晶圓

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晶圓是指硅半導(dǎo)體集成電路制作所用的硅晶片，由于其形狀為圓形，故稱(chēng)為晶圓；在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結(jié)構(gòu)，而成為有特定電性功能之IC產(chǎn)品。晶圓的原始材料是硅，而地殼表面有用之不竭的二氧化硅。二氧化硅礦石經(jīng)由電弧爐提煉，鹽酸氯化，并經(jīng)蒸餾后，制成了高純度的多晶硅，其純度高達(dá)99.999999999%。

力成科技布局先進(jìn)封裝技術(shù)

力成科技積極自?xún)?nèi)存封測(cè)業(yè)務(wù)往先進(jìn)封裝技術(shù)布局，繼先前買(mǎi)下茂德廠(chǎng)房以作為實(shí)驗(yàn)工廠(chǎng)后，轉(zhuǎn)投資公司聚成科技的新竹廠(chǎng)也在3月動(dòng)土，預(yù)計(jì)2012年第3季裝機(jī)試產(chǎn)。力成董事長(zhǎng)蔡篤恭表示，實(shí)驗(yàn)工廠(chǎng)以開(kāi)發(fā)新技術(shù)為主，包括晶

半導(dǎo)體
2011-07-04

封裝技術(shù) 晶圓內(nèi)存 BSP
力成科技布局先進(jìn)封裝技術(shù)　新廠(chǎng)2012年第3季裝機(jī)投產(chǎn)

力成科技積極自?xún)?nèi)存封測(cè)業(yè)務(wù)往先進(jìn)封裝技術(shù)布局，繼先前買(mǎi)下茂德廠(chǎng)房以作為實(shí)驗(yàn)工廠(chǎng)后，轉(zhuǎn)投資公司聚成科技的新竹廠(chǎng)也在3月動(dòng)土，預(yù)計(jì)2012年第3季裝機(jī)試產(chǎn)。力成董事長(zhǎng)蔡篤恭表示，實(shí)驗(yàn)工廠(chǎng)以開(kāi)發(fā)新技術(shù)為主，包括晶

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2011-07-04

DDR 封裝技術(shù) 晶圓內(nèi)存
矽晶圓供應(yīng)難互惠 MEMC與尚德決終止合約

美國(guó)矽晶圓大廠(chǎng)MEMC Electronic Materials, Inc. 1日在股市開(kāi)盤(pán)前發(fā)布新聞稿指出，旗下子公司已同意終止中國(guó)大陸太陽(yáng)能電池生產(chǎn)巨擘尚德電力控股(Suntech Power Holdings)的太陽(yáng)能矽晶圓長(zhǎng)期供應(yīng)合約，此約最初于200

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2011-07-02

EMC HOLDING ELECTRONIC 晶圓
FDSOI晶體管制造用晶圓產(chǎn)業(yè)已整裝待發(fā)

Intel，臺(tái)積電等巨頭企業(yè)已經(jīng)決定先后在22/14nm節(jié)點(diǎn)走上Finfet之路，這樣一來(lái)，另一條路--FDSOI方面的進(jìn)展?fàn)顩r便顯得格外引人注目。最近，在日本東京召開(kāi)了2011年半導(dǎo)體技術(shù)國(guó)際會(huì)議（Symposium on VLSI Technology）

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2011-07-01

晶體管 Intel DSO 晶圓
2010年IDM與無(wú)晶圓半導(dǎo)體公司的MEMS收入

據(jù)IHSiSuppli公司的研究，2010年無(wú)晶圓制造半導(dǎo)體公司擴(kuò)大了在全球微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）市場(chǎng)的份額，去年占總體MEMS營(yíng)業(yè)收入的近四分之一。 2010年無(wú)晶圓制造半導(dǎo)體公司占總體MEMS營(yíng)業(yè)收入的23.2%，高于四年前

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2011-07-01

半導(dǎo)體 MEMS DM 晶圓
SOI工業(yè)協(xié)會(huì)組織宣告FDSOI晶體管制造用晶圓產(chǎn)業(yè)已整裝待發(fā)

Intel，臺(tái)積電等巨頭企業(yè)已經(jīng)決定先后在22/14nm節(jié)點(diǎn)走上Finfet之路，這樣一來(lái)，另一條路FDSOI方面的進(jìn)展?fàn)顩r便顯得格外引人注目。最近，在日本東京召開(kāi)了2011年半導(dǎo)體技術(shù)國(guó)際會(huì)議（SymposiumonVLSITechnology），會(huì)

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2011-06-30

晶體管 Intel DSO 晶圓
應(yīng)用材料推出首款背部加熱式Vantage Vulcan RTP快速退火設(shè)備

應(yīng)用材料公司本周三推出了新款VantageVulcanRTP快速退火設(shè)備，這款RTP機(jī)型采用了晶圓背面加熱技術(shù)，可以顯著改善RTP處理中晶圓表面芯片核心內(nèi)部各部分的溫度均一性。應(yīng)用半導(dǎo)體公司硅系統(tǒng)集團(tuán)前端制程用設(shè)備部門(mén)的總

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2011-06-30

溫度 CAN GE 晶圓
SOI晶圓供應(yīng)商稱(chēng)為晶體管制造做好了量產(chǎn)準(zhǔn)備

不久前在日本京都舉行的VLSI技術(shù)研討會(huì)上提交的研究結(jié)果顯示，采用超薄襯底的SOI晶圓和22納米工藝制造的器件和采用體硅晶圓、22納米工藝制造的器件相比，性能的提高達(dá)到了25%。包括MEMC、SEH、Soitec等在內(nèi)的幾家主要

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2011-06-30

晶體管英特爾 MARK 晶圓
SOI晶圓供應(yīng)商稱(chēng)為晶體管制造做好了量產(chǎn)準(zhǔn)備

不久前在日本京都舉行的VLSI技術(shù)研討會(huì)上提交的研究結(jié)果顯示，采用超薄襯底的SOI晶圓和22納米工藝制造的器件和采用體硅晶圓、22納米工藝制造的器件相比，性能的提高達(dá)到了25%。包括MEMC、SEH、Soitec等在內(nèi)的幾家主要

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2011-06-30

晶體管英特爾 MARK 晶圓
應(yīng)用材料推出首款背部加熱式Vantage Vulcan RTP快速退火設(shè)備

應(yīng)用材料公司本周三推出了新款Vantage Vulcan RTP快速退火設(shè)備，這款RTP機(jī)型采用了晶圓背面加熱技術(shù)，可以顯著改善RTP處理中晶圓表面芯片核心內(nèi)部各部分的溫度均一性。新型晶體管設(shè)計(jì)需要的RTP退火處理項(xiàng)目圖解

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2011-06-30

溫度 CAN GE 晶圓
SOI工業(yè)協(xié)會(huì)組織宣告FDSOI晶體管制造用晶圓產(chǎn)業(yè)已整裝待發(fā)

Intel，臺(tái)積電等巨頭企業(yè)已經(jīng)決定先后在22/14nm節(jié)點(diǎn)走上Finfet之路，這樣一來(lái)，另一條路FDSOI方面的進(jìn)展?fàn)顩r便顯得格外引人注目。最近，在日本東京召開(kāi)了2011年半導(dǎo)體技術(shù)國(guó)際會(huì)議（Symposium on VLSI Technology），

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2011-06-30

晶體管 Intel DSO 晶圓
中芯國(guó)際削價(jià) 晶圓雙雄備戰(zhàn)

在臺(tái)積電(2330)、聯(lián)電及中芯國(guó)際等晶圓代工廠(chǎng)的產(chǎn)能松動(dòng)下，中芯國(guó)際與IC設(shè)計(jì)業(yè)達(dá)成共識(shí)，90奈米制程第三季代工價(jià)格降15%、65奈米制程降價(jià)10%;半導(dǎo)體業(yè)者預(yù)期，降價(jià)的趨勢(shì)恐怕延到今年第四季。臺(tái)積電和聯(lián)電昨(27)日都

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2011-06-29

中芯國(guó)際聯(lián)電臺(tái)積電晶圓
SOI晶圓供應(yīng)商稱(chēng)為晶體管制造做好了量產(chǎn)準(zhǔn)備

不久前在日本京都舉行的VLSI技術(shù)研討會(huì)上提交的研究結(jié)果顯示，采用超薄襯底的SOI晶圓和22納米工藝制造的器件和采用體硅晶圓、22納米工藝制造的器件相比，性能的提高達(dá)到了25%。包括MEMC、SEH、Soitec等在內(nèi)的幾家主要

半導(dǎo)體
2011-06-29

晶體管太陽(yáng)能電池 MARK 晶圓
日月光：Q3營(yíng)收季增難逾10％

受到上游客戶(hù)在6月中下旬開(kāi)始調(diào)整庫(kù)存影響，日月光6月?tīng)I(yíng)收成長(zhǎng)動(dòng)能走弱，第2季營(yíng)收季增率恐落在原先預(yù)估的7％下緣，第3季雖然維持成長(zhǎng)，但成長(zhǎng)幅度已趨緩，今年季增率將低于過(guò)去旺季期間10％以上的成長(zhǎng)幅度。日月光營(yíng)

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2011-06-29

半導(dǎo)體市場(chǎng) 封裝 OV 晶圓
解析無(wú)晶圓半導(dǎo)體公司MEMS收入構(gòu)成及代工關(guān)系

據(jù)IHS iSuppli公司的研究，2010年無(wú)晶圓制造半導(dǎo)體公司擴(kuò)大了在全球微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)市場(chǎng)的份額，去年占總體MEMS營(yíng)業(yè)收入的近四分之一。 2010年無(wú)晶圓制造半導(dǎo)體公司占總體MEMS營(yíng)業(yè)收入的23.2%，高于四年前的21.3

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2011-06-29

半導(dǎo)體晶圓制造 MEMS 晶圓
臺(tái)勝科3Q矽晶圓再漲10~20%　漲幅恐成強(qiáng)弩之末

連于慧／臺(tái)北矽晶圓供應(yīng)商臺(tái)勝科27日指出，第3季半導(dǎo)體矽晶圓價(jià)格已談完，預(yù)計(jì)將較第2季上漲10~20%，雖然2011年半導(dǎo)體成長(zhǎng)力道趨緩，且第3季展望保守，但因?yàn)橹笆艿饺毡?11地震影響，客戶(hù)庫(kù)存仍短少約1個(gè)月，加上

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2011-06-28

DRAM 晶圓代工終端晶圓
中芯國(guó)際削價(jià)晶圓雙雄備戰(zhàn)

在臺(tái)積電（2330）、聯(lián)電及中芯國(guó)際等晶圓代工廠(chǎng)的產(chǎn)能松動(dòng)下，中芯國(guó)際與IC設(shè)計(jì)業(yè)達(dá)成共識(shí)，90奈米制程第三季代工價(jià)格降15%、65奈米制程降價(jià)10%；半導(dǎo)體業(yè)者預(yù)期，降價(jià)的趨勢(shì)恐怕延到今年第四季。臺(tái)積電和聯(lián)電昨

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2011-06-28

中芯國(guó)際晶圓代工聯(lián)電晶圓
晶圓雙雄Q3 旺不起來(lái)

受到歐債危機(jī)及美國(guó)失業(yè)率居高不下等負(fù)面因素影響，電子產(chǎn)品終端需求能見(jiàn)度轉(zhuǎn)差，為了避免芯片庫(kù)存水位上升太快，臺(tái)積電及聯(lián)電客戶(hù)上周起要求遞延出貨。據(jù)設(shè)備業(yè)者透露，臺(tái)積電第3季營(yíng)收季增率恐降至5％左右，聯(lián)電則

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2011-06-27

聯(lián)電臺(tái)積電終端晶圓
晶圓雙雄Q3 旺不起來(lái)

受到歐債危機(jī)及美國(guó)失業(yè)率居高不下等負(fù)面因素影響，電子產(chǎn)品終端需求能見(jiàn)度轉(zhuǎn)差，為了避免芯片庫(kù)存水位上升太快，臺(tái)積電及聯(lián)電客戶(hù)上周起要求遞延出貨。據(jù)設(shè)備業(yè)者透露，臺(tái)積電第3季營(yíng)收季增率恐降至5％左右，聯(lián)電則

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2011-06-27

聯(lián)電臺(tái)積電終端晶圓
花旗喊買(mǎi)日月光 Q3成長(zhǎng)動(dòng)能超過(guò)同業(yè)

DM廠(chǎng)委外代工和行動(dòng)裝置內(nèi)建晶片封測(cè)訂單持續(xù)涌入，市場(chǎng)預(yù)期封測(cè)大廠(chǎng)日月光（2311-TW）第2季封測(cè)業(yè)務(wù)將季增7％，第3季營(yíng)收表現(xiàn)也看俏?；ㄆ飙h(huán)球證券表示，日月光第2季營(yíng)運(yùn)目標(biāo)可達(dá)陣，但第3季半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)有雜音，因匯

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2011-06-23

晶片半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) DM 晶圓

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晶圓

力成科技布局先進(jìn)封裝技術(shù)

力成科技布局先進(jìn)封裝技術(shù)　新廠(chǎng)2012年第3季裝機(jī)投產(chǎn)

矽晶圓供應(yīng)難互惠 MEMC與尚德決終止合約

FDSOI晶體管制造用晶圓產(chǎn)業(yè)已整裝待發(fā)

2010年IDM與無(wú)晶圓半導(dǎo)體公司的MEMS收入

SOI工業(yè)協(xié)會(huì)組織宣告FDSOI晶體管制造用晶圓產(chǎn)業(yè)已整裝待發(fā)

應(yīng)用材料推出首款背部加熱式Vantage Vulcan RTP快速退火設(shè)備

SOI晶圓供應(yīng)商稱(chēng)為晶體管制造做好了量產(chǎn)準(zhǔn)備

SOI晶圓供應(yīng)商稱(chēng)為晶體管制造做好了量產(chǎn)準(zhǔn)備

應(yīng)用材料推出首款背部加熱式Vantage Vulcan RTP快速退火設(shè)備

SOI工業(yè)協(xié)會(huì)組織宣告FDSOI晶體管制造用晶圓產(chǎn)業(yè)已整裝待發(fā)

中芯國(guó)際削價(jià) 晶圓雙雄備戰(zhàn)

SOI晶圓供應(yīng)商稱(chēng)為晶體管制造做好了量產(chǎn)準(zhǔn)備

日月光：Q3營(yíng)收季增難逾10％

解析無(wú)晶圓半導(dǎo)體公司MEMS收入構(gòu)成及代工關(guān)系

臺(tái)勝科3Q矽晶圓再漲10~20%　漲幅恐成強(qiáng)弩之末

中芯國(guó)際削價(jià)晶圓雙雄備戰(zhàn)

晶圓雙雄Q3 旺不起來(lái)

晶圓雙雄Q3 旺不起來(lái)

花旗喊買(mǎi)日月光 Q3成長(zhǎng)動(dòng)能超過(guò)同業(yè)

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