
晶圓代工龍頭臺(tái)積電宣布將今年資本支出一舉拉高到48億美元的歷史新高后,就一直備受外資分析師的質(zhì)疑,認(rèn)為臺(tái)積電此舉將導(dǎo)致2011年及2012年的半導(dǎo)體市場(chǎng)嚴(yán)重產(chǎn)能過(guò)剩。但是,臺(tái)積電能夠成為全球最大晶圓代工廠,靠得
臺(tái)積電的40奈米制程技術(shù)領(lǐng)先全球,該公司目前該制程在全球市占率已有80%以上。 盡管2009年中曾出現(xiàn)良率問(wèn)題,但經(jīng)過(guò)2個(gè)季度,臺(tái)積電認(rèn)為良率問(wèn)題已獲得完全解決,估計(jì)40奈米制程占營(yíng)收比重在2009年第4季約9%。
聯(lián)電5月?tīng)I(yíng)收恢復(fù)成長(zhǎng)態(tài)勢(shì),達(dá)到新臺(tái)幣100.9億元,創(chuàng)下歷史第4高紀(jì)錄,由于聯(lián)電6、8及12寸廠產(chǎn)能處于滿載,預(yù)期2010年下半單月?tīng)I(yíng)收仍有高點(diǎn)可期。至于產(chǎn)能同樣處于滿載的臺(tái)積電近期亦將公布營(yíng)運(yùn)實(shí)績(jī),預(yù)期將續(xù)創(chuàng)歷史新
聯(lián)電5月?tīng)I(yíng)收恢復(fù)成長(zhǎng)態(tài)勢(shì),達(dá)到新臺(tái)幣100.9億元,創(chuàng)下歷史第4高紀(jì)錄,由于聯(lián)電6、8及12寸廠產(chǎn)能處于滿載,預(yù)期2010年下半單月?tīng)I(yíng)收仍有高點(diǎn)可期。至于產(chǎn)能同樣處于滿載的臺(tái)積電近期亦將公布營(yíng)運(yùn)實(shí)績(jī),預(yù)期將續(xù)創(chuàng)歷史新
聯(lián)電5月?tīng)I(yíng)收恢復(fù)成長(zhǎng)態(tài)勢(shì),達(dá)到新臺(tái)幣100.9億元,創(chuàng)下歷史第4高紀(jì)錄,由于聯(lián)電6、8及12吋廠產(chǎn)能處于滿載,預(yù)期2010年下半單月?tīng)I(yíng)收仍有高點(diǎn)可期。至于產(chǎn)能同樣處于滿載的臺(tái)積電近期亦將公布營(yíng)運(yùn)實(shí)績(jī),預(yù)期將續(xù)創(chuàng)歷史新
經(jīng)過(guò)2年的發(fā)酵,系統(tǒng)級(jí)封裝(SiP)技術(shù)開(kāi)始蔚為風(fēng)潮。由于消費(fèi)性電子產(chǎn)品走向輕薄短小趨勢(shì),封裝形式愈趨多元化,帶動(dòng)SiP大量需求,3D封裝市場(chǎng)已經(jīng)開(kāi)始起飛,不論是邏輯IC封裝業(yè)者,抑或內(nèi)存封裝業(yè)者紛紛朝該技術(shù)發(fā)展,
日本長(zhǎng)野縣工科短期大學(xué)、長(zhǎng)野封裝論壇的傅田精一指出了采用硅貫通孔(Through SiVia:TSV)的三維封裝技術(shù)的現(xiàn)狀與課題。在“JPCA Show2010”(2010年6月2~4日,東京有明國(guó)際會(huì)展中心)并設(shè)的研討會(huì)“2010最尖端封
受惠上游客戶擴(kuò)大下單,封測(cè)廠5月?tīng)I(yíng)收表現(xiàn)亮麗,包括日月光(2311)、力成(6239)、頎邦(6147)、欣銓(3264)、硅格(6257)等均創(chuàng)歷史新高,其余如硅品(2325)、京元電(2449)等業(yè)者,營(yíng)收也回升到歷史高檔
晶圓代工廠第2季產(chǎn)能供不應(yīng)求,已影響到國(guó)內(nèi)IC設(shè)計(jì)業(yè)者5月?tīng)I(yíng)收,由于下半年計(jì)算機(jī)、手機(jī)、消費(fèi)性等3C市場(chǎng)買氣不弱,加上市場(chǎng)庫(kù)存水位仍在安全水平以下,IC設(shè)計(jì)業(yè)者及IDM廠持續(xù)追加下單,臺(tái)積電及聯(lián)電第3季接單已確定
本文介紹了集成續(xù)流二極管(FWD)的1200V RC-IGBT,并將探討面向軟開(kāi)關(guān)應(yīng)用的1,200V逆導(dǎo)型IGBT所取得的重大技術(shù)進(jìn)步。IGBT技術(shù)進(jìn)步主要體現(xiàn)在兩個(gè)方面:通過(guò)采用和改進(jìn)溝槽柵來(lái)優(yōu)化垂直方向載流子濃度,以及利用“場(chǎng)終
過(guò)往政府下砍太陽(yáng)光電補(bǔ)助費(fèi)率,太陽(yáng)能業(yè)者被迫降價(jià)好讓消費(fèi)者的系統(tǒng)安裝成本下降,讓投資報(bào)酬率(IRR)維持均衡,不過(guò)第3季雖然德國(guó)將下砍16%的補(bǔ)助費(fèi)率,卻因遇到歐元貶值的疑慮,模塊業(yè)者降價(jià)難度升高,恐讓消費(fèi)者首
網(wǎng)絡(luò)電視市場(chǎng)可望逐漸步入高度成長(zhǎng)期,國(guó)內(nèi)外網(wǎng)通IC大廠一片看好聲,不僅有助持續(xù)提高對(duì)臺(tái)積電(2330)、聯(lián)電(2303)的下單量;當(dāng)網(wǎng)絡(luò)電視市場(chǎng)擴(kuò)增,已展開(kāi)布局的硅統(tǒng)(2363)、雷凌(3534)及下游晶圓代工、封測(cè)廠
美國(guó)GLOBALFOUNDRIES于2010年6月1日宣布,將在臺(tái)北增設(shè)半導(dǎo)體制造工廠。該公司2010年的設(shè)備投資額為27億美元。該公司是美國(guó)AMD的制造部門從公司本體剝離后設(shè)立的企業(yè),后與新加坡特許(Charterd)進(jìn)行了經(jīng)營(yíng)合并,由
本文介紹了集成續(xù)流二極管(FWD)的1200V RC-IGBT,并將探討面向軟開(kāi)關(guān)應(yīng)用的1,200V逆導(dǎo)型IGBT所取得的重大技術(shù)進(jìn)步。IGBT技術(shù)進(jìn)步主要體現(xiàn)在兩個(gè)方面:通過(guò)采用和改進(jìn)溝槽柵來(lái)優(yōu)化垂直方向載流子濃度,以及利用“場(chǎng)終
高力國(guó)際 (Colliers International) 旗下部門 ATREG 已被聘為 Qimonda 德國(guó)德累斯頓先進(jìn) 300mm 生產(chǎn)園的出售顧問(wèn)。該高度開(kāi)放的生產(chǎn)園位于撒克遜州,擁有一個(gè)一流的 300mm 半導(dǎo)體晶圓制造廠,包括281種先進(jìn)的前端半導(dǎo)
ATREG 任 Qimonda 德國(guó)德累斯頓中心的出售顧問(wèn) 德國(guó)德累斯頓2010年6月3日電 /美通社亞洲/ -- 高力國(guó)際 (Colliers International) 旗下部門 ATREG 已被聘為 Qimonda 德國(guó)德累斯頓先進(jìn) 300mm 生產(chǎn)園的出售顧問(wèn)。該
晶圓代工廠商全球晶圓(GlobalFoundries)昨日在臺(tái)宣布,未來(lái)將投資30億美元,將目前市占第3名,預(yù)計(jì)在2012年市占率達(dá)30%目標(biāo)不變,且爭(zhēng)奪為市占第2名,企圖取代聯(lián)電市場(chǎng)地位。對(duì)競(jìng)爭(zhēng)廠商全球晶圓的宣示,昨天聯(lián)電不愿
全球晶圓(GlobalFoundries)執(zhí)行長(zhǎng)Dougals Grose昨(1)日表示,今年資本支出將達(dá)28億美元,將德國(guó)德勒斯登Fab1,以及美國(guó)紐約Fab8等兩座12吋廠產(chǎn)能極大化。隨著新增產(chǎn)能在明年后開(kāi)出,法人預(yù)估,全球晶圓明年?duì)I收規(guī)
美國(guó)MEMC公司于日前發(fā)布聲明表示,將以7,600萬(wàn)美元購(gòu)并矽晶圓制造商Solaicx,借以取得低成本晶圓量產(chǎn)技術(shù)。分析師指出,盡管近年矽晶圓價(jià)格持續(xù)下降,使太陽(yáng)能電池制造成本隨之降低。但由于其它取代矽晶圓的材料或技
外電報(bào)導(dǎo)指出,手機(jī)芯片大廠高通對(duì)未來(lái)幾季的營(yíng)收示警,認(rèn)為歐元驟貶將對(duì)權(quán)利金收入造成負(fù)面沖擊。法人分析,高通的市場(chǎng)與主攻大陸的手機(jī)芯片同業(yè)聯(lián)發(fā)科(2454)有所區(qū)隔,聯(lián)發(fā)科的后續(xù)業(yè)績(jī)表現(xiàn)值得觀察。 同時(shí)