封裝

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封裝，Package，是把集成電路裝配為芯片最終產(chǎn)品的過(guò)程，簡(jiǎn)單地說(shuō)，就是把Foundry生產(chǎn)出來(lái)的集成電路裸片（Die）放在一塊起到承載作用的基板上，把管腳引出來(lái)，然后固定包裝成為一個(gè)整體。作為動(dòng)詞，“封裝”強(qiáng)調(diào)的是安放、固定、密封、引線的過(guò)程和動(dòng)作；作為名詞，“封裝”主要關(guān)注封裝的形式、類別，基底和外殼、引線的材料，強(qiáng)調(diào)其保護(hù)芯片、增強(qiáng)電熱性能、方便整機(jī)裝配的重要作用。

意法半導(dǎo)體（ST）發(fā)布突破性功率封裝，擴(kuò)大 MDmesh™ V MOSFET晶體管的功率密度優(yōu)勢(shì)

意法半導(dǎo)體推出一款先進(jìn)的高性能功率封裝，這項(xiàng)新技術(shù)將會(huì)提高意法半導(dǎo)體最新的MDmesh™ V功率MOSFET技術(shù)的功率密度。在一個(gè)尺寸僅為8x8mm的無(wú)引腳封裝外殼內(nèi)，全新1mm高的貼裝封裝可容納工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的TO-220大小

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2010-05-10

MOSFET MESH 封裝晶體管
訂單接不完　聯(lián)合科技產(chǎn)能滿載

全球第6大封測(cè)廠聯(lián)合科技(UTAC)董事長(zhǎng)李永松表示，目前訂單接不完，包括新加坡、大陸上海和泰國(guó)等地產(chǎn)能處于滿載局面，臺(tái)灣廠也達(dá)到高檔水位。根據(jù)客戶預(yù)估訂單，第3季訂單量仍將有增無(wú)減，為支應(yīng)下半年需求，全年資

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2010-05-10

通訊博通新加坡封裝
日月光硅品均樂(lè)觀本季

晶圓代工產(chǎn)能擠爆，影響封測(cè)出貨，封測(cè)大廠日月光（2311）及硅品（2325）4月合并營(yíng)收表現(xiàn)低于預(yù)期。不過(guò)，封測(cè)廠指出，晶圓代工產(chǎn)能吃緊現(xiàn)象已松動(dòng)，很快即能舒緩，第二季營(yíng)運(yùn)仍維持樂(lè)觀。日月光稍早公布4月合并

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2010-05-10

晶圓代工晶圓廠 IC設(shè)計(jì) 封裝
IDM廠輕資產(chǎn)效應(yīng)顯現(xiàn)　加速委外釋單臺(tái)廠

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)景氣逐步復(fù)蘇，整合元件制造(IDM)大廠接單也同步增溫，由于過(guò)去采取「輕資產(chǎn)(asset-lite)」策略，不但沒(méi)有大增舉加產(chǎn)能，反而縮減產(chǎn)能，使得IDM廠近期有加速委外釋單，甚至傳出手機(jī)芯片大廠向代工廠要求包

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2010-05-10

聯(lián)電臺(tái)積電 DM 封裝
創(chuàng)新的內(nèi)部封裝.XT技術(shù), 將IGBT模塊使用壽命延長(zhǎng)10倍

英飛凌科技股份公司在紐倫堡舉行的2010 PCIM歐洲展會(huì)（2010年5月4日至6日）上，推出創(chuàng)新的IGBT內(nèi)部封裝技術(shù)。該技術(shù)可大幅延長(zhǎng)IGBT模塊的使用壽命。全新的.XT技術(shù)可優(yōu)化IGBT模塊內(nèi)部所有連接的使用壽命。依靠這些全新

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2010-05-10

英飛凌芯片 IGBT模塊封裝
聯(lián)合科技收購(gòu)ASAT東莞廠營(yíng)收突破10億美元

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)景氣翻揚(yáng)，封測(cè)廠聯(lián)合科技再度展開收購(gòu)行動(dòng)擴(kuò)張，收購(gòu) ASAT中國(guó)大陸東莞封裝廠，董事長(zhǎng)李永松表示，今年集團(tuán)營(yíng)收可望一舉突破 10 億美元大關(guān)。李永松指出，1999 年投產(chǎn)以來(lái)，至今已并購(gòu) 4 家公司；目前

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2010-05-08

Broadcom 模擬IC MAXIM 封裝
STR的馬來(lái)西亞太陽(yáng)能模組封裝廠區(qū)開始第二階段擴(kuò)建工程

STRHoldinGS宣布，在馬來(lái)西亞Johor的太陽(yáng)能模組封裝廠區(qū)開始第二階段擴(kuò)建工程，將服務(wù)亞洲日益成長(zhǎng)的客戶。第二階段工程將促進(jìn)馬來(lái)西亞現(xiàn)有產(chǎn)量與倉(cāng)儲(chǔ)面積擴(kuò)大一倍。

半導(dǎo)體
2010-05-08

太陽(yáng)能 ST HOLDING 封裝
全新無(wú)管腳SMD封裝ThinPAK 8x8（英飛凌）

英飛凌科技股份公司近日推出適用于高壓功率MOSFET的全新無(wú)管腳SMD封裝ThinPAK 8x8。新封裝的占板空間僅為64平方毫米（D2PAK的占板空間為150平方毫米），高度僅為1毫米（D2PAK的高度為4.4毫米）。大幅縮小的封裝尺寸結(jié)

功率器件
2010-05-07

英飛凌管腳 SMD 封裝
意法半導(dǎo)體（ST）發(fā)布突破性功率封裝，擴(kuò)大 MDmesh™ V MOSFET晶體管的功率密度優(yōu)勢(shì)

意法半導(dǎo)體推出一款先進(jìn)的高性能功率封裝，這項(xiàng)新技術(shù)將會(huì)提高意法半導(dǎo)體最新的MDmesh™ V功率MOSFET技術(shù)的功率密度。在一個(gè)尺寸僅為8x8mm的無(wú)引腳封裝外殼內(nèi)，全新1mm高的貼裝封裝可容納工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的TO-220大小

電源
2010-05-07

MOSFET MESH 封裝晶體管
轉(zhuǎn)移設(shè)備硅品4月營(yíng)收月減3％

封測(cè)大廠硅品（2325）昨（5）日公布4月營(yíng)收為51.01億元，較上月減少3％，主要原因在于硅品于4月19日將LCD驅(qū)動(dòng)IC封測(cè)及DRAM測(cè)試等，第一批設(shè)備移至南茂南科廠。硅品昨日公告4月業(yè)績(jī)，臺(tái)灣封測(cè)廠營(yíng)收達(dá)51.01億元，較

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2010-05-06

DRAM 驅(qū)動(dòng)IC LCD驅(qū)動(dòng) 封裝
力成上月營(yíng)收再攻頂

內(nèi)存封測(cè)龍頭力成（6239）昨（5）日公布4月營(yíng)收30.01億元，月增1.73%，改寫去年12月所創(chuàng)的29.98億元紀(jì)錄，再創(chuàng)歷史新高，顯示DRAM市況持續(xù)升溫，且第二季將淡季不淡。經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)／提供另一封測(cè)大廠硅品（2325）4月營(yíng)

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2010-05-06

DRAM 內(nèi)存封裝
基于功率MOSFET設(shè)計(jì)考量

用作功率開關(guān)的MOSFET 隨著數(shù)十年來(lái)器件設(shè)計(jì)的不斷優(yōu)化，功率MOSFET晶體管帶來(lái)了新的電路拓?fù)浜碗娫葱实奶嵘?。功率器件從電流?qū)動(dòng)變?yōu)殡妷候?qū)動(dòng)，加快了這些產(chǎn)品的市場(chǎng)滲透速度。上世紀(jì)80年代，平面柵極功率MOSFET

電源AC/DC
2010-05-04

阻抗傳導(dǎo) 功率MOSFET 封裝
基于功率MOSFET設(shè)計(jì)考量

用作功率開關(guān)的MOSFET 隨著數(shù)十年來(lái)器件設(shè)計(jì)的不斷優(yōu)化，功率MOSFET晶體管帶來(lái)了新的電路拓?fù)浜碗娫葱实奶嵘９β势骷碾娏黩?qū)動(dòng)變?yōu)殡妷候?qū)動(dòng)，加快了這些產(chǎn)品的市場(chǎng)滲透速度。上世紀(jì)80年代，平面柵極功率MOSFET

功率器件
2010-05-04

阻抗傳導(dǎo) 功率MOSFET 封裝
IDT推出首款封裝和裸片/晶圓形式高精度全硅CMOS振蕩器

致力于豐富數(shù)字媒體體驗(yàn)、提供領(lǐng)先的混合信號(hào)半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商 IDT 公司(Integrated Device Technology, Inc.; )今天宣布，推出全硅 CMOS 振蕩器 MM8202 和 MM8102，使 IDT 成為業(yè)界首家采用晶圓和封裝形式 CMOS

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2010-05-04

振蕩器 CMOS IDT 封裝
封測(cè)雙雄啟動(dòng)制程產(chǎn)能競(jìng)賽

封測(cè)雙雄競(jìng)爭(zhēng)戰(zhàn)線從制程拉大到產(chǎn)能，硅品大舉增加銅打線封裝機(jī)臺(tái)，苦追領(lǐng)先的日月光，雙方亦大拼產(chǎn)能，硅品不僅買下力晶廠房，彰化和美二廠亦將完工啟用，日月光昆山廠則將于5月投產(chǎn)，高雄K12廠亦于同月動(dòng)工，并買下

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2010-05-04

內(nèi)存驅(qū)動(dòng)IC 封裝
封測(cè)雙雄 Q2營(yíng)收看增15%

封測(cè)雙雄日月光（2311）及硅品（2325）首季獲利不同調(diào)，但法人仍看好兩家公司第二季營(yíng)收季增率可達(dá)一成至一成五，但在選股策略方面則是日月光將優(yōu)于硅品。日月光日前公布首季每股稅后純益0.63元，優(yōu)于硅品的0.48

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2010-05-04

晶圓代工臺(tái)積電封裝
觀測(cè)站／3雄績(jī)戰(zhàn) 越戰(zhàn)越「封」光

封測(cè)三雄日月光(2311)、硅品(2325)、力成(6239)法說(shuō)陸續(xù)于上月底落幕，三家封測(cè)大廠同步釋出對(duì)第二、三季景氣樂(lè)觀訊息，為未來(lái)封測(cè)股走勢(shì)注入一劑強(qiáng)心針，尤以一哥日月光首季EPS0.63元、毛利率23.5%，遠(yuǎn)優(yōu)于硅品的EP

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2010-05-03

半導(dǎo)體內(nèi)存市場(chǎng) EPS 封裝
封測(cè)廠Q1財(cái)報(bào) 力成獲利王

封測(cè)廠第1季財(cái)報(bào)全數(shù)出爐，根據(jù)各公司公布數(shù)據(jù)，內(nèi)存封測(cè)廠力成（6239）每股凈利2.62元，穩(wěn)坐封測(cè)廠獲利王寶座；龍頭大廠日月光（2311）營(yíng)收及稅后凈利的絕對(duì)金額最高；晶圓測(cè)試廠欣銓（3264）則以31.2％凈利率稱霸。

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2010-05-03

內(nèi)存晶圓芯片測(cè)試封裝
訂單接不完日月光兩岸擴(kuò)產(chǎn)

封測(cè)龍頭大廠日月光半導(dǎo)體（2311）首季每股凈利達(dá)0.64元，優(yōu)于市場(chǎng)預(yù)期，主要是因?yàn)殂~導(dǎo)線封裝及四邊扁平無(wú)引腳（aQFN）技術(shù)領(lǐng)先同業(yè)，吸引國(guó)內(nèi)外芯片廠將原本下到其它封測(cè)廠的訂單，開始轉(zhuǎn)下單到日月光。日月光董事

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2010-05-01

半導(dǎo)體引腳 QFN 封裝
蔡篤恭：DRAM封測(cè)今年是好年力成Q2毛利率維持Q1水平

DRAM封測(cè)大廠力成(6239)今 (29)日召開法人說(shuō)明會(huì)，董事長(zhǎng)蔡篤恭表示，近幾日半導(dǎo)體晶圓代工與封測(cè)龍頭紛紛表態(tài)對(duì)今年景氣樂(lè)觀的看法，他也認(rèn)同這個(gè)說(shuō)法，DRAM封測(cè)今年更是一個(gè)好年，全年業(yè)績(jī)展望佳，短期看第 2 季客

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2010-05-01

半導(dǎo)體 DRAM 進(jìn)程封裝

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封裝

意法半導(dǎo)體（ST）發(fā)布突破性功率封裝，擴(kuò)大 MDmesh™ V MOSFET晶體管的功率密度優(yōu)勢(shì)

訂單接不完　聯(lián)合科技產(chǎn)能滿載

日月光硅品均樂(lè)觀本季

IDM廠輕資產(chǎn)效應(yīng)顯現(xiàn)　加速委外釋單臺(tái)廠

創(chuàng)新的內(nèi)部封裝.XT技術(shù), 將IGBT模塊使用壽命延長(zhǎng)10倍

聯(lián)合科技收購(gòu)ASAT東莞廠營(yíng)收突破10億美元

STR的馬來(lái)西亞太陽(yáng)能模組封裝廠區(qū)開始第二階段擴(kuò)建工程

全新無(wú)管腳SMD封裝ThinPAK 8x8（英飛凌）

意法半導(dǎo)體（ST）發(fā)布突破性功率封裝，擴(kuò)大 MDmesh™ V MOSFET晶體管的功率密度優(yōu)勢(shì)

轉(zhuǎn)移設(shè)備硅品4月營(yíng)收月減3％

力成上月營(yíng)收再攻頂

基于功率MOSFET設(shè)計(jì)考量

基于功率MOSFET設(shè)計(jì)考量

IDT推出首款封裝和裸片/晶圓形式高精度全硅CMOS振蕩器

封測(cè)雙雄啟動(dòng)制程產(chǎn)能競(jìng)賽

封測(cè)雙雄 Q2營(yíng)收看增15%

觀測(cè)站／3雄績(jī)戰(zhàn) 越戰(zhàn)越「封」光

封測(cè)廠Q1財(cái)報(bào) 力成獲利王

訂單接不完日月光兩岸擴(kuò)產(chǎn)

蔡篤恭：DRAM封測(cè)今年是好年力成Q2毛利率維持Q1水平

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