,銷售額為89.84億美元,占據(jù)22.4%的市場份額。

CFM分析指出,三星電子業(yè)績的反彈得益于兩大關鍵因素:HBM供應量的擴大以及通用DRAM價格的持續(xù)走強。該公司第三季度HBM位單元出貨量環(huán)比激增85%,主要由于開始向NVIDIA交付第五代HBM3E產品。此外,人工智能數(shù)據(jù)中心對內存需求的爆發(fā)式增長,導致PC和智能手機等消費級IT設備的DRAM供應趨緊,進一步推高了產品價格。

與此同時,全球內存市場規(guī)模也在本季度創(chuàng)下歷史新高。第三季度DRAM市場總銷售額達到400.37億美元,環(huán)比增長24.7%,同比增幅高達54%。NAND閃存市場同樣表現(xiàn)強勁,銷售額為184.22億美元,環(huán)比上升16.8%。

在NAND閃存領域,三星電子進一步鞏固了其領導地位,實現(xiàn)銷售額53.66億美元,市場份額達29.1%。SK海力士(19.2%)、鎧俠(16.5%)、西部數(shù)據(jù)(12.5%)和美光(12.2%)緊隨其后。

CFM預測,由于各應用領域存儲器供應持續(xù)緊張,加上供應商庫存水平維持低位,產品價格有望繼續(xù)保持強勢,第四季度存儲器市場規(guī)模有望再創(chuàng)新高。

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