臺(tái)積電

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臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司，簡(jiǎn)稱(chēng)臺(tái)積電、TSMC，屬于半導(dǎo)體制造公司。成立于1987年，是全球第一家專(zhuān)業(yè)積體電路制造服務(wù)（晶圓代工foundry）企業(yè)，總部與主要工廠位于臺(tái)灣新竹科學(xué)園區(qū)。2017年，領(lǐng)域占有率56%。2018年一季度，合并營(yíng)收85億美元，同比增長(zhǎng)6%，凈利潤(rùn)30億美元，同比增長(zhǎng)2.5%，毛利率為50.3%，凈利率為36.2%，其中10納米晶圓出貨量占據(jù)了總晶圓營(yíng)收的19%，另外7納米FinFET制程技術(shù)即將量產(chǎn)。截止2018年4月19日，美股TSM，市值2174億美元，靜態(tài)市盈率19。

臺(tái)積尬三星分食蘋(píng)果大單

市調(diào)機(jī)構(gòu)顧能（Gartner）研究總監(jiān)王端昨（4）日指出，臺(tái)積電有機(jī)會(huì)在2014年之前，從三星手上分食蘋(píng)果行動(dòng)處理器1年21億美元（約新臺(tái)幣615.4億元）的代工生意；一旦臺(tái)積電全數(shù)拿下，營(yíng)收將大增逾一成，更奠定其在晶圓

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2012-10-05

三星蘋(píng)果臺(tái)積電處理器
臺(tái)積電研發(fā)經(jīng)費(fèi) 制造業(yè)之首

經(jīng)濟(jì)部統(tǒng)計(jì)處今天公布最新制造業(yè)研究發(fā)展概況，今年上半年臺(tái)積電以研發(fā)經(jīng)費(fèi)新臺(tái)幣 184億元，續(xù)居制造業(yè)之首，占營(yíng)收比為8%，較去年7.6%微增。其它如宏達(dá)電、聯(lián)發(fā)科、緯創(chuàng)研發(fā)費(fèi)用也有50億元以上，占營(yíng)收比分別為5%

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2012-10-04

半導(dǎo)體光電宏達(dá) 臺(tái)積電
臺(tái)積電市占明年掉3成？Gartner：言過(guò)其實(shí)三星能力仍遜

部分市場(chǎng)機(jī)構(gòu)預(yù)估臺(tái)積電(2330-TW)(TSM-US)明年市占隨三星(Samsung Electronics Co., Ltd.)(005930-KS)產(chǎn)能開(kāi)出恐掉3成，對(duì)此，國(guó)際研究暨顧問(wèn)機(jī)構(gòu)Gartner今(4)日分析指出，28奈米三星能力上仍不如霸主臺(tái)積電，觀察臺(tái)

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2012-10-04

晶圓代工 GARTNER 三星臺(tái)積電
不再只聞樓梯響18吋晶圓量產(chǎn)時(shí)程表出爐

18吋晶圓技術(shù)發(fā)展終于步上軌道。在G450C、SEMI及半導(dǎo)體設(shè)備大廠共同努力下，18吋晶圓制程設(shè)備及標(biāo)準(zhǔn)可望在2016年后逐一到位，將助力半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在2018年順利從12吋晶圓，邁入18吋晶圓世代，包括臺(tái)積電、英特爾均已揭露

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2012-10-04

晶圓代工晶圓 SEMI 臺(tái)積電
臺(tái)積電市占明年由8成降至5成

三星今年在晶圓代工市場(chǎng)布局腳步積極，并且連續(xù)兩年大幅拉升資本支出規(guī)模，研調(diào)機(jī)構(gòu)拓墣示警，三星明年在晶圓代工市場(chǎng)全面進(jìn)攻策略，將是沖擊半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的最大變量，原因即在于三星將把存儲(chǔ)器產(chǎn)能大舉轉(zhuǎn)進(jìn)晶圓代工，

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2012-10-03

存儲(chǔ)器晶圓代工三星臺(tái)積電
茂德12吋廠傳賣(mài)臺(tái)積電不予置評(píng)聯(lián)電要求依法分配權(quán)益

傳茂德中科12吋晶圓廠將售臺(tái)積電(2330-TW)(TSM-US)，對(duì)此，臺(tái)積電不予置評(píng)；而茂德大股東之一的聯(lián)電(2303-TW)(UMC-US)則強(qiáng)調(diào)將依公司法請(qǐng)求及分配相關(guān)權(quán)益DRAM廠茂德預(yù)計(jì)10月中下旬有兩波約1300人的資遣，晶圓廠結(jié)束

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2012-10-03

DRAM 聯(lián)電晶圓廠臺(tái)積電
研發(fā)減稅／臺(tái)積：延長(zhǎng)年限受惠更大

政府鼓勵(lì)研發(fā)，促產(chǎn)條例規(guī)定研發(fā)費(fèi)用的15%可以抵減所得稅，原本抵減總額100億元將放寬，臺(tái)積電昨（2）日表示，政府若能進(jìn)一步延長(zhǎng)抵用年限，直接受惠程度將更大，太陽(yáng)能廠也普遍正面看待；惟PC業(yè)者私下表示，因?yàn)橐?/p>
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2012-10-03

聯(lián)發(fā)科太陽(yáng)能 IC設(shè)計(jì) 臺(tái)積電
拓墣：三星強(qiáng)攻代工臺(tái)積電明年面臨強(qiáng)烈挑戰(zhàn)

拓墣今(2日)舉辦2013年IT產(chǎn)業(yè)大預(yù)測(cè)研討會(huì)，拓墣半導(dǎo)體研究中心副理陳蘭蘭指出，明年會(huì)是三星「全面進(jìn)攻」的一年，主要是三星將記憶體產(chǎn)能大舉轉(zhuǎn)進(jìn)晶圓代工，臺(tái)積電(2330)將面臨強(qiáng)烈挑戰(zhàn)。她指出，今年臺(tái)積電的28奈米

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2012-10-02

晶圓代工 FAB 三星臺(tái)積電
矽品獲聯(lián)發(fā)科大單 Q4發(fā)威

IC封測(cè)大廠矽品搶攻高階封測(cè)市場(chǎng)，近期傳出矽品董事長(zhǎng)林文伯親自拜會(huì)聯(lián)發(fā)科董事長(zhǎng)蔡明介，成功搶下大單，讓矽品在聯(lián)發(fā)科芯片封測(cè)占比，有機(jī)會(huì)超越日月光，為矽品第4季及明年帶來(lái)強(qiáng)勁動(dòng)能。此外，矽品耕耘海外整合元

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2012-10-01

聯(lián)發(fā)科手機(jī)芯片封裝臺(tái)積電
臺(tái)積電相挺矽立搶進(jìn)中國(guó)MEMS市場(chǎng)

臺(tái)積電成為國(guó)內(nèi)感測(cè)器供應(yīng)商進(jìn)軍中國(guó)大陸市場(chǎng)的重要助力。瞄準(zhǔn)中國(guó)大陸微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)商機(jī)，臺(tái)灣感測(cè)器廠商矽立，透過(guò)與臺(tái)積電合作，已順利開(kāi)發(fā)出三軸加速度計(jì)，并成功打進(jìn)中國(guó)大陸公板平臺(tái)。工研院產(chǎn)經(jīng)中心電子與

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2012-10-01

感測(cè)器組件 MEMS 臺(tái)積電
晶圓代工 Q4營(yíng)運(yùn)恐轉(zhuǎn)淡

時(shí)序步入傳統(tǒng)淡季，加上供應(yīng)鏈庫(kù)存水位急遽拉高，晶圓代工廠臺(tái)積電與聯(lián)電第4季營(yíng)運(yùn)恐受市場(chǎng)庫(kù)存修正影響，呈淡季表現(xiàn)，兩公司業(yè)績(jī)將季減5%至15%。全球經(jīng)濟(jì)情勢(shì)不佳，個(gè)人電腦市場(chǎng)需求低迷不振，第3季半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)景

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2012-10-01

晶片晶圓代工聯(lián)電臺(tái)積電
格羅方德跟臺(tái)積電有拚

晶圓代工廠格羅方德（GlobalFoundries）來(lái)臺(tái)嗆聲，全球營(yíng)銷(xiāo)暨業(yè)務(wù)執(zhí)行副總裁Michael Noonen表示，已正式推出結(jié)合14納米鰭式場(chǎng)效晶體管（FinFET）制程的14nm-XM技術(shù)，協(xié)助客戶加快行動(dòng)裝置芯片上市時(shí)間。格羅方德指出

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2012-10-01

晶體管格羅方德 FINFET 臺(tái)積電
臺(tái)積電相挺　矽立搶進(jìn)中國(guó)MEMS市場(chǎng)

臺(tái)積電成為國(guó)內(nèi)感測(cè)器供應(yīng)商進(jìn)軍中國(guó)大陸市場(chǎng)的重要助力。瞄準(zhǔn)中國(guó)大陸微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)商機(jī)，臺(tái)灣感測(cè)器廠商矽立，透過(guò)與臺(tái)積電合作，已順利開(kāi)發(fā)出三軸加速度計(jì)，并成功打進(jìn)中國(guó)大陸公板平臺(tái)。工研院產(chǎn)經(jīng)中心電

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2012-10-01

感測(cè)器 MEMS BSP 臺(tái)積電
28nm臺(tái)積電最大明年上半年囊括9成市占

雖然包括聯(lián)電（2303）、格羅方德（GlobalFoundries）、三星等晶圓代工廠積極搶進(jìn)28納米市場(chǎng)，但因良率尚未拉高或產(chǎn)能布建不足等原因，搶得的訂單仍然有限，也因此，在市場(chǎng)對(duì)臺(tái)積電明年上半年將囊括9成以上28納米訂單

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2012-09-30

晶圓代工聯(lián)電格羅方德臺(tái)積電
格羅方德：「3D鰭式晶體管」技術(shù)領(lǐng)先臺(tái)積電

晶圓代工大廠格羅方德（Globalfoundries）昨（28）日宣布，旗下以3D鰭式晶體管（FinFET）導(dǎo)入的14納米元件，預(yù)計(jì)2013年試產(chǎn)，2014年量產(chǎn)，「已可直接與英特爾競(jìng)爭(zhēng)」，技術(shù)層次更領(lǐng)先臺(tái)積電半個(gè)世代。格羅方德由微處

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2012-09-29

晶體管晶圓代工格羅方德臺(tái)積電
挑戰(zhàn)臺(tái)積電！格羅方德強(qiáng)攻行動(dòng)市場(chǎng)14奈米明年試產(chǎn)

GLOBALFOUNDRIES(格羅方德)近期持續(xù)展現(xiàn)挑戰(zhàn)臺(tái)積電(2330-TW)與英特爾(INTC-US)的企圖心。該公司宣稱(chēng)，3D FinFET導(dǎo)入的14奈米元件將于明年導(dǎo)入試產(chǎn)，直接跳過(guò)28奈米，要與臺(tái)積電所稱(chēng)的20奈米SoC應(yīng)用互別苗頭，并鎖定行

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2012-09-29

恩智浦格羅方德 FINFET 臺(tái)積電
晶圓代工廠先進(jìn)制程概況

2012年受惠行動(dòng)裝置和行動(dòng)運(yùn)算應(yīng)用熱門(mén)，造成臺(tái)積電28奈米制程產(chǎn)能狂缺，加上GlobalFoundries和三星電子(SamsungElectronics)也都朝先進(jìn)制程猛攻，未來(lái)各廠能否快速布局先進(jìn)制程技術(shù)成為晶圓代工廠致勝關(guān)鍵。根據(jù)市調(diào)

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2012-09-29

晶圓代工先進(jìn)制程 GLOBALFOUNDRIES 臺(tái)積電
GF：3D FinFET技術(shù)領(lǐng)先臺(tái)積電

晶圓代工大廠格羅方德（Globalfoundries）昨（28）日宣布，旗下以3D鰭式晶體管（FinFET）導(dǎo)入的14納米元件，預(yù)計(jì)2013年試產(chǎn)，2014年量產(chǎn)，“已可直接與英特爾競(jìng)爭(zhēng)”，技術(shù)層次更領(lǐng)先臺(tái)積電半個(gè)世代。格羅方德由微

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2012-09-29

晶圓代工格羅方德 FINFET 臺(tái)積電
避免MCU技術(shù)外流，日本產(chǎn)官界決議攜手收購(gòu)瑞薩電子？

受日?qǐng)A飆漲、競(jìng)爭(zhēng)激烈沖擊，導(dǎo)致日本半導(dǎo)體廠商營(yíng)運(yùn)亮起紅燈、陷入虧損，而為了避免日本代表性的半導(dǎo)體廠商瑞薩電子(Renesas Electronics Corp.)步上爾必達(dá) ( Elpida )后塵(由美企收購(gòu))、并避免微控制器( MCU )技術(shù)外

單片機(jī)
2012-09-28

微控制器瑞薩電子 MCU 臺(tái)積電
德意志證：28奈米需求爆發(fā) 龍頭臺(tái)積得利

德意志證券出具最新半導(dǎo)體報(bào)告指出，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)性轉(zhuǎn)變將在明后年持續(xù)上演，認(rèn)為28奈米明年需求的爆發(fā)將超越40奈米導(dǎo)入時(shí)的需求表現(xiàn)，預(yù)估采用28奈米制成的二線智慧型手機(jī)晶片廠到明年上半年仍會(huì)有供應(yīng)吃緊的狀況

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2012-09-28

晶片晶圓代工臺(tái)積電

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臺(tái)積電

臺(tái)積尬三星分食蘋(píng)果大單

臺(tái)積電研發(fā)經(jīng)費(fèi) 制造業(yè)之首

臺(tái)積電市占明年掉3成？Gartner：言過(guò)其實(shí)三星能力仍遜

不再只聞樓梯響18吋晶圓量產(chǎn)時(shí)程表出爐

臺(tái)積電市占明年由8成降至5成

茂德12吋廠傳賣(mài)臺(tái)積電不予置評(píng)聯(lián)電要求依法分配權(quán)益

研發(fā)減稅／臺(tái)積：延長(zhǎng)年限受惠更大

拓墣：三星強(qiáng)攻代工臺(tái)積電明年面臨強(qiáng)烈挑戰(zhàn)

矽品獲聯(lián)發(fā)科大單 Q4發(fā)威

臺(tái)積電相挺矽立搶進(jìn)中國(guó)MEMS市場(chǎng)

晶圓代工 Q4營(yíng)運(yùn)恐轉(zhuǎn)淡

格羅方德跟臺(tái)積電有拚

臺(tái)積電相挺　矽立搶進(jìn)中國(guó)MEMS市場(chǎng)

28nm臺(tái)積電最大明年上半年囊括9成市占

格羅方德：「3D鰭式晶體管」技術(shù)領(lǐng)先臺(tái)積電

挑戰(zhàn)臺(tái)積電！格羅方德強(qiáng)攻行動(dòng)市場(chǎng)14奈米明年試產(chǎn)

晶圓代工廠先進(jìn)制程概況

GF：3D FinFET技術(shù)領(lǐng)先臺(tái)積電

避免MCU技術(shù)外流，日本產(chǎn)官界決議攜手收購(gòu)瑞薩電子？

德意志證：28奈米需求爆發(fā) 龍頭臺(tái)積得利

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