
半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域的分析師Jerome Baron這樣指出:在處于半導(dǎo)體前工序和后工序中間位置的“中端”領(lǐng)域,具有代表性的技術(shù)包括晶圓級封裝(WLP)及采用TSV(硅通孔)的硅轉(zhuǎn)接板等,潛藏著新的商機(jī)。中端領(lǐng)域的技術(shù)之所以
法國元件調(diào)查公司Yole Developpement公司MEMS及半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域的分析師Jerome Baron這樣指出:在處于半導(dǎo)體前工序和后工序中間位置的“中端”領(lǐng)域,具有代表性的技術(shù)包括晶圓級封裝(WLP)及采用TSV(硅通孔)
硅晶圓供貨商 MEMC Electronic Materials 公司稍早前公布了第二季銷售及營利報告,該公司下修了年度銷售目標(biāo),主要原因是太陽能(Solar)的衰退和半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的需求疲軟。 MEMC表示,目前預(yù)期的預(yù)測報表銷售額在33億
法國元件調(diào)查公司Yole Developpement公司MEMS及半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域的分析師Jerome Baron這樣指出:在處于半導(dǎo)體前工序和后工序中間位置的“中端”領(lǐng)域,具有代表性的技術(shù)包括晶圓級封裝(WLP)及采用TSV(硅通孔)的硅轉(zhuǎn)
法國元件調(diào)查公司Yole Developpement公司MEMS及半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域的分析師Jerome Baron這樣指出:在處于半導(dǎo)體前工序和后工序中間位置的“中端”領(lǐng)域,具有代表性的技術(shù)包括晶圓級封裝(WLP)及采用TSV(硅通
矽晶圓供應(yīng)商 MEMC Electronic Materials 公司稍早前公布了第二季銷售及營利報告,該公司下修了年度銷售目標(biāo),主要原因是太陽能(Solar)的衰退和半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的需求疲軟。 MEMC表示,目前預(yù)期的預(yù)測報表銷售額在33億美
法國Yole Developpement公司MEMS及高級封裝技術(shù)市場分析師Jerome Baron(點(diǎn)擊放大) “在處于半導(dǎo)體前工序和后工序中間位置的“中端”領(lǐng)域,潛藏著新的成長機(jī)會”。法國元件調(diào)查公司Yole Developpement公司MEMS及半
富士電機(jī)日前決定建設(shè)用于功率半導(dǎo)體的晶圓處理工序(前工序)生產(chǎn)線。將在山梨制作所(山梨縣南阿爾卑斯市)建設(shè)該公司在日本國內(nèi)的第二條生產(chǎn)線。資料顯示,此前山梨制作所一直在量產(chǎn)光盤。富士電機(jī)將有效利用該工廠的
全球矽晶圓制造大廠MEMC Electronic Materials Inc.于2月1日美國股市盤后公布2011年第2季(4-6月)財報:本業(yè)營收年增68%(季減6%)7.796億美元;本業(yè)每股盈余達(dá)0.29美元,優(yōu)于前季的0.09美元與前年同期的0.07美元。根據(jù)
考量到太陽能出??诘闹匾?,大陸多晶矽暨矽晶圓龍頭廠保利協(xié)鑫近期成了眾星拱月的對象,近期兩岸市場傳出部分臺灣業(yè)者積極與保利協(xié)鑫攜手切進(jìn)終端太陽能系統(tǒng)領(lǐng)域,主因保利協(xié)鑫本身在太陽能系統(tǒng)經(jīng)營也已多年,保利
聯(lián)電(2303)第二季財測符合預(yù)期,不過執(zhí)行長孫世偉坦言,下半年因客戶調(diào)整庫存,和全球經(jīng)濟(jì)景氣不佳等因素,產(chǎn)能利用率將降至71-73%,單季營收會下滑10-13%,營益率則會掉到僅1-3%。不過,聯(lián)電今年資本支出金額18億美
李洵穎 晶圓探針卡為半導(dǎo)體在制造晶圓階段,不可或缺的重要測試分析介面,廣泛應(yīng)用于記憶體IC如DRAM、SRAM及Flash等、邏輯IC產(chǎn)品、消費(fèi)性IC產(chǎn)品、驅(qū)動IC、通訊IC產(chǎn)品、電源IC、電子儀器,以及醫(yī)療設(shè)備用IC等科技產(chǎn)品
富士電機(jī)決定設(shè)置用于功率半導(dǎo)體的晶圓處理工序(前工序)生產(chǎn)線。將在山梨制作所(山梨縣南阿爾卑斯市)設(shè)置該公司在日本國內(nèi)的第二條生產(chǎn)線。發(fā)布資料顯示,此前山梨制作所一直在量產(chǎn)光盤。富士電機(jī)將有效利用該工廠的
據(jù)外媒報道,日本新金屬協(xié)會硅分會發(fā)布了日本單晶硅(Si)的產(chǎn)量、銷量以及會員企業(yè)相應(yīng)部門的業(yè)績等。 關(guān)于單晶硅的產(chǎn)量和銷量,往年大多會根據(jù)上半年的實際情況對年初預(yù)測進(jìn)行調(diào)整,但此次維持了年初預(yù)測。雖然會
美國史丹佛大學(xué)(Stanford University)的研究人員近日開發(fā)出一種創(chuàng)新的晶圓等級(wafer-scale)掀離(lift-off)制程,能在可重復(fù)使用的矽晶圓上制作奈米線電路,然后將之移植到任意形狀的、采用任何一種材料的基板上。
富士電機(jī)決定設(shè)置用于功率半導(dǎo)體的晶圓處理工序(前工序)生產(chǎn)線。將在山梨制作所(山梨縣南阿爾卑斯市)設(shè)置該公司在日本國內(nèi)的第二條生產(chǎn)線。發(fā)布資料顯示,此前山梨制作所一直在量產(chǎn)光盤。富士電機(jī)將有效利用該工
富士電機(jī)決定設(shè)置用于功率半導(dǎo)體的晶圓處理工序(前工序)生產(chǎn)線。將在山梨制作所(山梨縣南阿爾卑斯市)設(shè)置該公司在日本國內(nèi)的第二條生產(chǎn)線。發(fā)布資料顯示,此前山梨制作所一直在量產(chǎn)光盤。富士電機(jī)將有效利用該工
富士電機(jī)決定設(shè)置用于功率半導(dǎo)體的晶圓處理工序(前工序)生產(chǎn)線。將在山梨制作所(山梨縣南阿爾卑斯市)設(shè)置該公司在日本國內(nèi)的第二條生產(chǎn)線。發(fā)布資料顯示,此前山梨制作所一直在量產(chǎn)光盤。富士電機(jī)將有效利用該工
富士電機(jī)決定設(shè)置用于功率半導(dǎo)體的晶圓處理工序(前工序)生產(chǎn)線。將在山梨制作所(山梨縣南阿爾卑斯市)設(shè)置該公司在日本國內(nèi)的第二條生產(chǎn)線。 發(fā)布資料顯示,此前山梨制作所一直在量產(chǎn)光盤。富士電機(jī)將有效利用
淺溝槽隔離(STI)廣泛用于超大規(guī)模集成器件。溝槽的等離子刻蝕是是完成STI的關(guān)鍵步驟之一。隨著現(xiàn)代半導(dǎo)體制造工藝規(guī)格日趨嚴(yán)格,必須了解眾多等離子刻蝕參數(shù)并加以控制??涛g室的狀態(tài)就是這些關(guān)鍵參數(shù)之一,尤其是