DRAM

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DRAM廠3Q成績僅瑞晶逆勢突圍　

DRAM廠第3季經(jīng)歷最冷的傳統(tǒng)旺季，營運成績單并不亮眼，其中南亞科和華亞科虧損較第2季擴大，力晶雖然第3季是少數(shù)獲利的DRAM廠，但獲利幅度較第2季大幅縮水，瑞晶則是臺系DRAM廠中，唯一獲利幅度逆勢超過第2季的業(yè)者，

電子設(shè)計自動化
2010-10-27

DRAM PC市場晶圓廠 EPS
力成2010年第3季財報

內(nèi)存封測廠力成科技26日召開法人說明會，公布第3季營運結(jié)果，表現(xiàn)依舊亮麗，董事長蔡篤恭笑稱「要留給大家一點驚喜」。根據(jù)力成財報顯示，第3季合并營收及獲利同創(chuàng)歷史新高紀(jì)錄，單季營收為新臺幣98.37億元，季增5.9

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2010-10-27

內(nèi)存 Flash NAND DRAM
力成法說撐腰封測族群看好

臺股昨(26)日逢高震蕩，電子股中封測族群表現(xiàn)亮麗。昨日封測族群由力成(6239)法說會打頭陣，第三季財報交出好成績單，今起硅品(2325)、周五日月光(2311)法說會接力登場，法人看好封測族群營收表現(xiàn)。 DRAM封測大廠

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2010-10-27

半導(dǎo)體電子 MOBILE DRAM
力成蔡篤恭：Q4優(yōu)于Q3，今年賺一個資本額沒問題

存儲器封測大廠力成(6239)今天召開法說會，公布前三季每股盈余為8.15元，董事長蔡篤恭樂觀表示，今年賺一個資本額沒有問題，至于明年展望，明年第一季優(yōu)于今年第四季，這是一個蠻有趣的情況。顯示出明年首季淡季不淡

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2010-10-26

存儲器平板 MOBILE DRAM
力晶明年資本支出160億新臺幣

臺系DRAM廠力晶宣布2011年的資本支出為新臺幣160億元，較2010年的資本支出200億元減少約20%;此外，之前被主管機關(guān)退件的上限8億股的海外存托憑證(GDR)申請案也將重新啟動;再者，力晶亦宣布將出售部分機臺設(shè)備給設(shè)備商

電子設(shè)計自動化
2010-10-25

存儲器制程技術(shù) DRAM 晶圓廠
力晶明年資本支出160億新臺幣擬售后租回機臺設(shè)備

臺系DRAM廠力晶宣布2011年的資本支出為新臺幣160億元，較2010年的資本支出200億元減少約20%；此外，之前被主管機關(guān)退件的上限8億股的海外存托憑證(GDR)申請案也將重新啟動；再者，力晶亦宣布將出售部分機臺設(shè)備給設(shè)備

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2010-10-22

存儲器制程技術(shù) DRAM 晶圓廠
明年量產(chǎn)20納米NAND Flash

海力士社長權(quán)五哲表示，自2010年8月投入量產(chǎn)的26納米64Gb NAND Flash目前出貨相當(dāng)順利。2011年中計劃量產(chǎn)20納米制程產(chǎn)品。海力士持續(xù)引領(lǐng)DRAM產(chǎn)品制程微縮趨勢，然而NAND Flash產(chǎn)品技術(shù)方面在過去1、2年落后其它競爭

消費電子
2010-10-21

Flash 海力士 NAND DRAM
海力士擬明年量產(chǎn)20納米NAND Flash

韓國半導(dǎo)體廠海力士(Hynix)計劃2011年中以20納米制程量產(chǎn)NAND Flash。此20納米制程快閃存儲器可應(yīng)用于手機或平板計算機(Tablet PC)等裝置，相較26納米存儲器，晶圓(wafer)產(chǎn)出量提高約25%。海力士社長權(quán)五哲表示，自

智能硬件
2010-10-20

Flash 海力士 NAND DRAM
臺DRAM廠4Q面臨全虧危機

南亞科和華亞科20日將打頭陣召開法說，然力晶卻搶先公布第3季財報，稅后獲利19.36億元，若加計瑞晶獲利，第3季獲利可望逼近30億元；南亞科和華亞科則因為50奈米制程轉(zhuǎn)換，產(chǎn)出不如預(yù)期，加上DDR3價格慢性崩盤，使得2

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2010-10-19

芯片 GB DDR3 DRAM
力晶前3季賺122億元笑傲DRAM廠

DRAM大廠力晶科技（5346）昨（18）日公布今年第3季不含轉(zhuǎn)投資瑞晶之自行結(jié)算財務(wù)報告，第3季營收達250.24億元，毛利率達17.35％，每股凈利達0.34元，而總結(jié)今年前3季營收達675.42億元，稅后凈利達122.39億元，每股凈

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2010-10-19

晶圓代工先進制程 DDR3 DRAM
DRAM價格連跌5月　三星、海力士4Q營收不樂觀

DRAM內(nèi)存半導(dǎo)體價格跌勢持續(xù)第5個月，韓廠三星電子(SamsungElectronics)和海力士半導(dǎo)體(Hynix)等內(nèi)存公司2010年第4季將難避免營收惡化的危機。據(jù)內(nèi)存市場研究機構(gòu)DRAMeXchange統(tǒng)計，DRAM主要產(chǎn)品DDR3在10月上半時平均

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2010-10-19

半導(dǎo)體三星海力士 DRAM
海力士擬明年量產(chǎn)20奈米NANDFlash

南韓半導(dǎo)體廠海力士(Hynix)計劃2011年中以20奈米制程量產(chǎn)NANDFlash。此20奈米制程閃存可應(yīng)用于手機或平板計算機(TabletPC)等裝置，相較26奈米內(nèi)存，晶圓(wafer)產(chǎn)出量提高約25%。海力士社長權(quán)五哲表示，自2010年8月投

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2010-10-19

海力士 NI NANDFLASH DRAM
USB 3.0明年起飛，2012年是否將普及如現(xiàn)今USB 2.0

市場研究機構(gòu)DRAMeXchange認(rèn)為，隨著 USB 3.0 的應(yīng)用將在主控端(Host)與裝置端(Device)技術(shù)逐漸成熟，以及芯片與連接器等配套零件價格因競爭激烈而有效下滑，再加上處理器廠商Intel與AMD大力支持，該標(biāo)準(zhǔn)將在 2011年

消費電子
2010-10-19

USB U盤 EXCHANGE DRAM
爾必達和夏普共同開發(fā)ReRAM填補DRAM與NAND閃存的性能差

新一代存儲器的大型共同開發(fā)項目即將在日本啟動。爾必達存儲器、夏普、東京大學(xué)以及產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所將聯(lián)手開發(fā)Gbit級可變電阻式存儲器（ReRAM）。此次開發(fā)將結(jié)合夏普擁有的可變電阻元件等材料技術(shù)和爾必達存儲器擁

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2010-10-18

爾必達夏普 NAND閃存 DRAM
三星2011年半導(dǎo)體資本支出92億美元居全球業(yè)者之首

據(jù)外電報導(dǎo)，三星電子(SamsungElectronics)繼2010年對半導(dǎo)體進行達96億美元的大規(guī)模資本額投資后，2011年也將持續(xù)投資92億美元發(fā)展半導(dǎo)體事業(yè)。三星連續(xù)2年在半導(dǎo)體投資額排名居世界之冠。三星2011年將優(yōu)先對華城廠1

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2010-10-18

半導(dǎo)體三星美光 DRAM
臺灣南亞科技兩工程師猝死月加班超100小時

（浩鈞）10月15日消息，據(jù)臺灣媒體報道，經(jīng)家屬最近向媒體投訴，臺灣南亞科技在今年1月份5天內(nèi)連續(xù)有兩名員工猝死，分別為29歲的工程師和38歲的課長。南亞科技成立于1995年3月4日，致力于DRAM（動態(tài)隨機存取內(nèi)

消費電子
2010-10-18

半導(dǎo)體工程師內(nèi)存 DRAM
晶圓測試廠Q4能見度低

晶圓代工廠第3季產(chǎn)能利用率仍維持在滿載水位，但后段晶圓測試廠京元電（2449）、欣銓（3264）的8月及9月營收雖仍同步保持在高檔，但10月之后產(chǎn)能利用率已明顯滑落，主要原因是利基型DRAM及閃存等訂單突然喊卡。京元電

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2010-10-15

晶圓代工內(nèi)存晶圓 DRAM
景氣雖不明海力士仍持續(xù)投資30納米制程

雖然在經(jīng)濟前景不明的情況下，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)景氣亦受到連帶影響，不過全球排名第2的半導(dǎo)體大廠海力士(Hynix)仍計劃對轉(zhuǎn)進30納米制程持續(xù)加碼，以增加和三星電子(SamsungElectronics)、日本爾必達(Elpida)等大廠競爭的優(yōu)

半導(dǎo)體
2010-10-14

計算機海力士 PC DRAM
景氣雖不明　海力士仍持續(xù)投資30納米制程

雖然在經(jīng)濟前景不明的情況下，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)景氣亦受到連帶影響，不過全球排名第2的半導(dǎo)體大廠海力士(Hynix)仍計劃對轉(zhuǎn)進30納米制程持續(xù)加碼，以增加和三星電子(Samsung Electronics)、日本爾必達(Elpida)等大廠競爭的優(yōu)

電子設(shè)計自動化
2010-10-13

爾必達海力士 PC DRAM
英特爾和三星均看壞下半年景氣

下周又將進入超級財報周了，最先登場的是半導(dǎo)體龍頭英特爾(Intel)，將在美國時間12日美股收盤后，發(fā)布該公司第3季的業(yè)績報告，不過，英特爾早在上個月示警，表示由于PC市場需求疲軟，導(dǎo)致第3季營收恐怕難達預(yù)期。無獨

半導(dǎo)體
2010-10-12

三星英特爾微處理器 DRAM

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DRAM

DRAM廠3Q成績僅瑞晶逆勢突圍

力成2010年第3季財報

力成法說撐腰封測族群看好

力成蔡篤恭：Q4優(yōu)于Q3，今年賺一個資本額沒問題

力晶明年資本支出160億新臺幣

力晶明年資本支出160億新臺幣擬售后租回機臺設(shè)備

明年量產(chǎn)20納米NAND Flash

海力士擬明年量產(chǎn)20納米NAND Flash

臺DRAM廠4Q面臨全虧危機

力晶前3季賺122億元笑傲DRAM廠

DRAM價格連跌5月　三星、海力士4Q營收不樂觀

海力士擬明年量產(chǎn)20奈米NANDFlash

USB 3.0明年起飛，2012年是否將普及如現(xiàn)今USB 2.0

爾必達和夏普共同開發(fā)ReRAM填補DRAM與NAND閃存的性能差

三星2011年半導(dǎo)體資本支出92億美元居全球業(yè)者之首

臺灣南亞科技兩工程師猝死月加班超100小時

晶圓測試廠Q4能見度低

景氣雖不明海力士仍持續(xù)投資30納米制程

景氣雖不明　海力士仍持續(xù)投資30納米制程

英特爾和三星均看壞下半年景氣

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